国際特許分類[H01L21/316]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431) | 酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
国際特許分類[H01L21/316]に分類される特許
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半導体ウェハ、半導体装置及びその製造方法
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液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた表示装置、スパッタリングターゲット材
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ニッケル酸ランタン膜形成用組成物及びその製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、並びに液体噴射装置の製造方法
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液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
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気化・堆積装置および方法
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半導体装置およびその製造方法
【課題】LOCOS酸化膜端部の直下の電界集中が容易に緩和され、LOCOS酸化膜直下の半導体導電層の良好な耐圧および抵抗を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置(1)は、LOCOS酸化膜(22)の半導体基板の表面に対してラテラル方向に終端しているエッジ(22a、22b)の少なくとも一部(22a、22b)が、上面と下面とに15度以上30度以下の角度(θ)で挟まれて終端するプロファイルを有している。
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絶縁保護膜形成方法
【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのRFパワーを1.84W/cm2以下とし、加熱時間を60秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し(S1)、RFパワーを1.84W/cm2以下として、透明導電膜上に第1の絶縁保護膜を形成し(S2)、RFパワーを1.84W/cm2より大きくして、第1の絶縁保護膜上に第2の絶縁保護膜を形成する(S3)。
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積層構造体、強誘電体ゲート薄膜トランジスター及び強誘電体薄膜キャパシター
【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い(例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い)という問題をはじめとして、PZT層から酸化物導電体層にPb原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター20は、チャネル層28と、チャネル層28の導通状態を制御するゲート電極層22と、チャネル層28とゲート電極層22との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層25とを備え、ゲート絶縁層(強誘電体層)25は、PZT層23と、BLT層24(Pb拡散防止層)とが積層された構造を有し、チャネル層28(酸化物導電体層)は、ゲート絶縁層(強誘電体層)25におけるBLT層(Pb拡散防止層)24側の面に配置されている。
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絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置
【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Sに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ33Hによって加熱された基板Sを収容する反応室31Sに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたZr(BH4)4を供給する。そして、Zr(BH4)4を上記基板S上で熱酸化することによって、基板Sの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるZrBO膜を形成する。
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