基板への電子回路の搭載方法
【課題】電子回路の配置位置の面積よりＡＣＦを広く配置する場合であっても、電子回路と基板上の電極との電気的接続を保ちつつ電子回路周辺のＡＣＦを硬化させることができ、基板の反りを緩和することができる基板への電子回路の搭載方法を提供する。
【解決手段】第１基板１上にＡＣＦ３およびＬＳＩ４をそれぞれ配置し、第１のヒートツール５でＡＣＦ３を加熱しながらＬＳＩ４を第１基板１に押圧する。その後、第１の基板１をガラステーブル８に移動し、ランプ９が照射する赤外線でＡＣＦ３を加熱する。このとき、第２のヒートツール７によるＬＳＩ４の加熱および第１基板１側へのＬＳＩ４の押圧も行う。
【解決手段】第１基板１上にＡＣＦ３およびＬＳＩ４をそれぞれ配置し、第１のヒートツール５でＡＣＦ３を加熱しながらＬＳＩ４を第１基板１に押圧する。その後、第１の基板１をガラステーブル８に移動し、ランプ９が照射する赤外線でＡＣＦ３を加熱する。このとき、第２のヒートツール７によるＬＳＩ４の加熱および第１基板１側へのＬＳＩ４の押圧も行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板への電子回路の搭載方法に関し、特に異方性導電膜を用いた基板への電子回路の搭載方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の表示パネルは、ガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いた透明電極が配置されている。その透明電極とＬＳＩ（Large Scale Integration ）等の電子回路とを接続させるために異方性導電膜を用いる場合がある。異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film ：ＡＣＦ）は、樹脂の内部に多量の導電粒子を含み、樹脂によりガラス基板とＬＳＩとを機械的に接続させる。また、導電粒子により透明電極とＬＳＩとを電気的に接続させる。以下、異方性導電膜をＡＣＦと記す。ＡＣＦを用いてＬＳＩをガラス板に搭載する場合、ＬＳＩはＡＣＦを介してガラス基板に加熱圧着される。なお、ガラス基板上に電子回路を搭載する技術は、ＣＯＧ（Chip on Glass ）と呼ばれる。
【０００３】
特許文献１には、液晶表示パネルを作業テーブルに載置して、その液晶表示パネルの端子部上にＡＣＦを介してフレキシブル基板のリード部を配置し、その上から加熱圧着手段であるヒーターバーを押圧する接続方法が記載されている。
【０００４】
加熱圧着によってＬＳＩをガラス基板に搭載する従来の搭載方法の具体例について、図面を参照して説明する。図５は、ＬＳＩをガラス基板に搭載する従来の搭載方法を示す説明図である。ここでは、液晶表示パネルのガラス基板にＬＳＩを搭載する場合を例にして説明する。図５（ａ）に示すように、液晶表示パネルは２枚のガラス基板１，２を備えている。ガラス基板１，２間には液晶（図示せず。）が封止され、各ガラス基板１，２の外側の面には偏光板１１，１２が設けられる。一方のガラス基板（以下、第１基板と記す。）１は、もう一方のガラス基板（以下、第２基板と記す。）２よりも大きく形成される。第１基板１において第２基板２から張り出した部分には、その２枚の基板１，２から透明電極（図示せず。）が引き出されている。そして、その部分にＬＳＩが搭載される。
【０００５】
まず、第１基板１において透明電極が引き出されている部分にＡＣＦ３を転写する（図５（ａ）参照。）。続いて、そのＡＣＦ３上にＬＳＩ４を配置する（図５（ｂ）参照。）。以上の工程は、例えば８０℃以下の温度で行われる。
【０００６】
ＬＳＩ配置後、ガラス基板１およびＬＳＩ４を、ガラス基板を支える支持テーブル６と加熱を行うヒートツール５との間に配置し、ＬＳＩ４をヒートツール５で加熱しながら支持テーブル６の方向に押圧する。例えば、ＡＣＦ３としてＡＣ８０３３を使用した場合、ヒートツール５の温度を２３０℃とし、８０ＭＰａで５秒間加圧する。このとき、第１基板１のヒートツール５側の面の熱膨張と支持テーブル６側の面の熱膨張との差を少なくするために、第１基板１に対して支持テーブル６側からも例えば５０℃で加熱を行う。この処理によって、ＡＣＦ３の樹脂が硬化し、ＬＳＩ４は第１基板１に搭載される。なお、ＡＣ８０３３は、ＡＣＦの型番であり、ガラス転移温度（以下、Ｔｇと記す。）が１４０℃の熱硬化型バインダ樹脂に、直径４μｍの金めっきしたプラスチック粒子を混入したＡＣＦである。
【０００７】
また、特許文献２には、ＴＡＢとアレイ基板との間にＡＣＦを挟み、アレイ基板を石英板上に載置し、ＴＡＢ側から加圧ツールで押圧するとともに石英板側から赤外線を照射してアレイ基板とＴＡＢとを電気的に接続させる液晶表示装置の製造方向が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１９３９１号公報（段落０００４−０００８、図７）
【特許文献２】特開２００１−２１９１１号公報（段落００１５，００１６、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図５に示した従来の搭載方法では、以下のような問題が生じる。図５に示すように第１基板１上にＡＣＦ３を配置してその上にＬＳＩ４を配置する場合、ＬＳＩ４配置時にＬＳＩ４が所望の位置からずれることも考慮し、ＡＣＦ３はＬＳＩ４の配置位置の面積よりも広く配置されることがある。ヒートツール５からの熱は熱伝導によってＬＳＩ４を介してＡＣＦ３に伝わる。この結果、ＡＣＦ３のうちＬＳＩ４との接触部分は硬化しても、ＬＳＩ４の周囲の部分は未硬化の状態のままとなってしまう。硬化していないＡＣＦが残っていると、ＡＣＦに残留している水分によって第１基板上の透明電極に電蝕が発生してしまうという問題が生じる。
【００１０】
また、図５で例示した説明では、支持テーブル６側も５０℃に加熱する場合を説明したが、支持テーブル６側を加熱したとしても、第１基板１におけるヒートツール５側の面の温度と支持テーブル６側の面の温度差により膨張量の差が生じる。また、ＡＣＦ３が加熱によって硬化収縮することによっても、第１基板１に対する応力が生じる。このような第１基板１の両面の温度差やＡＣＦ３の硬化収縮により、第１基板１に反りが生じることがある。すると、第１基板の反りによって表示パネルの表示に色むらが生じてしまうおそれがある。また、第１基板１にかかる応力が何らかの要因によって減少すると、ＡＣＦ３が第１基板１から浮いてしまったり、断線が生じてしまったりするおそれがある。
【００１１】
また、ＡＣＦ３をＬＳＩ４の配置位置の面積よりも広く配置して、特許文献２に記載された方法のように赤外線で加熱した場合、ＬＳＩ周辺部のＡＣＦの温度の方がより高温になり、先に硬化する。ＬＳＩ周辺部のＡＣＦがＬＳＩ配置位置のＡＣＦよりも先に硬化すると、ＬＳＩ配置位置のＡＣＦがＬＳＩ周辺部に流動しなくなる。すると、電導粒子を介してＬＳＩを適切に圧着できなくなるため、ＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続が困難になるおそれがある。
【００１２】
また、赤外線による加熱は温度管理が難しく、加熱温度が高すぎたり低すぎたりしてしまうことがある。この現象をオーバシュートという。
【００１３】
