【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体１を作製した後（ａ）、Ｚｎの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばＡｌ^３＋、Ｓｉ^４＋を添加したＺｎ溶液を調製し、セラミック素体１をＺｎ溶液に浸漬して該セラミック素体１の表面にＺｎ皮膜２を形成し（ｂ）、この後、無電解めっき処理を施してＺｎ皮膜２上にめっき皮膜３を形成する（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム１上に接着剤層２を介して施された銅箔３の表面の全面にスズめっき層４を厚さ０．０１〜０．２μｍ形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔３に微細配線パターン３０を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト６を塗布した後、前記端子部分に、厚さ０．１５〜０．８０μｍのスズめっき層４を形成し、加熱処理することにより、厚さ０．２０μｍ以上のスズ−銅合金層５ｂと厚さ０．１５〜０．８０μｍの純スズ層４ｂを形成する。 （もっと読む）