ソフト・リソグラフィのパターン化工程によって基板（２４）上にパターン化された自己組織化単分子層（２０）を形成する方法であって、その方法は、ａ）前記パターン化された自己組織化単分子層（２０）の必要なパターンを画定するためのパターン化手段（１０）を提供すること、ｂ）前記基板（２４）の表面（２２）上に自己組織化単分子層（２０）を形成すること、ｃ）前記パターン化手段（１０）を前記基板（２４）の前記表面に適用することであって、前記パターン化手段（１０）が前記基板表面の選択された領域に修飾剤を送達するように配置され、前記選択された領域が前記必要なパターン又はそのネガに対応し、前記修飾剤が化学物質を含み、且つ前記選択された領域で、前記自己組織化単分子層（１０）の分子と前記基板（２４）の前記表面との間の相互作用の強さを変えるように配置されること、並びにｄ）ステップｃ）の後、その分子と前記基板の前記表面との間でより低い相互作用の強さを示す前記自己組織化単分子層（２０）の領域を選択的に除去又は置換し、それによって前記必要なパターンを有する自己組織化単分子層（２０）を形成することを含む。修飾剤は、工程の要求に応じて、自己組織化単分子層の分子と基板の最上面との間の相互作用の強さを弱める又は高めるように選択されてもよい。
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【課題】
本発明は、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルムと、そのようなフィルムの生産プロセスと、に関するものである。
【解決手段】
放射架橋性接着剤を備えた接着剤層はベースフィルム（６１）に塗布される。接着剤層はベースフィルムへパターン形状に塗布され、及び／または、接着剤層がパターン形状に構造化して硬化するようにパターン形状に放射線照射される。キャリアフィルムと電気的機能層とを備えたトランスファーフィルム（４１）が接着剤層に塗布される。キャリアフィルム（４１）は、ベースフィルム、接着剤層、及び電気的機能層を含むフィルム体から剥がされ、そこではパターン形状に構造化された第一領域では電気的機能層はベースフィルム（６１）に残り、パターン形状に構造化された第二領域では電気的機能層は前記キャリアフィルム（４５）に残り、ベースフィルム（６１）からキャリアフィルムとともに取り除かれる。

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マスクなし中規模材料デポジション（Maskless Mesoscale Material Deposition, M³D^TM）処理のための方法および装置が開示され、これはエアロゾルを作るのに好ましくは超音波トランスデューサまたは圧縮空気噴霧器（２２）を用い、このエアロゾルは流入口（２０）を経由してフローヘッド（１２）に入り、その際に随意的に、ガス量を低減するため事実上のインパクタ（２４）ならびに溶剤を除去するまたは粘度を調整するためヒータアセンブリ（１８）の両方を、あるいはそのいずれかを経由するようにしてもよい。機械的シャッター（２８）のついた材料シャッターアセンブリ（２６）が好ましくはフローヘッドの出口についており、鞘状のガスが流入口（１８）を通って入り、エアロゾルがフローヘッドから出る前にそれを囲む。熱に弱いターゲットの上のエアロゾルデポジット材料は好ましくはレーザモジュール（１０）からのビームで処理し、これによってそのターゲットを損傷閾値以上に加熱することなく、たとえば化学分解、焼結、重合などにより希望の状態を得るためにデポジットした材料を加熱する。１ミクロンの線幅の形状をデポジットすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高解像度構造を有する有機電子部品、特に低ソースドレーン間の距離を有する有機電界効果トランジスタ（OFET）及びその生産方法に関する。
【解決手段】有機電子部品は、生産中レーザーを用いて作られた凹部及び／又は修正された区域を有し、その中には、例えば、金属の導体トラック／電極が配置される。 （もっと読む）

集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、有機半導体、特に有機電界効果トランジスタ、との静電的相互作用を制御するための層（１０）を備える半導体部品に関するものである。上記半導体部品は、上記化合物が、ａ）基板と結合するために、少なくとも１つのアンカー基（１）を有する化合物を含み、ｂ）当該化合物は、少なくとも１対の自由電子対および／または双極子モーメントを有する少なくとも１つの基（２）をすることを特徴とする。さらに、本発明は、そのような化合物を含む層を形成させるための方法に関するものであり、当該方法によれば、特に、論理関数を付加的に補正（レベルシフト）しなくてもよいＯＦＥＴを製造することができる。
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集積回路（１００）の形成方法（９００）およびその構造体が提供される。半導体基板（１０２）上にゲート誘電体（１０４）が形成され、半導体基板（１０２）上のゲート誘電体（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（５０４／５０６）が形成される。ソース／ドレイン接合部（５０４／５０６）上に超均一シリサイド（６０４／６０８）が形成され、半導体基板（１０２）の上方に誘電体層（７０２）が堆積される。次いで、誘電体層（７０２）に、超均一シリサイド（６０４／６０８／６０６）へのコンタクトが形成される。
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【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）