【課題】不揮発性の半導体ディスクの寿命を監視する半導体ディスク寿命監視装置を提供する。
【解決手段】半導体ディスク５−１〜５−Ｋの書込み制御を行うファイルシステム３と、当該ファイルシステム３と前記半導体ディスク５−１〜５−Ｋを接続するインタフェースドライバ４を備え、当該インタフェースドライバ４により書込みが行われる半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置１であって、前記ファイルシステム３からの書込みを書込情報として測定する測定部７と、前記測定結果を累積し第１の保存データ３２として保存する保存部８と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの劣化度を正確に検出することができる不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法を提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置の動作方法は、コントローラから出力されたブロックアドレスとイレース命令とを受信する段階と、ブロックアドレスに相応するブロックに対して、イレース命令によって行われるイレース動作が完了するまで、イレース動作に関連したパラメータ値を変更する段階と、最後に変更されたパラメータ値に相応する情報を保存する段階と、コントローラから出力された命令によって、情報をコントローラに伝送する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤフラッシュメモリの劣化早期検知を提供する。
【解決手段】読み込み動作中にＮＡＮＤフラッシュメモリセルの組（例：ページ）の閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散を測定することによりＮＡＮＤフラッシュメモリの低下を早期検知する技術を記述する。本発明の実施形態において、メモリセルの読み込み動作の完了時間（ＴＴＣ）値を閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散の代替値として用いる。分散アナライザがＴＴＣ値の組の分散を判定する。一実施形態において、ＴＴＣの最大値と最小値の差分を分散測定値として用いる。測定されたＴＴＣの分散が、選択された量より大きく基準分散値から異なる場合、メモリの当該ページが劣化したことを示す警告信号が出力される。警告信号を用いて、データを新規ページに移動させる等の適切な措置をとることができる。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリの信頼性の向上、長寿命化及び書き込み速度の高速化を可能とする。
【解決手段】 書き込みデータを、予め保持された複数の関数によって論理演算し、それぞれの論理演算結果である論理演算値と、論理演算値を基に対応する最適度をそれぞれ算出する書き込み用演算装置１２と、論理演算値を格納する一時メモリ１３と、複数の最適度の中から最も大きい最適度である最大最適度を選択し、最大最適度に対応した書き込み用演算装置１２が保持する関数を特定する条件判定結果の情報である関数選択フラグを生成する比較器１４と、複数の一時メモリ１３の中から、最大最適度に対応する論理演算値が格納された一時メモリ１３を選択し、論理演算値を取得するセレクタ１５と、比較器１４が出力する最大最適度に対応した関数選択フラグとセレクタ１５が出力する最大最適度に対応した論理演算値を格納するメモリセルアレイ１６とを備える。 （もっと読む）