【課題】 接合に際し、ミクロン未満、例えば数ナノオーダーの厚さの薄い金属間化合物層を生成する。
【解決手段】 固相状態での接合に金属間化合物層の形成を要する異種金属ワークを接合する異種金属の接合装置は、接合すべき異種金属ワークＷ1、Ｗ2が入れられる真空容器11と、真空容器11内の一方のワークＷ2の接合面に金属間化合物層を形成するようにクラスターを照射するクラスター源15と、金属間化合物層を形成したワークＷ2と他方のワークＷ1を加圧および加熱する加圧・加熱手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属通電層の形成されたポリイミドフィルムが大気によって酸化されあるいは外部大気中の粉塵などによって汚染されることなく、金属メッキ層を形成することが可能なフレキシブル回路基板用積層構造体の製造装置およびその方法を提供する。
【解決手段】本発明のフレキシブル回路基板用積層構造体の製造方法は、ベースフィルムを表面処理する段階と、ベースフィルムにタイ層を形成する段階と、タイ層の形成されたベースフィルムに金属通電層を形成する段階と、金属通電層の形成されたベースフィルムに、電子ビームの照射による金属の蒸着によって金属メッキ層を形成する段階とを含み、これらの段階は全て真空チャンバー内で行われる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ装置を高コスト化・大型化させることなく、さらには製品の信頼性や歩留りを低下させることなく、ウェーハ上に膜厚分布の均一性の優れたスパッタ膜を形成することができるスパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法を提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタ装置１は、ターゲット３とシャッタ１５の間に、スパッタ粒子を制御するためのスパッタ粒子制御板１６が配置されている。このスパッタ粒子制御板１６はステンレス等の材質からなり、その中央部に開口部１７が形成されている。この開口部１７は、ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の放出分布に対応した形状を有している。 （もっと読む）

本発明は、新規な１，３−ジイミン銅錯体および原子層蒸着法における基材上または多孔性固体中もしくは多孔性固体上での銅の蒸着のための１，３−ジイミン銅錯体の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用のＣｕ系配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された凹部を有する絶縁膜２の表面に、ＣｕまたはＣｕ合金（以下「Ｃｕ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ｃｕ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線形成方法。スパッタリングガス種：水素ガスと不活性ガスの混合比率（％）が５：９５〜２０：８０である混合ガス、基板温度：０〜−２０℃。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）

本発明は半導体ウエハのイオン化ＰＶＤプロセスに関し、単一プロセスチャンバ内の高い均一性の堆積−エッチングプロセスシーケンス及び高アスペクト比形状の被覆能力用状態を供する。プラズマは誘起結合プラズマ供給源で発生維持される。堆積プロセス段階は金属蒸気のＰＶＤ供給源のターゲットから発生中に行われる。ターゲット表面での位置やスパッタリング効率は磁場エンベロープの移動や掃引を生じて磁石の束の移動で増大する。ターゲットはＤＣ供給源から電圧を印加されてスパッタリングされた原子の効率的熱運動化用の有効圧力が堆積中チャンバ内で保持される。ウエハ上での一様な厚さは各磁石の掃引サイクルで形成される。全ターゲット表面に亘る環状の掃引運動を用いた磁場の局在化は、合理的堆積率、高ターゲット利用率、金属原子の高イオン化、一様平坦領域堆積及びエッチング用状態、ウエハ中心及び端でＨＡＲ形状の被覆率に略同一な状態を生じる。
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基板と、前記基板上に形成された酸化物系ナノ素材とからなる基材を含む光触媒を開示する。前記光触媒は、同一成分を持つ従来の光触媒より高い体積対表面積比を有し、且つナノサイズの光触媒層を備えることにより、優れた光分解特性を持つ。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体２２の面と相互接触する絶縁体１３２を有するコイル支持組立体１３０を備えている。絶縁体１３２は遮蔽体２２を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体１３１が遮蔽体２２とコイル２６との間に配設され且つコイルから延びる突出部４０と接触する。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２を通して配設され且つ第二の絶縁体１３１を通って突出部４０内に延びる。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２により遮蔽体２２から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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【課題】 金属薄膜とプラスチックフィルム間の接着性が極めて優れた金属薄膜とプラスチックフィルムの複合フィルムを提供すること。
【解決手段】 表面がプラズマ処理されたプラスチックフィルム、そのプラズマ処理表面に設けられたアンカーコート層、及び該アンカーコート層上に設けられた金属薄膜を含む、金属薄膜とプラスチックフィルムの複合フィルムであって、該アンカーコート層が、第１級又第２級のアミノ基を有するアミノシランからなることを特徴とする複合フィルム。 （もっと読む）