そこで、本発明は、電子回路の配置位置の面積よりＡＣＦを広く配置する場合であっても、電子回路と基板上の電極との電気的接続を保ちつつ電子回路周辺のＡＣＦを硬化させることができ、基板の反りを緩和することができる基板への電子回路の搭載方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の基板への電子回路の搭載方法は、電極が設けられた基板上に電子回路を配置して基板上の電極と電子回路を電気的に接続させる基板への電子回路の搭載方法であって、基板（例えば、第１基板１）の電極が設けられた部分に異方性導電膜を配置する異方性導電膜配置ステップ（例えばステップＳ１）と、異方性導電膜上に電子回路（例えばＬＳＩ４）を配置する電子回路配置ステップ（例えばステップＳ２）と、基板を支える第１のテーブル（例えば支持テーブル６）と、電子回路および基板と電子回路の間に介在する異方性導電膜を加熱しながら押圧する第１の加熱押圧手段（例えば第１のヒートツール５）との間に、電子回路を第１の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第１の加熱押圧手段が電子回路を介して異方性導電膜を加熱しながら電子回路を基板側に押圧する第１加熱ステップ（例えばステップＳ３）と、赤外線が透過可能なテーブルである第２のテーブル（例えばガラステーブル８）と電子回路を加熱しながら押圧する第２の加熱押圧手段（例えば第２のヒートツール７）との間に、電子回路を第２の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第２の加熱押圧手段が電子回路を加熱しながら電子回路を基板側に押圧するとともに、第２のテーブルの背面側から赤外線を照射する赤外線照射手段（例えばランプ９）から赤外線を照射して異方性導電膜を加熱する第２加熱ステップ（例えばステップＳ４）とを含むことを特徴とする。
【００１５】
第２のテーブルと赤外線照射手段との間に赤外線を遮断するシャッタ（例えばシャッタ２５）を設け、赤外線照射手段に赤外線の照射を継続させておき、第２加熱ステップで赤外線による加熱を開始するときにシャッタを開き、赤外線による加熱を終了するときにシャッタを閉じることが好ましい。
【００１６】
また、異方性導電膜配置ステップで、異方性導電膜を電子回路の配置位置の面積より広く配置し、第２加熱ステップで、第１加熱ステップ後に未硬化となっている電子回路の周辺よりはみ出した異方性導電膜を、赤外線を照射して加熱することが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電子回路の配置位置の面積よりＡＣＦを広く配置する場合であっても、電子回路と基板上の電極との電気的接続を保ちつつ電子回路周辺のＡＣＦを硬化させることができ、基板の反りを緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の基板への電子回路の搭載方法を示す説明図である。また、図２は、本発明の基板への電子回路の搭載方法を示すフローチャートである。以下の説明では、液晶表示パネルが備えるガラス基板に電子回路であるＬＳＩを搭載する場合を例にして説明する。
【００１９】
既に説明したように、液晶表示パネルは２枚のガラス基板１，２を備え、ガラス基板１，２間には液晶（図示せず。）が封止され、各ガラス基板１，２の外側の面には偏光板１１，１２が設けられる。以下、既に説明した場合と同様に、大きく形成されている方のガラス基板１を第１基板１と記し、もう一方のガラス基板２を第２基板２と記す。第１基板１において液晶が存在する領域の透明電極（図示せず。）は、第１基板１が第２基板２から張り出している部分２１（以下、張り出し部分２１と記す。）に引き出されている。同様に、第２基板２に設けられた透明電極（図示せず。）も張り出し部分２１に引き出されている。すなわち、張り出し部分２１には、各ガラス基板１，２から引き出された透明電極（図示せず。）が配置されている。本発明では、ＡＣＦ（異方性導電膜）を介して、電子回路（本例ではＬＳＩ）を透明電極に接続させる。
【００２０】
最初に、第１基板１の張り出し部分２１の透明電極が設けられている部分にＡＣＦ３を配置する（ステップＳ１）。図１（ａ）は、ステップＳ１後の液晶表示パネルの状態を示している。ステップＳ１では、例えば、転写によってＡＣＦ３を配置する。また、ＡＣＦ３は、ＬＳＩが配置される位置の面積（換言すれば、ＬＳＩの第１基板側の面の面積）よりも広く設けられる。
【００２１】
ステップＳ１の後、第１基板１に配置されたＡＣＦ３上にＬＳＩ４を配置する（ステップＳ２）。図１（ｂ）は、ステップＳ２後の液晶表示パネルの状態を示している。ＡＣＦ３はＬＳＩ４の配置位置の面積よりも広く設けられているので、ＬＳＩ４の配置位置が所望の位置からずれたとしてもＡＣＦ３を介して第１基板１上の電極にＬＳＩ４を接続することができる。また、ＬＳＩ４の周囲にもＡＣＦ３が存在している。
【００２２】
例えば、ＡＣＦ３としてＡＣ８０３３（ＡＣＦの型番）を使用した場合、ステップＳ１，Ｓ２は、例えば８０℃以下の温度で行われる。ただし、ここで示した「８０℃以下」は例示であり、ＡＣＦ３の種類に応じた温度であればよい。
【００２３】
続いて、支持テーブル６とヒートツール５の間に第１基板１を配置し、ヒートツール５によってＡＣＦ３を加熱しながら、ＬＳＩ４を第１基板１側に押圧する（ステップＳ３）。図１（ｃ）は、ステップＳ３における液晶表示パネルの状態を示している。
【００２４】
支持テーブル６は、ヒートツール５との間に配置される第１基板１を下から支える。また、ヒートツール５は、電子回路および第１基板と電子回路の間に介在するＡＣＦをを加熱しながら押圧する装置である。以下、後述するステップＳ４で用いるヒートツールと区別して、ステップＳ３で用いるヒートツールを第１のヒートツールと記す。支持テーブル６と第１のヒートツール５の間に第１基板１を配置する場合、ＬＳＩ４を第１のヒートツール５側に向け第１基板１を支持テーブル６側に向けて配置する。ステップＳ３では、このように支持テーブル６と第１のヒートツール５の間に第１基板１を配置し、第１のヒートツール５がＡＣＦ３を加熱しながら、ＬＳＩ４を第１基板１側に押圧する。
【００２５】
また、支持テーブル６は、ヒータ等の加熱手段（図示せず。）を備え、その加熱手段により支持テーブル６自身も発熱する。支持テーブル６は、発熱することにより第１基板１のＬＳＩ４とは反対側の面を加熱する。
【００２６】
また、第１のヒートツール５は、ヒータ等の加熱手段（図示せず。）により発熱し、その熱がＬＳＩ４を介して伝導によってＡＣＦ３に伝わる。すなわち、第１のヒートツール５は、ＬＳＩ４を介して伝導によってＡＣＦ３を加熱する。この結果、ステップＳ３では、ＬＳＩ４に接触しているＡＣＦ３が第１のヒートツール５によって加熱されて硬化する。
【００２７】
例えば、ＡＣＦ３としてＡＣ８０３３を使用した場合、ステップＳ３において第１のヒートツール５の温度を２３０℃とし、８０ＭＰａで５秒間加圧すればよい。また、支持テーブル６の温度は５０℃とすればよい。
【００２８】
なお、本発明で用いるＡＣＦは上記のＡＣＦ（ＡＣ８０３３）に限定されない。また、ステップＳ３における第１のヒートツール５の温度、圧力および押圧時間、支持テーブル６の発熱温度も、上記の例に限定されない。ただし、支持テーブル６の発熱温度は、第１のヒートツール５の温度よりも低い。
【００２９】
ステップＳ３では、ＬＳＩ４に接触しているＡＣＦ３は第１のヒートツール５によって加熱されて硬化するが、ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３は未硬化のままである。また、支持テーブル６の発熱温度は第１のヒートツール５の温度よりも低く、第１基板１におけるＬＳＩ４の配置位置の温度は第１基板１の反対側の面の温度よりも高い。また、ＡＣＦ３の硬化収縮により第１基板１への応力が生じる。この結果、ステップＳ３終了時には、第１基板１の反りの要因となる応力が残留している。
