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国際特許分類[H05B33/26]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 実質的に2次元放射面をもつ光源 (12,071) | 電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの (3,139)

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半透明電極 (1,004)

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【課題】有機EL素子を用いた表示装置において、金属を接合部材として用いることによって外部の水分や酸素の影響を防止すると同時に、金属接合部に起因する寄生容量の発生を防止する。
【解決手段】有機EL素子を形成した第1基板26と、第2基板27とを、共通電極11を介して金属接合部25により接合する。 (もっと読む)


【課題】輝度の均一化が可能な面状発光装置を提供する。
【解決手段】第2の面状発光装置30とともに駆動される第1の面状発光装置20は、透明基板と、透明基板の一主面に形成され面状陽極及び面状陰極に有機層が挟まれた複数の有機EL素子(有機EL部)とを有する。有機EL部は、他の面状発光装置(第2面状発光装置30)に含まれる有機EL素子と直列に接続されている。そして、各有機EL素子の発光領域H1,H2は同一面積に設定されている。 (もっと読む)


【課題】凹凸面上にも容易に形成することができ、成膜プロセスが簡便でコスト的に有利な透明電極を有する積層体を提供すること、また、前記積層体を有し、光取り出し効率の観点で優れる有機電界発光装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも、透明基板、光拡散層、及び光透過性を有する導電性層をこの順に有する積層体であって、該導電性層は、導電性マトリックスと該導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有する粒子とを含有する、積層体。 (もっと読む)


【課題】焼成によるコンタクトホールにおけるコンタクト抵抗値の増加を抑制して、良好な品質を備えた有機EL素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属から成る配線部を含むTFT層が上面に形成された基板を準備する第1の工程と、前記TFT層の上に絶縁膜用材料の層を積層する第2の工程と、前記配線部の一部が露出するように、前記絶縁膜用材料の層にコンタクトホールを形成する第3の工程と、前記絶縁膜用材料の層を、酸素を含む雰囲気で加熱焼成して絶縁膜層を形成する第4の工程と、前記第4の工程において前記配線部の表面の金属が酸化して形成された金属酸化物をエッチャントに溶解させて除去する第5の工程と、前記コンタクトホールにおいて前記配線部の一部に電気的に接続するように画素電極を形成し、前記画素電極の上方に有機発光層を形成し、前記有機発光層の上方に対向電極を形成する第6の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】燐光発光を利用した有機EL素子の光の取出し効率を向上させることが可能な有機EL素子を提供する。
【解決手段】透明支持基板10、第一の凹凸が形成されている凹凸層からなる回折格子11、並びに、第一の凹凸の形状が維持されるようにして、回折格子11上に順次積層された透明電極12、少なくとも発光層131を備える有機層13、及び、金属電極14を備える有機EL素子であって、(A)第一の凹凸の形状のフーリエ変換像が、円状又は円環状の模様を示しており、且つ、該模様が波数の絶対値が10μm−1以下の範囲内となる領域内に存在する、(B)第一の凹凸と、金属電極の有機層に対向する面の表面に形成された第二の凹凸とがいずれも、凹凸の深さ分布の標準偏差が15〜50nmとなる、(C)第一の凹凸の深さ分布の標準偏差に対する第二の凹凸の深さ分布の標準偏差の変化率が+15%〜−15%である、ことを満たしている有機EL素子。 (もっと読む)


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