【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板５０上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、ゲート電極２０およびハードマスク３４を順に積層してなる積層体１０を形成する工程と、積層体１０をマスクとして、半導体基板５０にイオン注入を行う工程と、積層体１０の側面上に保護膜４４を形成する工程と、エッチングによりハードマスク３４を除去する工程と、エッチングにより保護膜４４を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作マージンの向上に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板上に、互いのゲート電極が接続されて配置される第１トランジスタ（Ｐ２）と、前記第１トランジスタと異なる導電型を有する第２トランジスタ（Ｎ４）とを具備し、前記第１トランジスタのゲート電極は、第１不純物と前記第１不純物の拡散を抑制する第２不純物とを含有し、前記第１不純物の濃度ピーク（ＰＥ１）は、前記第２不純物の濃度ピーク（ＰＥ２）よりも浅い位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入時のチャネリングを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 キャパシタを有する半導体装置の製造工程において、キャパシタの誘電膜となる絶縁膜とゲート電極上のチャネリング防止膜を同時に形成する。製造工程の簡略化および熱工程の削減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、アンドープのＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）を含む第１の半導体層３と、第１の半導体層３上に設けられ、アンドープもしくはｎ型のＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０≦Ｙ≦１、Ｘ＜Ｙ）を含み、第１の半導体層３よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層４と、第２の半導体層４上におけるソース電極５とドレイン電極６との間に設けられたゲート電極７とを備え、ゲート電極７下の第２の半導体層４中であって第１の半導体層３に達しない深さの部分に、第２の半導体層４中で負電荷を帯びる原子が添加されている。 （もっと読む）