電子写真感光体の製造方法
【課題】 傷の発生を抑制して、堆積膜表面を研磨できる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、前記基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程と、前記基体の外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、を順次実施する。
【解決手段】 基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、前記基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程と、前記基体の外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、を順次実施する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体としてアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）が高速・高耐久性を求められる電子写真装置に用いられている。ａ−Ｓｉ感光体の構造は、例えばアルミニウム合金からなる円筒状の基体の上にＣＶＤ法によりａ−Ｓｉを主体とする堆積膜を形成してなる。堆積膜は基体からの電荷注入を阻止するための阻止層、光電荷を発生させるための光導電層、表面を保護し適当な抵抗で帯電電荷を保持するための表面層が積層されているものが一般的である。
【０００３】
ＣＶＤ法によって形成される堆積膜は基体の上の微小な付着物や基体の欠陥を起点に異常成長する場合がある。異常成長は断面方向から見た場合にすり鉢状に成長し、それが堆積膜の最表面に球面形状に突出する球状突起となって現れる。このようにして形成されたａ−Ｓｉ感光体を電子写真装置で用いた場合に残留トナ−を除去するクリ−ニングブレ−ドを破損したり、球状突起を起点にトナ−の融着が発生し拡大したりするといった問題点があった。
【０００４】
上記のような問題点の対策として、堆積膜の最表面の球状突起を研磨して除去する方法が提案され実施されている。例えば特公平７−７７７０２号公報には、基体を回転させ堆積膜の表面に研磨テ−プを押し当てることにより表面の球状突起を除去することが記載されている。
また突起の研磨だけでなく、堆積膜の表面性を制御する目的で、堆積膜の表面を研磨テープ等により研磨する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平７−７７７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ａ−Ｓｉ感光体の基体の端部は取扱性向上のためにＣ面取りなどの面取り加工が施されていることが一般的である。ＣＶＤ法により形成される堆積膜は通常この面取り面にも形成される。しかしながら、面取り面に形成された堆積膜は外周面に形成された堆積膜と比べて剥離しやすい。前述した堆積膜の表面の球状突起を除去するための研磨工程においてもこのような剥離が発生する場合がある。その結果、剥離した堆積膜が研磨テ−プと堆積膜の最表面との間に侵入し摺擦されることにより正常な部分の堆積膜を傷つける「研磨キズ」を発生させ、スジ状の画像欠陥として現れてしまうことがあるという問題点があった。本発明の目的は、堆積膜表面を研磨するときに傷の発生を抑制して研磨できる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、前記基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程と、前記基体の外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、を順次実施することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。面取り面は基体の外周面と端面の間に形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば堆積膜表面を研磨するときに傷の発生を抑制して研磨することができる。また基体の面取り面から堆積膜が剥離することを抑制することができる。その結果、電子写真装置で用いた場合に初期および多数枚の出力後でも画像欠陥の少ない電子写真感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電子写真感光体の製造方法を示したフロ−チャ−ト。
【図２】（Ａ）は本発明に用いられる基体の端面近傍の断面図、（Ｂ）は成膜工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図、（Ｃ）は面取り面膜除去工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図、（Ｄ）は外周面研磨工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図。
【図３】本発明に用いられるＣＶＤ装置の一例を示す模式的な断面図。
【図４】本発明で用いる研磨装置の模式的な図であって、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図。
【図５】本発明の電子写真感光体の層構成を示す図。
【図６】面取り面膜除去工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は本発明の電子写真感光体の製造方法を示したフロ−チャ−トである。本発明の電子写真感光体の製造フロ−は（１）成膜工程、（２）面取り面膜除去工程、（３）外周面研磨工程からなる。以下各工程を順に説明する。
【００１１】
（１）成膜工程（ステップＳ１）
