Fターム[5F073GA32]の内容
Fターム[5F073GA32]の下位に属するFターム
過大電流検知回路
サージ除去回路
Fターム[5F073GA32]に分類される特許
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半導体発光装置
【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード2をリードフレーム10のマウント部10aに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子1を上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子1とツェナーダイオード2のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるp側とn側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子1とツェナーダイオード2にバンプを1個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。
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