【課題】手間のかからず利便性の良い方法で、ＩＣカードをはじめとする非接触通信媒体のデータの漏洩などを抑制し、安全性を向上させることが可能な可変インダクタンスコイル並びにそれを備えたブースターアンテナ、読取書込装置を提供する。
【解決手段】可変インダクタンスコイルは、一対の電極と、電極間に設けられた密閉部と、密閉部内に収納される第１の媒体、および第１の媒体と誘電率の異なる第２の媒体とを備え、回転位置に応じてインダクタンスが変化する。この可変インダクタンスコイルを備えるブースターアンテナおよび読取書込装置は、回転位置に応じて共振周波数を変化させることができるため、非接触通信媒体と読取書込装置との間のデータ通信を制御することができ、非接触媒体の所有者が意図しないときのデータの漏洩を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハレベルパッケージにおける再配線層を利用してインダクタを構成することで、Ｑ値を向上させつつ相互インダクタンスを変化させるオンチップ可変インダクタを提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上の集積回路層２と、集積回路層２上の絶縁層３と、絶縁層３上の再配線層４とからなるウェハレベルパッケージに提供されるオンチップ可変インダクタである。第１インダクタ１０は、集積回路層２に形成される。第２インダクタ２０は、再配線層４に形成される。電流制御回路４０は、第１インダクタ１０に接続され、第１インダクタ１０に入力する電流振幅及び／又は位相を制御することで、第２インダクタ２０を貫通する磁束を変化させるものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＣプロセスで容易に製造可能であり、低消費電力で、寄生容量の発生がなく、高いＱ値の得られる可変インダクタの構成を安価に実現すること。
【解決手段】それぞれの誘電体層によって分離された複数の導電層を有する多層回路であって、少なくとも一つの可変インダクタが形成され、その可変インダクタは、前記導電層の内の一の最厚の層内のコイル軌道に沿った導電性コイル構造と、前記コイル構造に接続された二つのポートと、少なくとも一つのスイッチを有し、前記導電層の前記一の層内の前記コイル軌道に沿った前記コイル構造の複数の特定の位置の一つに、少なくとも一つの前記ポートを選択的に接続し、これにより前記可変インダクタの対応する選択的なインダクタンス値を前記二つのポート間に与えるスイッチ構成とを有する。本発明は、当該回路の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）

【課題】 インダクタの形状を変えることなく、インダクタンス値を変化させることが可能である可変インダクタを提供する。
【解決手段】 複数の薄膜コイル２，３を備え、この複数の薄膜コイル２，３のうち、少なくとも１つの薄膜コイル３に対してアクチュエータ５が設けられ、このアクチュエータ５が、熱膨張によって曲がることにより薄膜コイル３を移動させる構成である可変インダクタ１０を構成する。 （もっと読む）

電子デバイス（２０）は、インダクタ（４２）を含むデバイス回路（３２）を有する第１の基板（２２）と、多数の他のインダクタ（６２）を含むインダクタンス調整回路（６０）を有する第２の基板（２４）とから作成される。基板（２２、２４）は、互いに対向するように組み合わせる。他のインダクタ（６２）は、インダクタ（４２）に対して種々の相互インダクタンスの関係を選択するように構成する。これらの関係は、デバイスの動作期間中に選択することができ、デバイス回路（３２）に可変インダクタンスを提供する。 （もっと読む）

磁性物品を形成する前に、磁性リボンまたは磁性シートが電気絶縁体で被覆される。磁性物品の製造は、磁性リボンと絶縁体リボンを共巻きする必要なしに、単一のプロセスで行われる。磁性材料と絶縁体との間の熱特性の差が熱処理の間に作用して、物品の磁気特性の調節が促進される。 （もっと読む）