高アスペクト比形体内に金属又は他のコーティング材料のコンフォーマルな膜を蒸着するための蒸着システム１００及びその作動方法が開示される。蒸着システムはプラズマを形成し蒸着システム１００に金属蒸気を導入するためのプラズマ源１２０及び分散型金属源１３０を備える。蒸着システムは一つのプラズマ密度を有するプラズマを形成し、一つの金属密度を有する金属蒸気を生成するように設計されており、基板近傍での金属密度対プラズマ密度の比は一以下である。基板の直径の略２０％の長さである基板１１４の表面からの距離内において、このような比となっている。実質的に基板表面に亘りプラスマイナス２５パーセント内でこの比は一様である。１０^１２ｃｍ^−３を越えるプラズマ密度に対してと、膜の最大の厚さが例えば形体の幅の１０パーセントといった形体の幅の半分以下であるナノスケール形体を有する基板上の薄膜蒸着に対して、この比は特に有効である。
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回転軸方向鍛造を用いてスパッタターゲットを作製する方法が記載される。当該鍛造工程の前及び／又は後に他の熱機械加工工程を用いることができる。特有の粒子サイズ及び／又は結晶構造を有することができるスパッタターゲットがさらに記載される。
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【課題】 従来技術の欠点を回避するべき、表面および表面近傍の固体領域のポリマー化合物である基体材料と他の材料との間の確り接合した複合体の提供。
【解決手段】 この課題は、表面および表面近傍の固体領域に僅かな活性表面エネルギーのポリマー化合物を有する基体材料と他の材料との接合複合体において、接合される物質（１，４）相互の間に、ナノ組織化されたナノ複合材料（５）を有する変移領域（６）が、該変移領域が２０ｎｍ〜２０μｍの層厚を有しそして専らナノ複合材料（５）で形成されており、該ナノ複合体は基体材料（１）と他の材料（４）で構成されそして基体材料（１）と他の材料（４）との割合が基体材料（１）の直ぐ近くの専ら基体材料から他の材料（４）の直ぐ近くの専ら他の材料に亙って変化するように形成されており、その結果基体材料（１）が他の材料（４）中でナノ組織化されて変移することを特徴とする、上記接合複合体によって解決される。
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本発明は、溶融金属に対する耐食性が改善されたセラミックス焼結体、その製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び長寿命化を達成できる金属蒸着用発熱体を提供することを課題とする。本発明は、窒化硼素、二硼化チタン、カルシウム化合物及び窒化チタンを含有してなる相対密度が９２％以上のセラミックス焼結体であり、カルシウム化合物がＣａＯ換算として０．０５〜０．８質量％、窒化チタンに由来する（２００）面のＸ線回折によるピーク強度が、ＢＮの（００２）面のピーク強度に対して０．０６〜０．１５であることを特徴とするセラミックス焼結体に関する。また、該セラミックス焼結体の製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び該セラミックス焼結体で構成された金属蒸着用発熱体も開示する。 （もっと読む）

本発明は、片面または両面に緻密で均一に分布した金属層（１、３）を備えた被膜付き高強度ステンレス鋼ストリップ（２）製品を提供する。上記金属層は、本質的に純粋な金、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、銀、錫、タングステン、またはこれらのうち２種以上の合金から成り、層厚さが１５μｍ以下であることが望ましく、層厚さの公差が±３０％以下であり、基材の鋼ストリップのＣｒ含有量が１０％以上、被膜付き鋼ストリップを単軸引張して破断させたときに金属層のピーリング、フレーキングなどが起きない程に金属層の密着性が良好である。この金属被膜付きストリップ製品は、接触面間の界面で導電性低下を起こさずに電流伝達できる荷重負担部材としての用途に適している。
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本発明は、無機又は有機の基材に強く付着している金属コーティングを製造する方法であって、（ａ）無機又は有機の基材上に、低温プラズマ処理、コロナ放電処理又は火炎処理を実施し；（ｂ）無機又は有機の基材に、１種類以上の光開始剤、又は少なくとも１つのエチレン性不飽和基を含んでいるモノマー若しくは／及びオリゴマーと光開始剤との混合物、或いは前記物質の溶液、懸濁液若しくは乳濁液を適用し；（ｃ）ステップ（ｂ）の層を場合により乾燥させ、そして、ステップ（ｂ）の層に電磁波を照射し；そして（ｄ）光開始剤でプレコーティングした基材に、気相から、金属、半金属又は金属酸化物を堆積させる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンが得ることが出来、かつ電気的信頼性に優れた、フィルム状積層体を提供する。
【解決手段】耐熱性重合体フィルムの少なくとも片面に、有機金属化合物のプラズマＣＶＤ層および導電体層が逐次形成されたことを特徴とするフィルム状積層体。 （もっと読む）

【課題】 バイアスされた基板支持体上に取りつけられたクランプされた基板の温度を制御する方法を提供する。
【解決手段】 基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも１５トルに維持される。高いガス圧が基板を横切って処理の厚さの均一性を改善する。スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。 （もっと読む）