【００３０】
ステップＳ３の直後、液晶表示パネルを支持テーブル６からガラステーブルに移動し、ガラステーブル上で再度加熱する（ステップＳ４）。図１（ｄ）は、ステップＳ４における液晶表示パネルの状態を示している。
【００３１】
また、図３は、ステップＳ３からステップＳ４における液晶表示パネルの移動を示す説明図である。なお、図３は、各テーブル上に配置された液晶表示パネルの上面図であり、ステップＳ３，Ｓ４で用いる各ヒートツールの図示を省略している。図３（ａ）に示すようにステップＳ３で支持テーブル６上に配置されていた液晶表示装置の第１基板１を、ステップＳ４ではガラステーブル８上に移動させる（図３（ｂ）参照。）。
【００３２】
ステップＳ４では、液晶表示パネルの第１基板１をガラステーブル８と第２のヒートツール７の間に配置し、第２のヒートツール７によってＬＳＩ４を加熱しながらＬＳＩ４を第１基板１に押圧する。また、ガラステーブル８の背面側からランプ９により赤外線（infra-red ：ＩＲ）を照射し、ガラステーブル８側から赤外線によってＡＣＦ３に対する加熱を行う。
【００３３】
ガラステーブル８は、赤外線が透過可能なテーブルであり、第２のヒートツール７との間に配置される第１基板１を下から支える。ガラステーブル８は、例えば石英ガラス、耐熱ガラスを材料に形成されるが、赤外線が透過可能な材料で形成されていてば他の材料であってもよい。
【００３４】
第２のヒートツール７は、第１のヒートツール５と同様のヒートツールであり、第１基板１上に搭載されたＬＳＩ等の電子回路を加熱しながら押圧する。
【００３５】
ガラステーブル８と第２のヒートツール７との間に第１基板１を配置する場合、ＬＳＩ４を第２のヒートツール７側に向け第１基板１をガラステーブル８側に向けて配置する（図１（ｄ）参照。）。
【００３６】
また、図１（ｄ）に示すように、ガラステーブル８の背面側（換言すれば、ガラステーブル８を中心にして液晶表示パネルとは反対側）には、赤外線を照射するランプ９が設置されている。ステップＳ４では、ガラステーブル８と第２のヒートツール７との間に第１基板１を配置した状態で、ランプ９が照射する赤外線をガラステーブル８および第１基板１を介してＡＣＦ３に照射してＡＣＦ３を加熱する。
【００３７】
ここで、赤外線によるＡＣＦ３の加熱開始および終了について説明する。図４は、ランプが照射する赤外線による加熱開始および終了を示す説明図である。図４に示すようにガラステーブル８とランプ９との間には開閉可能なシャッタ（遮蔽板）２５が設けられている。図４（ａ）はシャッタ２５が閉じた状態を表し、図４（ｂ）はシャッタ２５が開いた状態を表している。シャッタ２５は、閉じた状態においてランプ９が照射する赤外線を遮断し、赤外線はガラステーブル８に到達しない。一方、シャッタ２５が開いた状態ではランプ９が照射する赤外線はガラステーブル８に到達する。
【００３８】
ランプ９は、ステップＳ４においてガラステーブル８に第１基板１（図４において図示せず。）が配置される前から、ガラステーブル８上の第１基板１を移動させた後まで赤外線の照射を継続する。
【００３９】
ガラステーブル８に第１基板１が配置される前の時点では、シャッタ２５は閉じた状態（図４（ａ）参照。）となっている。すなわち、ランプ９が照射する赤外線をランプ９およびガラステーブル８の間で遮断している。この結果、赤外線はガラステーブル８に到達しない。第１基板１がガラステーブル８上に配置された後、シャッタ２５を開くことで第１基板１上のＡＣＦ３（図４において図示せず。図１（ｄ）参照。）への赤外線照射による加熱を開始する。また、ＡＣＦ３への赤外線照射による加熱を停止する場合は、シャッタ２５を閉じることによって停止する。その後も、ランプ９は赤外線の照射を継続する。
【００４０】
ステップＳ４では、ＡＣＦ３の温度が、ＡＣＦ３に含まれる樹脂のガラス転移温度Ｔｇ以上になるように赤外線による加熱を行う。
【００４１】
ＡＣＦ３に対して赤外線照射による加熱を行う際に、第２のヒートツール７によるＬＳＩ４への加熱も行いながらＬＳＩ４を第１基板１側に押圧する。
【００４２】
このように、ステップＳ４では、赤外線照射によるＡＣＦ３への加熱と、第２のヒートツール７によるＬＳＩ４への加熱および押圧とを同時に行う。ステップＳ４における第２のヒートツール７の温度は、赤外線が照射されている第１基板１のガラステーブル側の面の温度よりも低く設定する。また、第１基板１の反りが最も小さくなる第２のヒートツール７の温度を実験的に求め、その温度に設定してもよい。
【００４３】
ステップＳ４での赤外線照射による加熱は伝導ではなく、輻射によって行われる。従って、ＡＣＦ３全体を加熱するので、ＬＳＩ４の周囲の未硬化のＡＣＦも加熱する。よって、ＡＣＦ３全体を硬化させることができる。
【００４４】
特に、ＬＳＩ４が配置された面とは反対側から赤外線を照射することで、ＬＳＩ４の配置位置におけるＡＣＦ３の温度よりも、ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３の温度を高くすることができる。ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３の温度が、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３の温度より高くなる理由は以下のように推測される。ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３の厚さは１５μｍ程度に薄くなっている。その結果、ガラステーブル８および第１基板１を透過した赤外線はＡＣＦ３も透過してＬＳＩ４に到達し散乱する。そして、ＬＳＩ４の外周の端部で散乱した赤外線はＬＳＩ４の周辺部のＡＣＦ３に到達する。従って、ＬＳＩ４の周辺部にはガラステーブル８および第１基板１を透過して直接入射する赤外線と、ＬＳＩ４で散乱した赤外線とがそれぞれ到達し、その結果、ＬＳＩ４周辺部のＡＣＦ３はより高温になると推測される。
【００４５】
また、ステップＳ３の後には、ステップＳ３におけるＡＣＦ３の硬化収縮で生じた応力が残っている。しかし、ステップＳ４で赤外線を照射してＡＣＦ３に対する再加熱を行い、ＡＣＦ３をガラス転移温度Ｔｇ以上の温度にすることで、ステップＳ３で生じた応力を解放することができる。このとき、ＬＳＩ４は第２のヒートツール７によって第１基板１側に押圧されている。従って、ＬＳＩ４と第１基板１との接続に寄与しているＡＣＦ３をガラス転移温度Ｔｇ以上に再加熱しても、ＬＳＩ４と第１基板１との接続状態が不安定になることを防止できる。さらに、上述のように、ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３の温度はＬＳＩ４配置位置のＡＣＦ３の温度より高くなるので、ＬＳＩ周辺部の基板の歪みを緩和して、基板全体の歪みを緩和することができる。
【００４６】
また、ステップＳ４では、赤外線照射を行うとともに第２のヒートツール７による加熱も行う。従って、第１基板１の両面の熱膨張差を低減し、第１基板の反りの発生を抑えることができる。さらに、赤外線照射で加熱されたＡＣＦ３の熱がＬＳＩ４を介して外部に逃げてしまいＡＣＦ３の温度が低下してしまうことを防止できる。
【００４７】
