【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法によって作製したデバイスを提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。作製されたデバイスは端面が成長によるファセットで形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスにおける化合物半導体などの損傷を防止して製品歩留まりを向上させることができ、製造コストの増大を抑止して安価かつ高輝度の発光体を実現できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の製造方法では、まず、コア基板１上にアルミニウム層を設け、これを陽極酸化して多数のナノホールを有するアルミナ層を形成する。このアルミナ層及びナノホールの内部に、ｎ型ＧａＮなどの化合物半導体を結晶成長させてｎ型ＧａＮ層６を堆積させる。その後、アルミナ層を酸で溶解して除去することにより、空隙Ｋが画成され、コア基板１とｎ型ＧａＮ層とが、空隙Ｋ以外の部位で非常に小さい面積で接合された構造が生起される。それから、コア基板１を通してレーザ光Ｌをｎ型ＧａＮ層６に照射してレーザ・リフト・オフによって、コア基板１からｎ型ＧａＮ層を剥離する。 （もっと読む）

【課題】低欠陥密度を有するエピタキシャル基材構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基層２；複数の集中した欠陥群３１およびこの集中した欠陥群３１に対応する位置に複数の第１のリセス３２を有しているエピタキシャル表面３０有する第１のエピタキシャル層３（この第１のリセス３２の大きさはそれぞれ近似している）；ならびに第１のリセス３２をそれぞれ充填しており、また磨かれた表面４１を有している複数の欠陥停止ブロック４を含む、低欠陥密度を有するエピタキシャル構造。この欠陥停止ブロック４は除去速度が第１のエピタキシャル層３のものとは異なる物質で作られている。この磨かれた表面４１は実質的にエピタキシャル表面３０と実質的に同一平面であるので、この第１のエピタキシャル層３は実質的に平坦化された結晶成長表面を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体層を構成する材料と異なる材料からなる基板を用い、この上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する工程を有し、得られる半導体発光層の発光波長分布σを小さくすることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、基板上に少なくとも１つの化合物半導体層を成膜し、反り量Ｈが５０μｍ≦Ｈ≦２５０μｍの範囲である化合物半導体基板を形成する化合物半導体基板形成工程と、形成された前記化合物半導体基板上に複数のＩＩＩ族化合物半導体層からなる発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ターゲット基板上に少なくとも部分的に弛緩された歪み物質を形成するための方法において、中間基板上の歪み物質層からアイランドを形成し、第１の熱処理により前記歪み物質アイランドを少なくとも部分的に弛緩し、前記少なくとも部分的に弛緩された歪み物質アイランドを前記ターゲット基板へと転写する、という順次行われるステップを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 格子の差異により生じる膜層品質不良の問題を解決でき、また発光ダイオードにおいてサファイア基板とその上に成長されるIII族窒化物間の格子不整合により発生する応力に起因する亀裂の問題の解決に利用できる、半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、基板を提供し、前記基板表面にフォトリソグラフィエッチングまたはレーザーエッチングの方式で複数本の溝部を形成し、この複数本の溝部が前記基板表面を複数個のメサ構造（ｍｅｓａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に分割し、かつ前記基板をパターン化基板とする、及び半導体素子（例：光電素子または発光ダイオード）を前記パターン化基板表面に成長させる、という手順を含み、前記半導体素子は少なくとも１層の膜層を備え、前記パターン化基板と接触する第一膜層が複数本の溝部により複数個の相互に連続しない区域に分割される。 （もっと読む）

