本発明は、ナノチューブ、特に、ナノチューブの調製のための工程及び装置に関する。特に、本発明は、炭素以外の材料から作られるナノチューブ、又は、炭素を含有するが、低い炭素の含有量のため、通常はカーボンナノチューブに分類されないであろうナノチューブに関する。本発明のナノチューブは、イオン導電体／バッテリーの部品、水素の貯蔵、ナノワイヤーを鋳造すること、電気的デバイス、触媒作用及び合成、フラットスクリーンの技術、並びに機械的用途のような、多くの用途を有する。 （もっと読む）

【解決手段】金属カーバイドと、該金属カーバイドをワンステップのプロセスによって合成する方法に関するものである。各種金属(例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｏであり、これらに限定されるものではない)の酸化物を、球状又は繊維状のナノ構造カーボン前駆物質と物理的に混合し、９００〜１９００℃の温度まで誘導加熱して、金属酸化物をカーボンと反応させて、異なる金属カーバイドを生成するものである。このプロセスでは、得られた金属カーバイドの中でカーボン前駆物質は元の形態が維持される。得られたナノサイズの金属カーバイドは、高結晶性である。金属カーバイド製品は、高温熱電装置、量子井戸、光電子装置、半導体、防護服、装甲車、触媒等の用途に用いられ、アルミニウム及びその他合金に不連続補強材として用いられる。 （もっと読む）

本発明は、基板上で金属M1の炭化物からナノロッドを合成する方法に関する。該発明の方法は、(a)基板上での、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶の層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)を蒸着させるステップ、(b)金属M1およびM2の酸化物ナノ結晶を対応する金属に還元するステップ、および(c)金属M1のナノ結晶を選択的に成長させるステップよりなる。本発明は、また、基板上で前記材料のナノ結晶から金属M1の炭化物のナノロッドを成長させる方法、かくして得られた基板、およびそれらの用途、例えば化学的または生物学的機能性を含むミクロシステム、特にバイオセンサー、例えばフラットテレビまたはコンピュータスクリーンなどのための電子放射源の製造における用途にも関する。 （もっと読む）

【課題】小さな金属炭化物パーティクルを発生させずに金属炭化物基体ン表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）