また、赤外線照射による加熱は、ステップＳ３の直後に行う。よって、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３を周辺部に流動させつつ、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３を硬化し、その後ステップＳ４で周辺部のＡＣＦ３を硬化させることができ、伝導粒子を介したＬＳＩ４の第１基板への圧着を適切に行うことができる。ステップ３の処理を行わずにステップＳ４を行うとすると、より高温になるＬＳＩ４の周辺部が先に硬化し、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３の流動が妨げられ、ＬＳＩ４を適切に圧着できずＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続が困難になるおそれがある。しかし、本発明では、ステップＳ３の後にステップＳ４を行うので、ＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続を確実に行うことができる。
【００４８】
以上のように、ステップＳ４では、ＬＳＩ４の周辺部のＡＣＦ３が硬化し、第１基板１の反りが緩和される。
【００４９】
ステップＳ４の結果、ＡＣＦ３全体が硬化した状態の液晶表示パネルが得られる。
【００５０】
ステップＳ４を終了するときには、図４（ａ）に示すようにシャッタ２５を閉じた状態とすることによって、ＡＣＦ３への赤外線照射を停止する。また、第２のヒートツール７による押圧も停止して、液晶表示パネルをガラステーブル８から取り外す。赤外線照射はシャッタ２５を閉じることで停止させるが、ランプ９は赤外線照射を継続する。
【００５１】
以上のように、本発明によれば、ステップＳ３の後にステップＳ４で赤外線照射を行うので、輻射によりＡＣＦ３全体を加熱し、ＡＣＦ３全体を硬化させることができる。よって、未硬化のＡＣＦに起因する第１基板１上の透明電極の電蝕を防止できる。
【００５２】
また、ステップＳ４ではＡＣＦ３をガラス転移温度Ｔｇ以上の温度にするので、ステップＳ３で生じた応力を解放することができ、反りを緩和することができる。従って、反りによる液晶表示パネルの色むらの発生や、ＬＳＩ４の搭載後に応力が解放されて生じる断線を防止することができる。
【００５３】
また、ステップＳ３においてＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３を硬化させてから、ステップＳ３でＬＳＩ４の周辺部のＡＣＦ３を硬化させるので、ＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続を確実に行うことができる。
【００５４】
また、本発明では、ランプ９は赤外線の照射を継続し、シャッタ２５を開くことでＡＣＦ３に対する赤外線照射を開始し、シャッタ２５を閉じることでＡＣＦ３に対する赤外線照射を停止する。従って、ランプ９の状態は変化しないので、ＡＣＦ３の温度管理が容易になり、オーバシュートを防止することができる。シャッタ２５を用いずにランプ９自体を消灯状態から点灯状態に変化させることで赤外線照射を開始し、ランプ９自体を点灯状態から消灯状態に変化させることで赤外線照射を停止すると、ＡＣＦ３の温度管理が難しく、オーバシュートが発生しやすくなってしまう。よって、上述のように、ランプ９は赤外線の照射を継続して、シャッタ２５を開くことでＡＣＦ３に対する赤外線照射を開始し、シャッタ２５を閉じることでＡＣＦ３に対する赤外線照射を停止することが好ましい。
【００５５】
また、ステップＳ３の工程とステップＳ４の工程とを別々のテーブルで行うので、複数の液晶表示パネルに対するＬＳＩの搭載を連続して行うことができ、タクト（液晶表示パネル１個にＬＳＩを搭載する時間）の悪化を防止することができる。
【００５６】
また、本発明ではステップＳ３の後ステップＳ４でＡＣＦ３を再加熱するが、この再加熱は赤外線の照射によって行っている。よって、ステップＳ４で用いるテーブル（ガラステーブル８）の歪みの発生を抑えることができる。
【００５７】
仮にＡＣＦのガラス転移温度が高い（例えば１４０℃）であるとする。赤外線照射によらずに、ＡＣＦを１４０℃以上にするとすると、第１基板１の透明電極側を１６０℃に加熱する必要が生じる。赤外線照射ではなく熱伝導でＡＣＦを加熱するとすると、伝導過程での熱の放射を考慮しステップＳ４で用いるテーブル側の熱源温度は２００℃以上にしなければならない。すると、ステップＳ４で用いるテーブルが備える熱源近辺と熱源から離れた箇所での温度差によって、テーブルに歪みが生じ、テーブルとステップＳ４で用いる第２のヒートツール７との平衡度を維持しにくくなる。本発明では、ステップＳ４において、ガラステーブル８および第１基板１を介して赤外線を照射し、輻射によってＡＣＦ３を加熱する。よって、上記のようなテーブルの変形を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、表示パネルが備える基板上への電子回路の搭載に好適に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の基板への電子回路の搭載方法を示す説明図。
【図２】本発明の基板への電子回路の搭載方法を示すフローチャート。
【図３】ステップＳ３からステップＳ４における液晶表示パネルの移動を示す説明図。
【図４】ランプが照射する赤外線による加熱開始および終了を示す説明図。
【図５】ＬＳＩをガラス基板に搭載する従来の搭載方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００６０】
１ 第１基板（ガラス基板）
３ ＡＣＦ（異方性導電膜）
４ ＬＳＩ
５ 第１のヒートツール
６ 支持テーブル
７ 第２のヒートツール
８ ガラステーブル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板への電子回路の搭載方法に関し、特に異方性導電膜を用いた基板への電子回路の搭載方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の表示パネルは、ガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いた透明電極が配置されている。その透明電極とＬＳＩ（Large Scale Integration ）等の電子回路とを接続させるために異方性導電膜を用いる場合がある。異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film ：ＡＣＦ）は、樹脂の内部に多量の導電粒子を含み、樹脂によりガラス基板とＬＳＩとを機械的に接続させる。また、導電粒子により透明電極とＬＳＩとを電気的に接続させる。以下、異方性導電膜をＡＣＦと記す。ＡＣＦを用いてＬＳＩをガラス板に搭載する場合、ＬＳＩはＡＣＦを介してガラス基板に加熱圧着される。なお、ガラス基板上に電子回路を搭載する技術は、ＣＯＧ（Chip on Glass ）と呼ばれる。
【０００３】
特許文献１には、液晶表示パネルを作業テーブルに載置して、その液晶表示パネルの端子部上にＡＣＦを介してフレキシブル基板のリード部を配置し、その上から加熱圧着手段であるヒーターバーを押圧する接続方法が記載されている。
【０００４】
