【課題】誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１０は、ソースオーミックコンタクト１２と、ドレインオーミックコンタクト１４、ゲートコンタクト１６、および活性領域１８を含む。（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体を用いたパワーダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー
半導体素子について、クラックフリーで形成されて従来よりも厚い窒化物化合物半導体層
を使用して耐圧を向上することである。
【解決手段】シリコン基板１上に厚さ１０μｍ以上の凸状に選択成長された窒化物化合物
半導体からなるキャリア移動層３と、キャリア移動層３上に形成された電極４とを有し、
１つのパワー半導体素子は１つのキャリア移動層３から構成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１Ｓの主面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ａとし、半導体基板１Ｓの裏面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂとする。本実施の形態１の特徴は、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成する点にある。このように、銅配線の形成工程の前に、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成することにより、半導体基板１Ｓの裏面から銅原子（銅化合物を含む）が拡散することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】低価格でオン抵抗が低いパワーデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本パワーデバイスは、金属製支持基板１０と、金属製支持基板１０の一方の主面１０ｍ側に順次形成されているＩＩＩ族窒化物導電層２０、ＩＩＩ族窒化物能動層３０および電極４０と、を含む。また、本パワーデバイスの製造方法は、金属製支持基板１０にＩＩＩ族窒化物導電層２０が接合された導電層接合金属製支持基板１２を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物導電層２０上にＩＩＩ族窒化物能動層３０を形成する工程と、ＩＩＩ族窒化物能動層３０上に電極４０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】濡れ性制御パターンとインクジェット印刷パターンとのアライメントを容易に高精度で合わせる配線パターンの形成方法を提供し、トランジスタ素子基板並びに表示装置を提供する。
【解決手段】濡れ性変化層に高表面エネルギーラインＬ１〜Ｌ５がピッチｑで配列されてなるアライメントマークＭを形成する工程と、ドットラインＤ３の目標着弾点の中心線が高表面エネルギーラインＬ３の中心線に一致するように、仮に設定された印刷開始位置からインクジェット法によりピッチｑとは異なる間隔の印刷ピッチｐでドットラインＤ１〜Ｄ５をテスト印刷するテスト印刷工程と、テスト印刷ラインごとの高表面エネルギーラインからのインクのはみ出し状態からドットラインとお互いの中心線が略一致する高表面エネルギーラインのライン配列における位置を検出する検出工程と、前記検出結果を基に、前記印刷開始位置を調整する印刷位置調整工程とを有する。 （もっと読む）