【課題】接合部分の導電性に優れ、かつ、高温耐性にも優れた電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス転移温度と結晶化温度を有し、かつアモルファス組織を有する合金３１を半導体チップ１１と配線層１４との間に配置して、これらを加圧しつつ、合金３１をガラス転移温度から結晶化温度までの間の温度に加熱して半導体チップ１１と配線層１４接合する。その後これらを接合したものをさらに結晶化温度以上に加熱することで合金３１を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ／絶縁基板間の半田接合について、その半田接合層に発生する熱劣化を抑制して長期信頼性の向上を図る。
【解決手段】絶縁基板２の 銅回路パターン２ｂ上に半導体チップ３を半田マウントした半導体装置において、半導体チップ／銅回路パターン間の半田接合面域Ａを半導体チップの中央部下に対応する中央面部Ｂと、該中央面部を取り囲む外周面部Ｃとに二分した上で、その中央面部にはＳｎをベースとする半田組成にＳｂを添加したＳｎ−Ｓｂ系の鉛フリー半田８（第１の鉛フリー半田）を適用して接合し、外周面部にはＳｎをベースとする半田組成にＡｇ，Ｃｕなどを添加した鉛フリー半田９（第２の鉛フリー半田）を適用して接合するものとし、絶縁基板の銅回路パターン上に前記の鉛フリー半田を載せ、その上に半導体チップを重ね合わせた状態で、Ｓｎ−Ｓｂ系鉛フリー半田の融点以上の温度に加熱して中央，外周面部を同じ工程で同時に半田接合する。 （もっと読む）