加熱圧着によってＬＳＩをガラス基板に搭載する従来の搭載方法の具体例について、図面を参照して説明する。図５は、ＬＳＩをガラス基板に搭載する従来の搭載方法を示す説明図である。ここでは、液晶表示パネルのガラス基板にＬＳＩを搭載する場合を例にして説明する。図５（ａ）に示すように、液晶表示パネルは２枚のガラス基板１，２を備えている。ガラス基板１，２間には液晶（図示せず。）が封止され、各ガラス基板１，２の外側の面には偏光板１１，１２が設けられる。一方のガラス基板（以下、第１基板と記す。）１は、もう一方のガラス基板（以下、第２基板と記す。）２よりも大きく形成される。第１基板１において第２基板２から張り出した部分には、その２枚の基板１，２から透明電極（図示せず。）が引き出されている。そして、その部分にＬＳＩが搭載される。
【０００５】
まず、第１基板１において透明電極が引き出されている部分にＡＣＦ３を転写する（図５（ａ）参照。）。続いて、そのＡＣＦ３上にＬＳＩ４を配置する（図５（ｂ）参照。）。以上の工程は、例えば８０℃以下の温度で行われる。
【０００６】
ＬＳＩ配置後、ガラス基板１およびＬＳＩ４を、ガラス基板を支える支持テーブル６と加熱を行うヒートツール５との間に配置し、ＬＳＩ４をヒートツール５で加熱しながら支持テーブル６の方向に押圧する。例えば、ＡＣＦ３としてＡＣ８０３３を使用した場合、ヒートツール５の温度を２３０℃とし、８０ＭＰａで５秒間加圧する。このとき、第１基板１のヒートツール５側の面の熱膨張と支持テーブル６側の面の熱膨張との差を少なくするために、第１基板１に対して支持テーブル６側からも例えば５０℃で加熱を行う。この処理によって、ＡＣＦ３の樹脂が硬化し、ＬＳＩ４は第１基板１に搭載される。なお、ＡＣ８０３３は、ＡＣＦの型番であり、ガラス転移温度（以下、Ｔｇと記す。）が１４０℃の熱硬化型バインダ樹脂に、直径４μｍの金めっきしたプラスチック粒子を混入したＡＣＦである。
【０００７】
また、特許文献２には、ＴＡＢとアレイ基板との間にＡＣＦを挟み、アレイ基板を石英板上に載置し、ＴＡＢ側から加圧ツールで押圧するとともに石英板側から赤外線を照射してアレイ基板とＴＡＢとを電気的に接続させる液晶表示装置の製造方向が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１９３９１号公報（段落０００４−０００８、図７）
【特許文献２】特開２００１−２１９１１号公報（段落００１５，００１６、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図５に示した従来の搭載方法では、以下のような問題が生じる。図５に示すように第１基板１上にＡＣＦ３を配置してその上にＬＳＩ４を配置する場合、ＬＳＩ４配置時にＬＳＩ４が所望の位置からずれることも考慮し、ＡＣＦ３はＬＳＩ４の配置位置の面積よりも広く配置されることがある。ヒートツール５からの熱は熱伝導によってＬＳＩ４を介してＡＣＦ３に伝わる。この結果、ＡＣＦ３のうちＬＳＩ４との接触部分は硬化しても、ＬＳＩ４の周囲の部分は未硬化の状態のままとなってしまう。硬化していないＡＣＦが残っていると、ＡＣＦに残留している水分によって第１基板上の透明電極に電蝕が発生してしまうという問題が生じる。
【００１０】
また、図５で例示した説明では、支持テーブル６側も５０℃に加熱する場合を説明したが、支持テーブル６側を加熱したとしても、第１基板１におけるヒートツール５側の面の温度と支持テーブル６側の面の温度差により膨張量の差が生じる。また、ＡＣＦ３が加熱によって硬化収縮することによっても、第１基板１に対する応力が生じる。このような第１基板１の両面の温度差やＡＣＦ３の硬化収縮により、第１基板１に反りが生じることがある。すると、第１基板の反りによって表示パネルの表示に色むらが生じてしまうおそれがある。また、第１基板１にかかる応力が何らかの要因によって減少すると、ＡＣＦ３が第１基板１から浮いてしまったり、断線が生じてしまったりするおそれがある。
【００１１】
また、ＡＣＦ３をＬＳＩ４の配置位置の面積よりも広く配置して、特許文献２に記載された方法のように赤外線で加熱した場合、ＬＳＩ周辺部のＡＣＦの温度の方がより高温になり、先に硬化する。ＬＳＩ周辺部のＡＣＦがＬＳＩ配置位置のＡＣＦよりも先に硬化すると、ＬＳＩ配置位置のＡＣＦがＬＳＩ周辺部に流動しなくなる。すると、電導粒子を介してＬＳＩを適切に圧着できなくなるため、ＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続が困難になるおそれがある。
【００１２】
また、赤外線による加熱は温度管理が難しく、加熱温度が高すぎたり低すぎたりしてしまうことがある。この現象をオーバシュートという。
【００１３】
そこで、本発明は、電子回路の配置位置の面積よりＡＣＦを広く配置する場合であっても、電子回路と基板上の電極との電気的接続を保ちつつ電子回路周辺のＡＣＦを硬化させることができ、基板の反りを緩和することができる基板への電子回路の搭載方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の基板への電子回路の搭載方法は、電極が設けられた基板上に電子回路を配置して基板上の電極と電子回路を電気的に接続させる基板への電子回路の搭載方法であって、基板（例えば、第１基板１）の電極が設けられた部分に異方性導電膜を配置する異方性導電膜配置ステップ（例えばステップＳ１）と、異方性導電膜上に電子回路（例えばＬＳＩ４）を配置する電子回路配置ステップ（例えばステップＳ２）と、基板を支える第１のテーブル（例えば支持テーブル６）と、電子回路および基板と電子回路の間に介在する異方性導電膜を加熱しながら押圧する第１の加熱押圧手段（例えば第１のヒートツール５）との間に、電子回路を第１の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第１の加熱押圧手段が電子回路を介して異方性導電膜を加熱しながら電子回路を基板側に押圧する第１加熱ステップ（例えばステップＳ３）と、赤外線が透過可能なテーブルである第２のテーブル（例えばガラステーブル８）と電子回路を加熱しながら押圧する第２の加熱押圧手段（例えば第２のヒートツール７）との間に、電子回路を第２の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第２の加熱押圧手段が電子回路を加熱しながら電子回路を基板側に押圧するとともに、第２のテーブルの背面側から赤外線を照射する赤外線照射手段（例えばランプ９）から赤外線を照射して異方性導電膜を加熱する第２加熱ステップ（例えばステップＳ４）とを含むことを特徴とする。
【００１５】
第２のテーブルと赤外線照射手段との間に赤外線を遮断するシャッタ（例えばシャッタ２５）を設け、赤外線照射手段に赤外線の照射を継続させておき、第２加熱ステップで赤外線による加熱を開始するときにシャッタを開き、赤外線による加熱を終了するときにシャッタを閉じることが好ましい。
【００１６】
また、異方性導電膜配置ステップで、異方性導電膜を電子回路の配置位置の面積より広く配置し、第２加熱ステップで、第１加熱ステップ後に未硬化となっている電子回路の周辺よりはみ出した異方性導電膜を、赤外線を照射して加熱することが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電子回路の配置位置の面積よりＡＣＦを広く配置する場合であっても、電子回路と基板上の電極との電気的接続を保ちつつ電子回路周辺のＡＣＦを硬化させることができ、基板の反りを緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の基板への電子回路の搭載方法を示す説明図である。また、図２は、本発明の基板への電子回路の搭載方法を示すフローチャートである。以下の説明では、液晶表示パネルが備えるガラス基板に電子回路であるＬＳＩを搭載する場合を例にして説明する。
