【課題】虚報を多発させることなく，システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち，前準備として，少数の実画像101と対応する設計データ102から，特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a，106b），これと，欠陥座標が指定された教示データ103とから，正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には，検査対象の実画像104と，設計データ105から106a，106bと同様にして特徴量を算出し(108a，108b)，これらに対し，検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより，欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 （もっと読む）

【課題】暗視野式（散乱光検出式）半導体ウェハ検査においては、パターンの微細化と共に欠陥信号も微弱化し、かつ欠陥種類により散乱光の方向特性も異なるため、これらを有効に検出する必要がある。
【解決手段】平面内で移動可能なテーブルに載置した表面にパターンが形成された試料上の線状の領域に試料の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、この照明光が照射された試料から発生した散乱光の像を複数の方向で検出し、この散乱光の像を検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置において、散乱光の像を複数の方向で検出することを、光軸が前記テーブルの前記試料を載置する面の法線と前記照明光を照明する線状の領域の長手方向とが成す面に直交する同一平面内における異なる仰角方向でそれぞれ円形レンズの左右を切除した長円形レンズを介して検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】高感度検査や高精度計測を行うことが必要な部分領域を、効率的に決定する。
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A４２０の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B４２１を設置し，試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部４２３から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部６６によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A４２０の更に下部に帯電制御電極B４２１が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ９などの試料から放出された二次電子４０９の試料への戻り量を調整することが可能になり，高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】設計レイアウトに記録された情報を、直接、解析して、所望の領域を抽出し、この抽出方法を用いて検査レシピを生成し、効率的な検査を実現する。
【解決手段】設計レイアウトデータの階層情報を解析して、その内部データであるセル一つ一つが設計レイアウトデータ内での参照回数を計算して、参照回数の多い順に並び替えて、対象を探索し、その上位セルを追跡することによって、メモリマットなどの所望の回路モジュールの領域抽出を容易にする。 （もっと読む）

【課題】被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物２の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置１００である。マクロ検査装置１００は、被検査物２を乗せるためのステージ１と、被検査物２の表面に対して所定の角度方向から被検査物２側に光を照射する拡散光源５と、被検査物２の表面からの反射光を受光可能なラインセンサ９と、被検査物２とラインセンサ９との間に設けられ、反射光のうち拡散光源５のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ９の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサ９に導くための光学系と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第１のパターンと、チップ外領域に形成され第１のパターンとは異なる第２のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第１のパターンとの比較から第２のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第２のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 （もっと読む）

【課題】検査精度を向上させ、５〜３０ｎｍのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する１次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第１検出器を有する２次光学系と、前記第１検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第１検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第２検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】
ステップ・アンド・リピート式の高解像度ＳＥＭを用いて予め定められた危険点を検査し、危険点での欠陥発生頻度を統計的かつ信頼性を持って推定する半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】
デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定し、この指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ別に選択し、この選択した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像してこの検査点における欠陥を検出し、欠陥タイプ別に撮像した検査点の数に対する検出した欠陥の数の比である欠陥比率とこの欠陥比率の信頼区間を算出し、この算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間と予め設定した基準値とを比較し、この基準値を超える欠陥発生比率をもつ欠陥タイプを求める半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムとした。 （もっと読む）

【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している２つのパターンを抽出する。測定対象候補の２つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の２つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】高電子エネルギベースのオーバーレイ誤差測定方法及びシステムを提供する。
【解決手段】方法、システム、及びコンピュータ可読媒体を提供する。本方法は、被検物の第１の層の第１の区域を表す第１区域の情報を取得するか又は受け取る段階であって、被検物が、第１の層の下に埋め込まれて第２の区域を含む第２の層を更に含む段階と、第１の区域と相互作用するように１次電子ビームの電子を誘導する段階と、第２の区域と相互作用するように１次電子ビームの電子を誘導する段階と、第１及び第２の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、検出信号と第１区域の情報とに基づいて、第１区域の少なくとも１つの特徴部と第２区域の少なくとも１つの特徴部の間の少なくとも１つの空間関係を判断する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第１の欠陥検査処理（ステップＳ１１）を実行した後、その第１の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する（ステップＳ１２，Ｓ１３）。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第１の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】正確な検査を短時間で行うことができる欠陥検出装置、欠陥検出方法、及び欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】配線を有する試料３０に対して電荷を与えることで、与えられた電荷に応じて輝度が変化する画像を、試料３０の配線の方向における異なる箇所で取得する画像取得装置１０と、試料の画像から、欠陥箇所に対応する輝度の不連続点の位置を求める不連続点特定部２３と、複数枚の試料の画像中における輝度の不連続点の位置を比較して、複数枚の画像を取得した箇所の間に、欠陥が存在するか否かを判定する判定部２４と、を備える。 （もっと読む）