【課題】不要にリフレッシュ周期が変更されることによる無駄な消費電流を削減する。
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第１の半導体チップは第１の温度センサを有し、第１の半導体チップとは異なる第２の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第１の半導体チップの第１の温度センサの出力結果に応じて第２の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードにエントリしている期間中においてもデータ端子のインピーダンス制御を可能とする。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、インピーダンス制御信号ＯＤＴを受信する入力バッファ回路７２をセルフリフレッシュモード中においても常時活性化させるとともに、セルフリフレッシュモード中においては、内部クロック信号ＩＣＬＫ０に同期してインピーダンス制御信号ＩＯＤＴ０をラッチするラッチ回路８４をバイパスさせる。これにより、外部クロック信号ＣＫを使用することなく、セルフリフレッシュモード中におけるインピーダンス制御信号ＯＤＴの入力が可能となる。 （もっと読む）

【課題】モノランクとマルチランクとに互換可能なメモリ装置を提供する。
【解決手段】モノランクとマルチランクとに互換可能なメモリ装置に係り、該メモリ装置は、多数層のメモリレイヤを積層し、該メモリ装置は、チップ識別信号及びモノランクまたはマルチランクを決定するモード信号に応答し、アドレス信号またはチップ選択信号を受信し、多数層のメモリレイヤは、アドレス信号によってアクセスされるモノランクで動作するか、あるいはチップ選択信号によってアクセスされるマルチランクで動作する。 （もっと読む）

【課題】積層型の半導体装置においていずれかのバンクがアクティブ状態であるか否かを判定する。
【解決手段】バンクアドレス信号ＢＡ及びアクティブ信号ＡＣＴ０を出力するインターフェースチップＩＦと、インターフェースチップＩＦに積層され、それぞれ対応するバンクアドレス信号ＢＡ及びアクティブ信号ＡＣＴ０を受けて独立にアクティブ状態となる複数のメモリバンクを備えるコアチップＣＣ０〜ＣＣ７とを備える。コアチップＣＣ０〜ＣＣ７は、其々に含まれる複数のメモリバンクの少なくとも１つがアクティブ状態であるか否かを示すローカルバンクアクティブ信号ＭＣＩＤＴをインターフェースチップＩＦに其々出力し、インターフェースチップＩＦは、ローカルバンクアクティブ信号ＭＣＩＤＴの少なくとも１つが活性状態を示すときにバンクアクティブ信号ＰＭＣＩＴを活性化させる。 （もっと読む）

【課題】複数のランクに分類された積層型の半導体装置において、異なるランクに対して連続アクセスされた場合のデータの衝突を防止する。
【解決手段】ライトデータを伝送する貫通電極ＴＳＶＷとリードデータを伝送する貫通電極ＴＳＶＲとをそれぞれ有する互いに積層された複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、これらコアチップＣＣ０〜ＣＣ７に共通接続されたインターフェースチップＩＦとを備える。インターフェースチップＩＦは、データ入出力端子１６と、データ入出力端子と貫通電極ＴＳＶＷとの間に設けられた５２入力バッファと、データ入出力端子１６と貫通電極ＴＳＶＲの間に設けられた出力バッファ５１とを有する。本発明によれば、ライトデータとリードデータを互いに異なる貫通電極を介して伝送していることから、異なるランクに対して連続アクセスされた場合であってもデータの衝突が生じない。 （もっと読む）

【課題】チップの入出力構成が異なる場合でも、高い順応性を有し、異なる仕様を構成可能な半導体デバイスを提供する。
【解決手段】内部回路と、内部回路とデバイスの外部とでデータ、アドレス、コマンドまたは電圧の入力、出力または入出力を行う複数の入出力端子３１と、複数の入出力端子３１の各経路を内部回路の各々が接続された複数の内部経路に選択的に接続させるセレクタ５０と、セレクタ５０を制御して、データ、アドレス、コマンドまたは電圧と端子との対応関係を変更する経路制御回路（経路選択信号発生回路７０）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのアクセス時間とＳＤＲＡＭのアクセス時間との整合を図り、大容量フラッシュメモリを含むメモリモジュールとコントローラを提供する。
【解決手段】フラッシュメモリと、ＳＤＲＡＭと、フラッシュメモリ及びＳＤＲＡＭの夫々のアクセスを制御し、外部からのストア命令に従って、ＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送するための制御回路とそれに結合された複数の入出力端子を含む。制御回路は、ストア命令に従ってＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送している間に、ＳＤＲＡＭからのデータ読出し命令が入力された場合において、そのデータ転送を中断し、読み出し命令に従ってＳＤＲＡＭに記憶されるデータを外部に出力するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】メモリの単位メガバイト当たり製造コストを、単にモノリシック回路集積法で慣用的に製造される回路の数分の一に低減させる。
【解決手段】各層が別々に最適化されるように、別々の層（１０３）上へのメモリ回路（１０３）および制御論理回路（１０１）の物理的分離が可能な三次元（３ＤＳ）メモリ（１００）。幾つかのメモリ回路（１０３）について１つの制御論理回路（１０１）で十分であり、コストを低減できる。３ＤＳメモリ（１００）の製造は、メモリ回路（１０３）を５０μｍ以下の厚さに薄肉化する工程と、該メモリ回路を、ウェーハ基板形態のまま回路積層体に接合する工程とを有する。微粒子の高密度層間垂直バス相互接続部（１０５）が使用されている。３ＤＳメモリ（１００）製造方法は、幾つかの性能および物理的サイズ効率を可能にしかつ確立された半導体加工技術により実施される。 （もっと読む）

