【課題】放熱性を向上させ、整流素子の熱疲労寿命の低下を防止することができる整流装置を提供すること。
【解決手段】放熱フィン５３に形成された取付孔５６に半導体装置としての整流素子５５が圧入される整流装置であって、整流素子５５は、半導体チップと、半導体チップが底面に半田付けされる凹部を有し、円筒状の外周面５０２がローレット形状を有するディスク部５００とを備え、円筒状の外周面５０２は、打ち込み開始側の外径Ｄ１が反打ち込み側の外径Ｄ２よりも小である。 （もっと読む）

【課題】
相電圧の欠相時でも、整流動作が可能なＭＯＳ整流装置，ＭＯＳ整流装置の駆動方法及びそれを用いた電動車両を提供することにある。
【解決手段】
Ｖ相上アーム欠相検知回路１４２Ｕは、Ｖ相の相電圧がバッテリの正極電位より高い場合に、Ｕ相の下アームＭＯＳＦＥＴ１１１の導通を許可する許可信号を出力する。Ｕ相下アームドライバ回路１３１は、この許可信号で、Ｕ相下アームＭＯＳＦＥＴ１１１を駆動する。Ｖ相下アーム欠相検知回路１４２Ｌは、Ｖ相の相電圧がバッテリの負極電位より低い場合に、Ｕ相の上アームＭＯＳＦＥＴ１０１の導通を許可する許可信号を出力する。Ｕ相上アームドライバ回路１２１は、この許可信号で、Ｕ相上アームＭＯＳＦＥＴ１０１を駆動する。 （もっと読む）