処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室内に流れるガスを分配するためのバッフル板アセンブリは、複数の開口を有する平坦なガス分配部分と；このガス分配部分を取り囲むフランジと；キャップ、及び前記ガス分配部分と熱接触しているステムを有して、前記ガス分配部分の中央に取り付けられる衝突装置とを含む。また、バッフル板アセンブリを用いるプラズマリアクターと、プラズマ内で種の再結合を減少させるための方法が開示されている。
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【解決手段】半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品は、基板と、その基板の上に少なくとも１つのイットリア含有コーティングとを含む。その部品は、セラミック材料の素地となり得るセラミック基板に第１イットリア含有コーティングを適用して製造される。そのコーティングされた素地は、焼結される。第１イットリア含有コーティングは、焼結により付着したイットリアのパーティクルを除去するように処理される。別の実施形態では、第２イットリア含有コーティングは、第１イットリア含有コーティングの上にサーマルスプレーされ、そのパーティクルを覆う。
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化学的酸化物処理（COR）のための処理システムが提供される。COR処理システムは、第１処理チャンバと第２処理チャンバを備えている。これらのチャンバは互いに接続されている。第１処理チャンバは、保護バリアを有する温度制御されたチャンバとされる化学処理チャンバを備えている。第2処理チャンバは、保護バリアを有する温度制御されたチャンバとされる熱処理チャンバを備えている。
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放電式オゾン発生器により生成されたＯ_３ガスに水蒸気が混合される。混合流体は、冷却手段により冷却され、これにより、Ｏ_３ガスに含まれていたメタルおよび窒素酸化物等の不純物が凝縮水中に溶け込む。次いで、気液分離器によりＯ_３ガスが凝縮水から分離される。Ｏ_３ガスに水蒸気が再度混合される。混合流体は、金属吸着材としての多数のシリコンチップを収容した容器からなるメタルトラップを通され、残存していたメタルが除去される。 （もっと読む）

温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してＲＦ電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
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チャンバ（２）内の略中央には、所定対象のウエハ（Ｗ）を載置するサセプタ（１６）と、サセプタ（１６）を支持する支持台（１５）が設置されている。処理ガス供給装置（４）は、ウエハ（Ｗ）を処理するための処理ガスをチャンバ（２）内に供給する。第１高周波電源（５）及び第２高周波電源（７）は、それぞれ所定の高周波電圧を印加することにより、供給された処理ガスのプラズマを生成してウエハ（Ｗ）を処理する。支持台（１５）及びサセプタ（１６）の周囲には、接地された導電部材（１８ａ）を有する堰（１８）が設けられており、これにより、生成されたプラズマがサセプタ（１６）に載置されたウエハ（Ｗ）上の領域に封じ込められる。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）

【課題】 改良された電極板に対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システム内で電極（２８）に結合されるように構成された電極板（２６）は、ガス注入デバイス（１１０）を受けるように構成された複数のガス注入穴（１００）を有している。電極板は、３つ以上の取付け穴（１４０）を有し、この電極板は、電極に取り付けられた３本以上の取付ねじで３つ以上の取付け穴を位置合わせし、および結合することによってプラズマ処理システム内で電極と結合されるように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理装置の炭化シリコン部品、その部品の製造方法、半導体基板を処理してその基板のパーティクル汚染を減少させるようにする処理におけるその部品の使用方法が提供される。その炭化シリコン部品は、内部に遊離炭素を生成させるようなプロセスにより製造される。その炭化シリコン部品は、少なくとも表面からその遊離炭素が除去されるように処理される。
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【課題】 改良されたフォーカスリングに対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システム内で基板ホルダに組み合わせるように構成されたフォーカスリングアセンブリは、フォーカスリングの寿命を決定する１つ以上の消耗インジケータを有するフォーカスリングを具備し、そこにおいて、このフォーカスリングを基板ホルダに組み合わさせることは、プラズマ処理システムのフォーカスリングの自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたリングをセンタリングすることは、フォーカスリング上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。 （もっと読む）

基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
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いくつかの周波数でプラズマを励起し、それによってそのいくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物が真空プラズマ処理チャンバ内のプラズマで処理される。チャンバは、ＲＦによって電力供給され、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成によって基準電位に接続される中央の頂部電極および底部電極ならびに周辺の頂部および／または底部電極構成を含む。
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プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

プラズマ処理装置に用いられる基板支持体であって、金属熱伝達部材と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャックと、を備える。前記熱伝達部材は、当該熱伝達部材に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を含む。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却されうる。
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本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材（５０，１５０〜１５６）を提供する。処理部材は、主要部材（１８２，２００，２０２，２３０）と、少なくとも１つの着脱可能部材（１８４，２０８，２３２）と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト（２１０，２１４，２１６）を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
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低ｋ誘電体を含む基板から有機材料を取り除くためのプラズマアッシング装置は、第１ガス源と、この第１ガス源に流体連通するプラズマ発生コンポーネントと、前記プラズマ発生コンポーネントと流体連通し、第２ガス源のための入口を有する排気導管と、前記排気導管に結合され、前記入口が処理室とアフターバーナーアセンブリの中間に配置されるアフターバーナーアセンブリと、前記排気導管に結合し、アフターバーナーアセンブリのプラズマ放電領域内に焦点合わせされる集束光学系を含む光学検出システムとを含む。酸素と窒素を含有しないプラズマ処理のためのエンドポイント検出方法が、プラズマアッシング装置の排気導管内で励起した種をアフターバーナーの工学的放出信号を監視することを含んでいる。この方法と装置は、炭素および／または水素を有する低ｋ誘電体材料を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料で使用するための、酸素および窒素を含有しないプラズマを生成する装置および処理方法の改善すること。
【解決手段】軸流ダウンストリーム型プラズマ装置１０は、配ガス部１２、プラズマ生成部１４、処理チャンバー１６、および排気アンセブリー１８からなる。処理チャンバー１６は、その入口付近にバッフル板アセンブリーを含み、バッフル板アセンブリーは、略平板状の下側バッフル板１０４および下側バッフル板１０４の上方に固定された略平板状の上側バッフル板１０２を含んでおり、下側バッフル板１０２は、中心軸回りに半径方向に配置された複数の開口部を含むと共に、複数の開口部それぞれの寸法は、下側バッフル板の中心軸から外縁部へと増大し、かつ、バッフル板アセンブリーは、基板１１０に対して略平行に配置されている。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。
【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持体２を備える。基板保持体２は、被処理基板Ｗを載置するリング状載置部１２を有する回転体１０と、回転体１０内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Ｗを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部５０とを有する。被処理基板Ｗを所定の温度に昇温させる際は、回転体１０に対して上昇させたヒータ部５０に被処理基板Ｗを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Ｗを成膜処理する際には、回転体１０に対して下降させたヒータ部５０から被処理基板Ｗを離間させるとともに、リング状載置部１２に被処理基板Ｗを保持させた状態で、載置部１２に保持した被処理基板Ｗをヒータ部５０に対して相対的に回転させることにより被処理基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）