【課題】ＤＤＰ構造の半導体モジュールにおいて、上下のメモリのいずれにおいても、基板との間の信号経路を、ＤＱ信号とＤＱＳ信号とで等長にすること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、×Ｎ動作から×Ｍ（Ｍ＝Ｎ／２）動作への切替を指示する信号が入力される入力端子と、偶数番目のＤＱピンまたは奇数番目のＤＱピンを指示する切替信号が入力される入力端子と、ＤＱＳピンからＤＱＳ信号が供給されると、供給されたＤＱＳ信号にしたがって、対応するＤＱピンを介してＤＱ信号を入出力するＮ個のＤＱ制御回路と、×Ｍ動作時に、偶数番目のＤＱピンが指示された場合、偶数番目のＤＱピンに対応するＤＱ制御回路にＤＱＳ信号を供給する第１のＤＱＳ制御回路と、×Ｍ動作時に、奇数番目のＤＱピンが指示された場合、奇数番目のＤＱピンに対応するＤＱ制御回路にＤＱＳ信号を供給する第２のＤＱＳ制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能及び低電力が要求される多様な装置及びシステムを支援できる、マルチチャネルインタフェース方式のワイド入出力を有する半導体メモリ装置及びそれを含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体メモリ装置は、複数のメモリセルアレイを含む半導体ダイからなり、半導体ダイの中央部に形成される入出力バンプパッド部を含む。入出力バンプパッド部は、前記それぞれのメモリセルアレイを外部装置と独立的に接続するための複数のチャネルを提供する。マルチチャネル方式のワイド入出力インタフェースを通じて動作周波数の減少及びバンド幅の拡張を図ることによって、高性能の装置及びシステムを支援すると同時に電力消耗を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体メモリのデータ端子を任意に選択可能にし、１つの半導体メモリを様々な端子仕様のコントローラに接続する。
【解決手段】 半導体メモリは、複数のデータ端子と、データ端子にそれぞれ対応して設けられ、対応するデータ端子に供給されるデータを保持するメモリセルを含み、第１許可禁止信号にそれぞれ応じて動作が許可または禁止される複数の内部回路と、設定期間にデータ端子にそれぞれ供給される論理を許可レベルまたは禁止レベルとしてそれぞれ保持し、第１許可禁止信号として出力するレジスタとを有している。 （もっと読む）