【００１９】
既に説明したように、液晶表示パネルは２枚のガラス基板１，２を備え、ガラス基板１，２間には液晶（図示せず。）が封止され、各ガラス基板１，２の外側の面には偏光板１１，１２が設けられる。以下、既に説明した場合と同様に、大きく形成されている方のガラス基板１を第１基板１と記し、もう一方のガラス基板２を第２基板２と記す。第１基板１において液晶が存在する領域の透明電極（図示せず。）は、第１基板１が第２基板２から張り出している部分２１（以下、張り出し部分２１と記す。）に引き出されている。同様に、第２基板２に設けられた透明電極（図示せず。）も張り出し部分２１に引き出されている。すなわち、張り出し部分２１には、各ガラス基板１，２から引き出された透明電極（図示せず。）が配置されている。本発明では、ＡＣＦ（異方性導電膜）を介して、電子回路（本例ではＬＳＩ）を透明電極に接続させる。
【００２０】
最初に、第１基板１の張り出し部分２１の透明電極が設けられている部分にＡＣＦ３を配置する（ステップＳ１）。図１（ａ）は、ステップＳ１後の液晶表示パネルの状態を示している。ステップＳ１では、例えば、転写によってＡＣＦ３を配置する。また、ＡＣＦ３は、ＬＳＩが配置される位置の面積（換言すれば、ＬＳＩの第１基板側の面の面積）よりも広く設けられる。
【００２１】
ステップＳ１の後、第１基板１に配置されたＡＣＦ３上にＬＳＩ４を配置する（ステップＳ２）。図１（ｂ）は、ステップＳ２後の液晶表示パネルの状態を示している。ＡＣＦ３はＬＳＩ４の配置位置の面積よりも広く設けられているので、ＬＳＩ４の配置位置が所望の位置からずれたとしてもＡＣＦ３を介して第１基板１上の電極にＬＳＩ４を接続することができる。また、ＬＳＩ４の周囲にもＡＣＦ３が存在している。
【００２２】
例えば、ＡＣＦ３としてＡＣ８０３３（ＡＣＦの型番）を使用した場合、ステップＳ１，Ｓ２は、例えば８０℃以下の温度で行われる。ただし、ここで示した「８０℃以下」は例示であり、ＡＣＦ３の種類に応じた温度であればよい。
【００２３】
続いて、支持テーブル６とヒートツール５の間に第１基板１を配置し、ヒートツール５によってＡＣＦ３を加熱しながら、ＬＳＩ４を第１基板１側に押圧する（ステップＳ３）。図１（ｃ）は、ステップＳ３における液晶表示パネルの状態を示している。
【００２４】
支持テーブル６は、ヒートツール５との間に配置される第１基板１を下から支える。また、ヒートツール５は、電子回路および第１基板と電子回路の間に介在するＡＣＦをを加熱しながら押圧する装置である。以下、後述するステップＳ４で用いるヒートツールと区別して、ステップＳ３で用いるヒートツールを第１のヒートツールと記す。支持テーブル６と第１のヒートツール５の間に第１基板１を配置する場合、ＬＳＩ４を第１のヒートツール５側に向け第１基板１を支持テーブル６側に向けて配置する。ステップＳ３では、このように支持テーブル６と第１のヒートツール５の間に第１基板１を配置し、第１のヒートツール５がＡＣＦ３を加熱しながら、ＬＳＩ４を第１基板１側に押圧する。
【００２５】
また、支持テーブル６は、ヒータ等の加熱手段（図示せず。）を備え、その加熱手段により支持テーブル６自身も発熱する。支持テーブル６は、発熱することにより第１基板１のＬＳＩ４とは反対側の面を加熱する。
【００２６】
また、第１のヒートツール５は、ヒータ等の加熱手段（図示せず。）により発熱し、その熱がＬＳＩ４を介して伝導によってＡＣＦ３に伝わる。すなわち、第１のヒートツール５は、ＬＳＩ４を介して伝導によってＡＣＦ３を加熱する。この結果、ステップＳ３では、ＬＳＩ４に接触しているＡＣＦ３が第１のヒートツール５によって加熱されて硬化する。
【００２７】
例えば、ＡＣＦ３としてＡＣ８０３３を使用した場合、ステップＳ３において第１のヒートツール５の温度を２３０℃とし、８０ＭＰａで５秒間加圧すればよい。また、支持テーブル６の温度は５０℃とすればよい。
【００２８】
なお、本発明で用いるＡＣＦは上記のＡＣＦ（ＡＣ８０３３）に限定されない。また、ステップＳ３における第１のヒートツール５の温度、圧力および押圧時間、支持テーブル６の発熱温度も、上記の例に限定されない。ただし、支持テーブル６の発熱温度は、第１のヒートツール５の温度よりも低い。
【００２９】
ステップＳ３では、ＬＳＩ４に接触しているＡＣＦ３は第１のヒートツール５によって加熱されて硬化するが、ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３は未硬化のままである。また、支持テーブル６の発熱温度は第１のヒートツール５の温度よりも低く、第１基板１におけるＬＳＩ４の配置位置の温度は第１基板１の反対側の面の温度よりも高い。また、ＡＣＦ３の硬化収縮により第１基板１への応力が生じる。この結果、ステップＳ３終了時には、第１基板１の反りの要因となる応力が残留している。
【００３０】
ステップＳ３の直後、液晶表示パネルを支持テーブル６からガラステーブルに移動し、ガラステーブル上で再度加熱する（ステップＳ４）。図１（ｄ）は、ステップＳ４における液晶表示パネルの状態を示している。
【００３１】
また、図３は、ステップＳ３からステップＳ４における液晶表示パネルの移動を示す説明図である。なお、図３は、各テーブル上に配置された液晶表示パネルの上面図であり、ステップＳ３，Ｓ４で用いる各ヒートツールの図示を省略している。図３（ａ）に示すようにステップＳ３で支持テーブル６上に配置されていた液晶表示装置の第１基板１を、ステップＳ４ではガラステーブル８上に移動させる（図３（ｂ）参照。）。
【００３２】
ステップＳ４では、液晶表示パネルの第１基板１をガラステーブル８と第２のヒートツール７の間に配置し、第２のヒートツール７によってＬＳＩ４を加熱しながらＬＳＩ４を第１基板１に押圧する。また、ガラステーブル８の背面側からランプ９により赤外線（infra-red ：ＩＲ）を照射し、ガラステーブル８側から赤外線によってＡＣＦ３に対する加熱を行う。
【００３３】
ガラステーブル８は、赤外線が透過可能なテーブルであり、第２のヒートツール７との間に配置される第１基板１を下から支える。ガラステーブル８は、例えば石英ガラス、耐熱ガラスを材料に形成されるが、赤外線が透過可能な材料で形成されていてば他の材料であってもよい。
【００３４】
第２のヒートツール７は、第１のヒートツール５と同様のヒートツールであり、第１基板１上に搭載されたＬＳＩ等の電子回路を加熱しながら押圧する。
【００３５】
ガラステーブル８と第２のヒートツール７との間に第１基板１を配置する場合、ＬＳＩ４を第２のヒートツール７側に向け第１基板１をガラステーブル８側に向けて配置する（図１（ｄ）参照。）。
【００３６】
また、図１（ｄ）に示すように、ガラステーブル８の背面側（換言すれば、ガラステーブル８を中心にして液晶表示パネルとは反対側）には、赤外線を照射するランプ９が設置されている。ステップＳ４では、ガラステーブル８と第２のヒートツール７との間に第１基板１を配置した状態で、ランプ９が照射する赤外線をガラステーブル８および第１基板１を介してＡＣＦ３に照射してＡＣＦ３を加熱する。
【００３７】
ここで、赤外線によるＡＣＦ３の加熱開始および終了について説明する。図４は、ランプが照射する赤外線による加熱開始および終了を示す説明図である。図４に示すようにガラステーブル８とランプ９との間には開閉可能なシャッタ（遮蔽板）２５が設けられている。図４（ａ）はシャッタ２５が閉じた状態を表し、図４（ｂ）はシャッタ２５が開いた状態を表している。シャッタ２５は、閉じた状態においてランプ９が照射する赤外線を遮断し、赤外線はガラステーブル８に到達しない。一方、シャッタ２５が開いた状態ではランプ９が照射する赤外線はガラステーブル８に到達する。
