【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第１電極層は、金属部と、複数の第１開口部と、第２開口部と、を有する。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられる。金属部の厚さは１０ナノメートル以上、２００ナノメートル以下である。複数の第１開口部は、円相当直径が１０ナノメートル以上、１マイクロメートル以下である。第２開口部は、円相当直径が１マイクロメートルを超え、３０マイクロメートル以下である。第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系の半導体からなる活性層上に、オーミック電極を形成する半導体トランジスタの製造方法であって、活性層３上に、タンタル窒化物からなる第１の層１１と、第１の層１１上に積層されたＡｌからなる第２の層１２とを形成する工程と、第１及び第２の層１１，１２を、５２０℃以上、６００℃以下の温度で熱処理することにより、活性層３とオーミックコンタクトをとるオーミック電極９ｓ，９ｄを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】局所的な電流集中を防止して均一な発光分布を得ることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた光反射性を有する反射電極と、反射電極上に設けられた発光層を含むAlGaInP系半導体膜と、半導体膜上に設けられた表面電極と、を含む。表面電極は、半導体膜上に分散配置された複数の電極片からなるオーミック電極を含む。反射電極は、オーミック電極を構成する電極片の各々を挟んだ両側において電極片に沿うように設けられた線状のライン電極および複数の島状のドット電極からなる。ライン電極とドット電極との距離をａ、オーミック電極とドット電極の水平距離をｂ、互いに隣接するドット電極間の距離をｃとしたときに、ｂ＞ａ且つ０．８（ａ^２＋２ａｂ）^１／２＜ｃ＜２．４（ａ^２＋２ａｂ）^１／２を満たすように表面電極および反射電極が配設される。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
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【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第４族元素、第５族元素、第６族元素、第１３族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を用いた薄膜トランジスタと画素電極とを含む層間に発生する応力を緩和することが可能で、これによりトランジスタ特性の劣化を防止して、表示特性および信頼性の向上が図られた表示装置を提供する。
【解決手段】有機半導体層を用いた薄膜トランジスタが配列形成された基板と、薄膜トランジスタを覆う状態で基板上に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられた画素電極とを備えたものである。特に、層間絶縁膜は、薄膜トランジスタよりも平面視的なサイズが小さい凹凸パターンからなる凹凸表面を有しており、この凹凸表面上に画素電極が設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 オーミック電極とバリアメタル層の密着強度を向上させる。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ１）半導体積層構造を準備する工程と、（ｂ１）前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、（ｃ１）前記オーミック電極層上にＡｕを含む接着層を成膜する工程と、（ｄ１）前記工程（ｃ１）から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第１層と第２層とを具備する光電子デバイスに関する。前記光電子デバイスは、前記第１層がフッ素含有基を有する電極材料を含み、前記第２層がフッ素含有基を有する高分子材料を含み、前記第１層と前記第２層のフッ素含有基の一部の間で接着性のフッ素−フッ素相互作用を生じることを特徴とする。本発明はさらに、本発明による光電子デバイスの使用および本発明による光電子デバイスの製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】再現性よく低いコンタクト抵抗を得られるオーミック電極を容易に製造できるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法は、準備工程と、成長工程と、電極形成工程とを備え、内部を真空に維持したチャンバ１５０内で、成長工程と電極形成工程とを連続して実施する。準備工程では、基板を準備する。成長工程では、基板上に、窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層を成長させる。電極形成工程では、半導体層に接触するようにオーミック電極を蒸着により形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に互いに特性が異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を、制御性高くかつ低コストで製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の半導体素子を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に熱輻射量または熱伝導量が互いに異なる複数の領域を有する加熱制御層を形成する加熱制御層形成工程と、前記加熱制御層を形成した基板を加熱する加熱工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明によるチップは、ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）と、半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）と、放射されたビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）とを有する。第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある半導体基体（４）の表面（９）を第１のコンタクト領域（５）に接続しており、表面（９）はビームを吸収するコンタクト構造を有していない。
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【課題】 接合面の剥離やひび割れなどの不良を防止し、最終的な半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】
支持基板と、支持基板上方に形成され、第１の接続層と第２の接続層とを含む複合接続層と、複合接続層上方に形成された拡散バリア層と、拡散バリア層上方に形成された半導体積層構造と、拡散バリア層と半導体積層構造との間に形成された反射性電極層とを有する半導体発光素子であって、第１の接続層、第２の接続層の少なくともいずれかは共晶材料から構成され、拡散バリア層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＷおよびＴｉＷのうち１つ以上の高融点金属材料もしくはそれらの合金からなる少なくとも一層の高融点金属層をＴａＮ層で挟んだ積層構造である半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法により電極・配線層を形成する化合物半導体素子において、メッキ液がバリアメタル層を物理的に通り抜けたり、エッチングして化合物半導体層に浸入し、発振不良や電気特性不良などの素子特性不良が生じることを抑制する。
【解決手段】スパッタリングによりバリアメタル層としてＭｏ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＷ層のいずれかを形成する際に、何れも、スパッタリング時の入力パワーが２０００Ｗ以上５０００Ｗ以下に設定することによって、スパッタリング時の入力パワーを１０００Ｗとした従来技術の場合に比べて、バリアメタル層１３の膜質を、従来技術のような多孔質ではなく、緻密な繊維状の多結晶膜とし、バリアメタル層１３の金属粒径を５０ｎｍ以下として金属粒径が半分以下に小さくする。 （もっと読む）

【課題】特に半導体ウエハの厚さが薄い場合、例えば１５０μｍ以下の場合においても、製造工程中における半導体ウエハの反りを低減して、製造工程中における半導体ウエハの割れを低減可能にする。
【解決手段】半導体素子の製造方法において、半導体基板１の一面側に第１の電極層３，４を厚さ（ｔ３＋ｔ４）が３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内となるように形成し、アニールを行った後、第１の電極層の表面上に第２の電極層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｌＰ系半導体を発光部に用いた半導体発光素子において、発光部で発光した光の取り出し効率を向上させ、加えて発光効率の向上を実現しうる発光素子を提供する。
【解決手段】導電性基板と、前記導電性基板の上に設けられた第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられた第二導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に設けられた第二導電型の半導体からなる電流拡散層とを備える構成とし、前記電流拡散層上のオーミック電極形状と、前記第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層下のオーミック配線電極部を同形状にし、また光取り出し面側の周辺部に設ける構成とした。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体層中に発生する電界分布を可能な限り広げることで、電流分布の偏りを低減し、光取出し効率が向上した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、複数の窒化ガリウム系化合物半導体層がエピタキシャル成長法により積層された直方体状の半導体積層体７を有するとともに、最上層の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された四角形状のｐ側導電層９と、窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去した露出部に形成された鉤状のｎ側導電層１１とが、半導体積層体７の同じ主面側に平面視で全体として一つの四角形状を成すように相補的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 電極形成工程の加工条件を変更せずに、上部金属電極剥がれの不良発生率を低減することが可能な半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 半導体基板上に、エピタキシャル成長法を用いて成長した半導体薄膜を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体エピタキシャルウェハ１００の表面である前記半導体薄膜の最表層の表面に、インジウム１０８を付着させた構造とする。 （もっと読む）