【課題】積層された複数の半導体チップ間で貫通電極切替情報を共有する。
【解決手段】複数の半導体チップ間でデータ転送を行うための複数の貫通電極を互いに共有した積層型半導体装置であって、複数の半導体チップに含まれる第１の半導体チップＩＦは、複数の貫通電極のうちデータ転送を行う貫通電極を指定する貫通電極切替情報ＳＷを保持し、複数の半導体チップに含まれる第２の半導体チップＣＣ０〜ＣＣ７に貫通電極切替情報ＳＷを転送する。本発明によれば、貫通電極切替情報ＳＷが第１の半導体チップＩＦから第２の半導体チップＣＣ０〜ＣＣ７に転送されることから、第２の半導体チップには貫通電極切替情報ＳＷを不揮発的に記憶する回路を設ける必要がない。これにより、第２の半導体チップのチップ面積を縮小することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数のコアチップから出力されるリードデータをインターフェースチップにおいて正しく取り込む。
【解決手段】コアチップＣＣ０〜ＣＣ７は、パラレルデータの出力に同期したタイミング信号ＤＲＡＯＩＦをインターフェースチップＩＦに出力するタイミング制御回路１００を含み、インターフェースチップＩＦは、タイミング信号ＤＲＡＯＩＦに同期してパラレルデータを取り込むデータ入力回路２５ｉを含む。これにより、パラレルデータの出力タイミングと、パラレルデータの取り込みタイミングがいずれもコアチップによって生成されるタイミング信号に同期することから、各コアチップとインターフェースチップとの間に動作速度差がある場合であっても、インターフェースチップ側においてパラレルデータを正しく取り込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数のコアチップから出力されるリードデータをインターフェースチップにおいて正しく取り込む。
【解決手段】複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７は、リードコマンドに応答してインターフェースチップＩＦにリードデータを出力するデータ出力回路５４ｏと、リードコマンドを受け付けてからデータ出力回路５４ｏによってリードデータが出力されるまでの時間を調整する出力タイミング調整回路４００とをそれぞれ含む。インターフェースチップＩＦは、リードデータを取り込むデータ入力回路２５ｉと、リードコマンドを発行した後、データ入力回路２５ｉによるリードデータの取り込み許可タイミングを調整する入力タイミング調整回路７００とを含む。これにより、インターフェースチップ側におけるリードデータのラッチマージンを十分に確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】センスアンプ接地電位の変動で発生するノイズによる誤動作を防いだ半導体装置を提供する。
【解決手段】センスアンプに接地電位を供給するための電極パッドであるセンスアンプ接地電位用パッドと、センスアンプ接地電位用パッドに接続された第１の導電線と、パッド列に含まれる複数の電極パッドのうち、センスアンプ接地電位用パッドとの距離が最も近い電極パッドに接続された第２の導電線と、を有し、第２の導電線がパッド列を基準にして第１の導電線とは反対側に延びている構成である。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板上におけるカップリングノイズを低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のデータ入出力パッド、第１の電源パッド、第２のデータ入出力パッド及び第２の電源パッドがこの順にＸ方向に配列されたパッド群Ｐを複数備える。第１及び第２のデータ入出力パッドはそれぞれ第１及び第２のデータ入出力バッファに接続され、第１の電源パッドは第１及び第２のデータ入出力バッファに第１の電源電位を供給し、第２の電源パッドは第１及び第２のデータ入出力バッファに第２の電源電位を供給する。各パッド群Ｐに含まれる第１のデータ入出力パッドは、他のパッド群に含まれる第２の電源パッド又はいずれのパッド群にも含まれない複数の電源パッドのいずれかと隣接している。これにより、パッケージ基板上におけるカップリングノイズを防止しつつ、パッド総数の増加を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マイコンシステムにおいて制御しやすいロジック内蔵ＤＲＡＭを提供する。
【解決手段】インタフェース部２は、アドレス信号ＡＤＤ．で指定される領域が、ロジック制御領域である場合には、ＤＲＡＭ４とデータを授受する代わりに、レジスタ６とデータ授受を行なう。その際のデータ信号ＤＡＴＡは、レジスタ６に保持されるロジック回路８に対する制御コマンドや、処理のための入力データである。レジスタ６の保持内容に応じて、ロジック回路８は、たとえば、暗号処理や、画像処理等の、マイコンでは時間を要してしまう処理を実行する。処理結果はレジスタ６に保存され、ＤＲＡＭに対する読出と同様のシーケンスで読出される。 （もっと読む）

メモリシステムおよび方法は、互いに、および論理ダイに結合された積層メモリデバイスダイスを用いる。論理ダイは、論理ダイがメモリデバイスダイスの各々から、読み出しデータ信号などの信号を受信するタイミングを制御するように動作可能であるタイミング補正システムを含み得る。タイミング補正は、メモリデバイスダイスの各々に適用される、読み出しストロボ信号のようなそれぞれのストロボ信号のタイミングを調整することによって、読み出しデータまたは他の信号のタイミングを制御する。メモリデバイスダイスは、メモリデバイスダイスがそれぞれのストロボ信号を受信することによって画定する時刻にメモリデバイスに読み出しデータを送信し得る。ストロボ信号の各々のタイミングは、全てのメモリデバイスダイスからの読み出しデータまたは他の信号が同じ時刻に受信されるように調整される。
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【課題】動作速度が従来よりも高速な半導体装置を提供する。
【解決手段】各々に同じ信号が入力される第１電極パッド２１及び第２電極パッド２２と、第１電極パッド２１及び第２電極パッド２２の両方から信号が入力されるメモリ回路２３と、を備える半導体装置である。メモリ回路２３は、第１電極パッド２１から入力される信号と、第２電極パッド２２から入力される信号と、のいずれか早く入力される信号により動作する。 （もっと読む）

【課題】各種のメモリタイプのメモリとして使用できる半導体メモリ装置の実現。
【解決手段】半導体メモリ装置としてのメモリＩＣチップのパッケージ内に、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭとしてのメモリアレイ部が設けられていることに加え、例えばＳＤＲ、ＤＤＲ、ＤＤＲ２・・・ＤＤＲ（ｎ）、ＳＲＡＭ、ＤＰＲＡＭ、ＦＩＦＯ等の各種のメモリタイプに応じた複数のインターフェースモジュールも設けられているようにする。各インターフェースモジュールは、それぞれ外部のメモリ制御回路からのアクセス要求に応じて、対応するメモリタイプに合致するタイミングでデータ書込／読出を行う。例えばＳＤＲ用のインターフェースモジュールは、メモリアレイ部に対する書込／読出を、外部からはＳＤＲメモリアレイと見られるようにする入出力を行う。これにより、各種のメモリタイプのメモリとして動作できるようにする。 （もっと読む）