【００３８】
ランプ９は、ステップＳ４においてガラステーブル８に第１基板１（図４において図示せず。）が配置される前から、ガラステーブル８上の第１基板１を移動させた後まで赤外線の照射を継続する。
【００３９】
ガラステーブル８に第１基板１が配置される前の時点では、シャッタ２５は閉じた状態（図４（ａ）参照。）となっている。すなわち、ランプ９が照射する赤外線をランプ９およびガラステーブル８の間で遮断している。この結果、赤外線はガラステーブル８に到達しない。第１基板１がガラステーブル８上に配置された後、シャッタ２５を開くことで第１基板１上のＡＣＦ３（図４において図示せず。図１（ｄ）参照。）への赤外線照射による加熱を開始する。また、ＡＣＦ３への赤外線照射による加熱を停止する場合は、シャッタ２５を閉じることによって停止する。その後も、ランプ９は赤外線の照射を継続する。
【００４０】
ステップＳ４では、ＡＣＦ３の温度が、ＡＣＦ３に含まれる樹脂のガラス転移温度Ｔｇ以上になるように赤外線による加熱を行う。
【００４１】
ＡＣＦ３に対して赤外線照射による加熱を行う際に、第２のヒートツール７によるＬＳＩ４への加熱も行いながらＬＳＩ４を第１基板１側に押圧する。
【００４２】
このように、ステップＳ４では、赤外線照射によるＡＣＦ３への加熱と、第２のヒートツール７によるＬＳＩ４への加熱および押圧とを同時に行う。ステップＳ４における第２のヒートツール７の温度は、赤外線が照射されている第１基板１のガラステーブル側の面の温度よりも低く設定する。また、第１基板１の反りが最も小さくなる第２のヒートツール７の温度を実験的に求め、その温度に設定してもよい。
【００４３】
ステップＳ４での赤外線照射による加熱は伝導ではなく、輻射によって行われる。従って、ＡＣＦ３全体を加熱するので、ＬＳＩ４の周囲の未硬化のＡＣＦも加熱する。よって、ＡＣＦ３全体を硬化させることができる。
【００４４】
特に、ＬＳＩ４が配置された面とは反対側から赤外線を照射することで、ＬＳＩ４の配置位置におけるＡＣＦ３の温度よりも、ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３の温度を高くすることができる。ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３の温度が、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３の温度より高くなる理由は以下のように推測される。ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３の厚さは１５μｍ程度に薄くなっている。その結果、ガラステーブル８および第１基板１を透過した赤外線はＡＣＦ３も透過してＬＳＩ４に到達し散乱する。そして、ＬＳＩ４の外周の端部で散乱した赤外線はＬＳＩ４の周辺部のＡＣＦ３に到達する。従って、ＬＳＩ４の周辺部にはガラステーブル８および第１基板１を透過して直接入射する赤外線と、ＬＳＩ４で散乱した赤外線とがそれぞれ到達し、その結果、ＬＳＩ４周辺部のＡＣＦ３はより高温になると推測される。
【００４５】
また、ステップＳ３の後には、ステップＳ３におけるＡＣＦ３の硬化収縮で生じた応力が残っている。しかし、ステップＳ４で赤外線を照射してＡＣＦ３に対する再加熱を行い、ＡＣＦ３をガラス転移温度Ｔｇ以上の温度にすることで、ステップＳ３で生じた応力を解放することができる。このとき、ＬＳＩ４は第２のヒートツール７によって第１基板１側に押圧されている。従って、ＬＳＩ４と第１基板１との接続に寄与しているＡＣＦ３をガラス転移温度Ｔｇ以上に再加熱しても、ＬＳＩ４と第１基板１との接続状態が不安定になることを防止できる。さらに、上述のように、ＬＳＩ４の周囲のＡＣＦ３の温度はＬＳＩ４配置位置のＡＣＦ３の温度より高くなるので、ＬＳＩ周辺部の基板の歪みを緩和して、基板全体の歪みを緩和することができる。
【００４６】
また、ステップＳ４では、赤外線照射を行うとともに第２のヒートツール７による加熱も行う。従って、第１基板１の両面の熱膨張差を低減し、第１基板の反りの発生を抑えることができる。さらに、赤外線照射で加熱されたＡＣＦ３の熱がＬＳＩ４を介して外部に逃げてしまいＡＣＦ３の温度が低下してしまうことを防止できる。
【００４７】
また、赤外線照射による加熱は、ステップＳ３の直後に行う。よって、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３を周辺部に流動させつつ、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３を硬化し、その後ステップＳ４で周辺部のＡＣＦ３を硬化させることができ、伝導粒子を介したＬＳＩ４の第１基板への圧着を適切に行うことができる。ステップ３の処理を行わずにステップＳ４を行うとすると、より高温になるＬＳＩ４の周辺部が先に硬化し、ＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３の流動が妨げられ、ＬＳＩ４を適切に圧着できずＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続が困難になるおそれがある。しかし、本発明では、ステップＳ３の後にステップＳ４を行うので、ＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続を確実に行うことができる。
【００４８】
以上のように、ステップＳ４では、ＬＳＩ４の周辺部のＡＣＦ３が硬化し、第１基板１の反りが緩和される。
【００４９】
ステップＳ４の結果、ＡＣＦ３全体が硬化した状態の液晶表示パネルが得られる。
【００５０】
ステップＳ４を終了するときには、図４（ａ）に示すようにシャッタ２５を閉じた状態とすることによって、ＡＣＦ３への赤外線照射を停止する。また、第２のヒートツール７による押圧も停止して、液晶表示パネルをガラステーブル８から取り外す。赤外線照射はシャッタ２５を閉じることで停止させるが、ランプ９は赤外線照射を継続する。
【００５１】
以上のように、本発明によれば、ステップＳ３の後にステップＳ４で赤外線照射を行うので、輻射によりＡＣＦ３全体を加熱し、ＡＣＦ３全体を硬化させることができる。よって、未硬化のＡＣＦに起因する第１基板１上の透明電極の電蝕を防止できる。
【００５２】
また、ステップＳ４ではＡＣＦ３をガラス転移温度Ｔｇ以上の温度にするので、ステップＳ３で生じた応力を解放することができ、反りを緩和することができる。従って、反りによる液晶表示パネルの色むらの発生や、ＬＳＩ４の搭載後に応力が解放されて生じる断線を防止することができる。
【００５３】
また、ステップＳ３においてＬＳＩ４の配置位置のＡＣＦ３を硬化させてから、ステップＳ３でＬＳＩ４の周辺部のＡＣＦ３を硬化させるので、ＬＳＩ４と第１基板１上の電極との電気的接続を確実に行うことができる。
【００５４】
また、本発明では、ランプ９は赤外線の照射を継続し、シャッタ２５を開くことでＡＣＦ３に対する赤外線照射を開始し、シャッタ２５を閉じることでＡＣＦ３に対する赤外線照射を停止する。従って、ランプ９の状態は変化しないので、ＡＣＦ３の温度管理が容易になり、オーバシュートを防止することができる。シャッタ２５を用いずにランプ９自体を消灯状態から点灯状態に変化させることで赤外線照射を開始し、ランプ９自体を点灯状態から消灯状態に変化させることで赤外線照射を停止すると、ＡＣＦ３の温度管理が難しく、オーバシュートが発生しやすくなってしまう。よって、上述のように、ランプ９は赤外線の照射を継続して、シャッタ２５を開くことでＡＣＦ３に対する赤外線照射を開始し、シャッタ２５を閉じることでＡＣＦ３に対する赤外線照射を停止することが好ましい。
