【課題】 バリスタ素子部と、インダクタ素子部とをクラックの発生等が生じることなく確実に接合・一体化させることができ、しかも、接合のための接合中間層の厚さを極力薄く設定することができ、部品のコンパクト化が図れる複合積層型電子部品を提供する。
【解決手段】 バリスタ素子部（１０）と、インダクタ素子部（２０）と、これらの双方の素子部を接合するために介在される接合中間層（５０）とを有し、その接合中間層（５０）は、組成の異なる第１番目から第Ｎ番目までのＮ層（Ｎは２以上の整数）の接合膜を積層することにより構成されるとともに、それらの総和厚さが２４０μｍ以下であり、インダクタ素子部と、これに接する第１番目の接合膜との相互の線膨張率の差が１（ｐｐｍ／Ｋ）以内であり、それ以外のＮ−１箇所の接合界面を構成する隣接する接合膜同士の相互の線膨張率の差が２（ｐｐｍ／Ｋ）以内であり、バリスタ素子部と、これに接する第Ｎ番目の接合膜との相互の線膨張率の差が２（ｐｐｍ／Ｋ）以内に構成される。 （もっと読む）

【課題】 安価な材料である酸化亜鉛を母材とし、高い熱電性能を有する亜鉛系複合酸化物を提供する。
【解決手段】 Ｚｎ酸化物、Ｎｉ及びＭｇを含有する亜鉛系複合酸化物。この亜鉛系複合酸化物に含まれるＮｉとＭｇの合計含有量は、Ｚｎ１モルに対して０．２モル以下であることが好ましく、さらに、Ｎｉ及びＭｇのモル比（Ｎｉ／Ｍｇ）が、０．１〜１０であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れたＺＡＯ薄膜、該薄膜を形成するのに用いるスパッタリングターゲットおよび該ＺＡＯ膜の形成方法を提供するものである。
【解決手段】亜鉛、アルミニウムおよび酸素を含んでなり、ＸＲＤにより求めたＺｎＯ（０００２）面のＲｏｃｋｉｎｇ Ｃｕｒｖｅの半値幅が５度以下である透明導電膜であり、この薄膜は、例えば亜鉛、アルミニウムおよび酸素を含んでなり、アルミニウムを酸化物換算で２．３〜３．５重量％の割合で含有する焼結体からなるターゲットを用い、１８０℃以上の基板温度で、スパッタ装置内を１×１０^−４Ｐａ未満まで真空排気した後、ｄｃマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。 （もっと読む）

バルク状の酸化亜鉛にマンガンを最大で５原子％の濃度までドープすることによって、ドープされた希薄強磁性半導体を生産する方法を提供する。この材料は好ましくは、最高で６５０℃までの温度で焼結される。この方法によれば、５原子％を超えないＭｎ濃度でＭｎドープされたＺｎＯを含有している半導体材料が得られる。上記ＭｎドープされたＺｎＯは、約２１８Ｋ〜約４２５Ｋの温度範囲の少なくとも一部において強磁性である。
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【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、また膜厚を薄く調整でき、さらにスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに、特に保護膜としての使用に最適である光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法を得る。
【解決手段】Ａ、Ｂは其々異なる３価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ｋａ、Ｋｂとしたとき、Ａ_ＸＢ_ＹＯ_{（ＫａＸ＋ＫｂＹ）/2}(ＺｎＯ)_ｍ、０＜Ｘ＜２、Ｙ＝２−Ｘ、１≦ｍを満たす酸化亜鉛を主成分とする化合物を含有し、さらにカルコゲン化亜鉛を含む、相対密度９０％以上、バルク抵抗値０．１Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 透明電極として優れた性質を有するＺｎＯ膜をイオンプレーティングで成膜する技術を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したＺｎＯ焼結体は、平均酸化度の異なる第１のＺｎＯ領域と第２のＺｎＯ領域とを含み、前記第１のＺｎＯ領域と前記第２のＺｎＯ領域とは平均粒径が異なる。前記第１のＺｎＯ領域は前記第２のＺｎＯ領域より酸化度の高い領域であり、前記第２のＺｎＯ領域は前記第１のＺｎＯ領域と異なる色の、青みを帯びた領域であることが好ましい。 （もっと読む）

Ｚｎ含有スクラップ等の原料を酸浸出あるいは電解抽出し、これを溶媒抽出した後、さらに活性炭処理して不純物を除去し、次にこの不純物を除去した溶液をアルカリ溶液で中和して水酸化亜鉛を得、さらにこの水酸化亜鉛を焼成して酸化亜鉛とすることを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 （もっと読む）