Fターム[5F082AA08]の内容
Fターム[5F082AA08]に分類される特許
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電源システム抑止方法ならびにその装置および構造
電源制御装置システム(25)は、電源制御装置システム(25)のスタートアップ動作を制御するために2つの別個の電流を使用する。2つの電流は、電源制御装置システム(25)の動作を抑止するために接地に分流され、2つの電流のうちの1つは電力消散を最小限にするためにディセーブルにされる。2つの独立した制御電流は、2つの別個の制御信号(23、24)に応答して、マルチ出力電流高電圧装置(12)によって生成される。
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半導体装置
【課題】 半導体基板上のパターン密度の疎密によるトランジスタ特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 半導体基板1上の正規のPoly−R12等の回路素子に加えて、回路素子のパターン密度が均一になるように、半導体チップ内のほぼ全面にわたって、ダミーの機能素子となるPoly−R12aのパターンを配置する。さらに、このダミー用のPoly−R12aを、アルミ被りによる抵抗値の変動を抑制するためにLP−SiN膜17に覆われた構造とし、アルミ配線による抵抗値の変動を抑えるとともに、パターン密度の疎密による抵抗値、トランジスタ特性の変動を低減する。これにより、パターン密度の疎密によるトランジスタ特性のばらつきをなくし、さらに、アルミ被りによるPoly−Rへの影響や、赤外線吸収の素子疎密によるウェーハ内温度差を抑制する。
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