【００５５】
また、ステップＳ３の工程とステップＳ４の工程とを別々のテーブルで行うので、複数の液晶表示パネルに対するＬＳＩの搭載を連続して行うことができ、タクト（液晶表示パネル１個にＬＳＩを搭載する時間）の悪化を防止することができる。
【００５６】
また、本発明ではステップＳ３の後ステップＳ４でＡＣＦ３を再加熱するが、この再加熱は赤外線の照射によって行っている。よって、ステップＳ４で用いるテーブル（ガラステーブル８）の歪みの発生を抑えることができる。
【００５７】
仮にＡＣＦのガラス転移温度が高い（例えば１４０℃）であるとする。赤外線照射によらずに、ＡＣＦを１４０℃以上にするとすると、第１基板１の透明電極側を１６０℃に加熱する必要が生じる。赤外線照射ではなく熱伝導でＡＣＦを加熱するとすると、伝導過程での熱の放射を考慮しステップＳ４で用いるテーブル側の熱源温度は２００℃以上にしなければならない。すると、ステップＳ４で用いるテーブルが備える熱源近辺と熱源から離れた箇所での温度差によって、テーブルに歪みが生じ、テーブルとステップＳ４で用いる第２のヒートツール７との平衡度を維持しにくくなる。本発明では、ステップＳ４において、ガラステーブル８および第１基板１を介して赤外線を照射し、輻射によってＡＣＦ３を加熱する。よって、上記のようなテーブルの変形を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、表示パネルが備える基板上への電子回路の搭載に好適に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の基板への電子回路の搭載方法を示す説明図。
【図２】本発明の基板への電子回路の搭載方法を示すフローチャート。
【図３】ステップＳ３からステップＳ４における液晶表示パネルの移動を示す説明図。
【図４】ランプが照射する赤外線による加熱開始および終了を示す説明図。
【図５】ＬＳＩをガラス基板に搭載する従来の搭載方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００６０】
１ 第１基板（ガラス基板）
３ ＡＣＦ（異方性導電膜）
４ ＬＳＩ
５ 第１のヒートツール
６ 支持テーブル
７ 第２のヒートツール
８ ガラステーブル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が設けられた基板上に電子回路を配置して基板上の電極と電子回路を電気的に接続させる基板への電子回路の搭載方法であって、
基板の電極が設けられた部分に異方性導電膜を配置する異方性導電膜配置ステップと、
異方性導電膜上に電子回路を配置する電子回路配置ステップと、
基板を支える第１のテーブルと、電子回路および基板と電子回路の間に介在する異方性導電膜を加熱しながら押圧する第１の加熱押圧手段との間に、電子回路を第１の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第１の加熱押圧手段が電子回路を介して異方性導電膜を加熱しながら電子回路を基板側に押圧する第１加熱ステップと、
赤外線が透過可能なテーブルである第２のテーブルと電子回路を加熱しながら押圧する第２の加熱押圧手段との間に、電子回路を第２の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第２の加熱押圧手段が電子回路を加熱しながら電子回路を基板側に押圧するとともに、第２のテーブルの背面側から赤外線を照射する赤外線照射手段から赤外線を照射して異方性導電膜を加熱する第２加熱ステップとを含む
ことを特徴とする基板への電子回路の搭載方法。
【請求項２】
第２のテーブルと赤外線照射手段との間に赤外線を遮断するシャッタを設け、赤外線照射手段に赤外線の照射を継続させておき、第２加熱ステップで赤外線による加熱を開始するときにシャッタを開き、赤外線による加熱を終了するときにシャッタを閉じる
請求項１に記載の基板への電子回路の搭載方法。
【請求項３】
異方性導電膜配置ステップで、異方性導電膜を電子回路の配置位置の面積より広く配置し、
第２加熱ステップで、第１加熱ステップ後に未硬化となっている電子回路の周辺よりはみ出した異方性導電膜を、赤外線を照射して加熱する
請求項１または請求項２に記載の基板への電子回路の搭載方法。
【請求項１】
電極が設けられた基板上に電子回路を配置して基板上の電極と電子回路を電気的に接続させる基板への電子回路の搭載方法であって、
基板の電極が設けられた部分に異方性導電膜を配置する異方性導電膜配置ステップと、
異方性導電膜上に電子回路を配置する電子回路配置ステップと、
基板を支える第１のテーブルと、電子回路および基板と電子回路の間に介在する異方性導電膜を加熱しながら押圧する第１の加熱押圧手段との間に、電子回路を第１の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第１の加熱押圧手段が電子回路を介して異方性導電膜を加熱しながら電子回路を基板側に押圧する第１加熱ステップと、
赤外線が透過可能なテーブルである第２のテーブルと電子回路を加熱しながら押圧する第２の加熱押圧手段との間に、電子回路を第２の加熱押圧手段側に向けて基板を配置し、第２の加熱押圧手段が電子回路を加熱しながら電子回路を基板側に押圧するとともに、第２のテーブルの背面側から赤外線を照射する赤外線照射手段から赤外線を照射して異方性導電膜を加熱する第２加熱ステップとを含む
ことを特徴とする基板への電子回路の搭載方法。
【請求項２】
第２のテーブルと赤外線照射手段との間に赤外線を遮断するシャッタを設け、赤外線照射手段に赤外線の照射を継続させておき、第２加熱ステップで赤外線による加熱を開始するときにシャッタを開き、赤外線による加熱を終了するときにシャッタを閉じる
請求項１に記載の基板への電子回路の搭載方法。
【請求項３】
異方性導電膜配置ステップで、異方性導電膜を電子回路の配置位置の面積より広く配置し、
第２加熱ステップで、第１加熱ステップ後に未硬化となっている電子回路の周辺よりはみ出した異方性導電膜を、赤外線を照射して加熱する
請求項１または請求項２に記載の基板への電子回路の搭載方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２５１８２７（Ｐ２００８−２５１８２７Ａ）
【公開日】平成２０年１０月１６日（２００８．１０．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−９１１５４（Ｐ２００７−９１１５４）
【出願日】平成１９年３月３０日（２００７．３．３０）
【出願人】（０００１０３７４７）オプトレックス株式会社 (843)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月１６日（２００８．１０．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月３０日（２００７．３．３０）
【出願人】（０００１０３７４７）オプトレックス株式会社 (843)
【Ｆターム（参考）】
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