【課題】光取出し率が高い発光ダイオード素子の製造方法の提供。
【解決手段】エピタキシャル方式とエッチング方式を結合して、発光ダイオードエピタキシャル層を底部よりエッチングし、側面に外向きに突出する構造を形成し、発光ダイオードエピタキシャル層構造を側面視において非矩形として斜面を具備するものとなし、発光ダイオード素子界面の全反射の現象を改善し、発光ダイオードの光取出し率を高める。且つ本発明は製造方法が簡単で、生産コストが低く、産業上の大量生産に適合する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高める発光ダイオード及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】発光ダイオードの基材上には、順序に基づいて緩衝層、第一型エピタキシー層、発光層、及び第二型エピタキシー層を設け、該第二型エピタキシー層表面は、粗化処理を施して粗化表面を形成し、該粗化処理とは、粒径の大きさが同等の球体を第二型エピタキシー層の表面に敷いた後、ドライエッチングによって球体を除去するものであり、その第二型エピタキシー層には、複数の周期性配列を持つ凹槽を形成し、該凹槽によって、全反射して射出不可能な光線を更に反射し、不規則な変化をする光線走行方向によって、光線は、一回もしくは数回全反射した後、発光ダイオード外部に射出され、最良の光線射出効率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】太陽エネルギー素子と発光素子を有するモノリシックフォトチップとその製作方法を提供する。
【解決手段】選択領域成長方法により製作される太陽エネルギー素子と発光素子を有するモノリシックフォトチップは、構造が簡単で、小尺寸、及び、低コスト等の長所がある。また、モノリシックフォトチップと充電池を有する太陽電池型照明器は、尺寸が小さく、精巧で、構造が簡単、組み立てが容易、及び、低コストであるという長所がある。よって、本発明の太陽電池型照明器は、レーザーポインター、レーザーサイト、レーザー照準装置、レーザー準位、及び、レーザー測量ツール等のレーザーダイオード応用領域、或いは、装飾ランプ、庭園ランプ、花壇ランプ、広告ランプ、街灯、道路警告ランプ、道路標示ランプ等の発光ダイオード応用領域等、各種領域に幅広く応用できる。 （もっと読む）

【課題】熱放出効率が高く、単結晶の成長状態が良好な埋め込み層を備えた半導体レーザーダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１クラッド層と、第１クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、その上部にストライプ状のリッジ部が形成された第２クラッド層と、リッジ部の上面を除外した第２クラッド層の上部で成長し、ＡｌＧａＩｎＮから形成された埋め込み層と、を備えることを特徴とする半導体レーザーダイオード及びその製造方法によって上記課題は解決される。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を含む半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、（ａ）基板上２１に第１半導体層２２を形成させるステップと、（ｂ）前記第１半導体層２２上に物質層を形成させ、熱処理して物質層の物質を前記第１半導体層２２内に浸透させて前記第１半導体層２２を凹凸構造に形成させるステップと、（ｃ）前記第１半導体層２２上に第２半導体層２４を形成させるステップと、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。
【解決手段】 半導体薄膜３０４−３０８と、基板１０１上に設けた金属層１０２とを有する。この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。金属層は、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕからなる群のうちの１つを含む。金属の表面にＰｄ層とＮｉ層のうちのいずれか１つを備える。 （もっと読む）

本発明は、それぞれが少なくとも1つの動作可能な面を備える各光デバイスの機能性を拡張する方法に関する。この方法は、上記の動作可能な各面のそれぞれの位置を揃えて1つの複合面を形成するようにこの光デバイスを積み重ねることと、複製を受け入れるように構成された膜を上記複合面に被覆することと、この加えられた膜にナノ構造のパターンを複製することとを含んでいる。実質上、動作可能な各面のそれぞれの面が十分な分の上記複製されたナノ構造パターンで複製されて、上記ナノ構造に伴うある機能を遂行することによりデバイスの動作を拡張する。
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加速領域、光放射および吸収レイヤー、および任意のエネルギーろ過領域から成る活性レイヤーを持ったサブ１００ｎｍＣＭＯＳを含む、ＣＭＯＳをモノリシックに集積した光素子を開示する。光放射または吸収はバルクシリコン、バルク・ゲルマニウム、厚膜ＳＯＩ、薄膜ＳＯＩ、薄膜ＧＯＩなどの、基板の既定のＣＭＯＳ活性領域上に置かれたフィルムに対する印加電圧によって制御される。
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支持体部材(2)に配置されたエピタキシャル層列(6)と、反射層(3)を有する薄膜発光ダイオード(5)であって、前記エピタキシャル層列は電磁放射を形成するアクティブゾーン(8)を有しており、前記反射層(3)は前記支持体部材(2)に向いた側のエピタキシャル層列(6)の主面に配置されており、エピタキシャル層列(6)で形成された電磁放射の少なくとも一部を当該エピタキシャル層列に反射する形式の薄膜発光ダイオードにおいて、支持体部材(2)とは反対の側のエピタキシャル層列(6)の放射出力結合面(7)に構造化層(1)が配置されており、該構造化層はガラス材料を含み、さらに該構造化層は放射出力結合面(7)から離れる方向に先細であり、かつ並置された構造化部を有しており、該構造化部はエピタキシャル層列(6)から発する電磁放射の波長よりも小さい側方ラスタを有することを特徴とする薄膜発光ダイオード。構造化層(1)は有利にはスピン-オン-ガラスとして被着され、グレースケールリソグラフによって構造化される。
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