成膜工程では円筒状の基体の表面（外周面および面取り面）にＣＶＤ法により堆積膜を形成する。図２（Ａ）は本発明に用いられる基体の端面近傍の断面図である。基体１の外周面２と端面３の境界部は面取り加工が施されて面取り面４が形成されている。面取り面４は旋削加工により形成される。図２における面取り面はＣ面取りを表しているが、面取り面は曲面（Ｒ面取り）であっても良い。Ｃ面取りの面取り幅ａまたはＲ面取りの曲面の半径は０．０１ｍｍから２ｍｍ程度とすることができる。また、断面で見たときに面取り面４と外周面２のなす角度Θが１３５°より大きくてもよく、この場合外周面２の面取り幅ａを０．０１ｍｍから１０ｍｍ程度とすることができる。
【００１２】
基体の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００１３】
円筒状の基体を製造する方法は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる場合、押出、引抜、矯正等の工程を経て製造された管材を所定の長さに切断する方法が一般的である。このような方法で製造された基体内部には、押出、引抜、矯正等の工程で多少の残留応力が生じている。このままの状態で基体の旋削加工を施したり、または基体上に堆積膜を形成する際の加熱工程で残留応力が開放されたりすると、基体が変形してしまう。したがって残留応力を除去するために、管材切断後基体に加熱処理（焼鈍）が行われる。加熱処理の温度は通常３００〜４３０℃程度の温度である。基体１の外周面２および端面３は旋削加工が施され基体１の直径および長手寸法がそれぞれ規定される。さらに外周面２と端面３の間に旋削により面取り加工を施して面取り面４が形成される。
【００１４】
図３は成膜工程で用いられるＣＶＤ装置の一例を示す模式的な断面図である。ＣＶＤ装置１０は縦型の真空容器でカソ−ド電極を兼ねた反応容器１２を有し、この反応容器１２内の周囲には容器の縦方向に延びる原料ガス導入管１３が複数本配設されている。原料ガス導入管１３の側面には長手方向に沿って多数の細孔が設けられている。反応容器１２内の中心には、ヒ−タ１４が設けられている。基体１は、補助基体１６と共に基体ホルダ１５に装着された状態で反応容器１２の上部の蓋１７を開けて挿入され、ヒ−タ１４を内側にして反応容器１２の中に縦方向に設置される。また、反応容器１２の側面からマッチングボックス１８を介して高周波電源１９より高周波電力が供給される。
【００１５】
反応容器１２の下部には、原料ガス導入管１３に接続された原料ガス供給管２１が取り付けられ、この供給管２１は、供給バルブ２２を介して図示しないガス供給装置に接続されている。また、反応容器１２の下部には排気管２３が取り付けられている。この排気管２３は排気バルブ２４を介して図示しない排気装置（真空ポンプ）に接続されている。反応容器１２の下部には、基体１が装着された基体ホルダ１５を回転可能にするモ−タ２５、反応容器１２内の内圧を測定する真空計２６が取り付けられている。
【００１６】
上記の装置を用いた高周波プラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ堆積膜の形成は次のようになされる。まず、基体１を基体ホルダ１５にセットし、その上に補助基体１６をセットする。基体１は電子写真感光体の基体となる。基体ホルダ１５を反応容器１２の内部にセットし蓋１７を閉じる。図示しない排気装置により反応容器１２内を所定の圧力まで排気する。以後排気を続けながら、モ−タ２５により基体ホルダ１５を回転させる。ヒ−タ１４により基体１を内側から加熱して、基体１を所定の温度に制御する。基体１が所定の温度に維持されたら、所望の原料ガスをそれぞれの流量制御器（不図示）により調節しながら、原料ガス導入管１３を通って反応容器１２の中に導入する。導入された原料ガスは排気管２３を通って反応容器１２の外に排気される。
【００１７】
原料ガスが満たされた反応容器１２内が所定の圧力になって安定したことを真空計２６により確認したら、高周波電源１９（例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯域）により、高周波電力を所望の投入電力量で反応容器１２の中に導入する。このようにして反応容器１２の中にグロ−放電を発生させる。このグロ−放電のエネルギーによって、原料ガスが分解してラジカルが生成され、基体１の表面にシリコンを主体とした堆積膜が形成される。
【００１８】
このようにして、基体１の表面に堆積膜が所望の膜厚で形成されたら、高周波電力の供給を止め、供給バルブ２２等を閉じて、反応容器１２内への原料ガスの導入を停止し、一層分の堆積膜の形成を終える。ガス種、ガス導入量、ガス導入比率、圧力、基体温度、投入電力、膜厚などのパラメ−タを調整することにより様々な特性の堆積膜を形成することができ、電子写真感光体としての特性を制御することができる。同様の操作を複数回繰り返すことにより所望の感光体特性を有する堆積膜を形成する。
【００１９】
成膜工程終了時の基体の状態を示す断面図を図２（Ｂ）に示す。基体１の外周面２および面取り面４に堆積膜５が形成されている。また外周面には堆積膜５の異常成長によって生じた球状突起６が散在している。
【００２０】
（２）面取り面膜除去工程（ステップＳ２）
面取り面膜除去工程では面取り面４に形成された堆積膜を面取り面４の全周にわたって除去して基体の表面（面取り面４）を露出させる。面取り面膜除去工程は外周面研磨工程の前に実施することが重要である。工程順序をこのようにすることにより、外周面の研磨時に面取り面から剥離した堆積膜が外周面の堆積膜最表面を傷つけることを抑制できる。また、面取り面の堆積膜を全周にわたって除去するので本発明の感光体を電子写真装置で使用している最中に面取り面から剥離した堆積膜が電子写真感光体の外周面を傷つけて画像欠陥を生起するということも抑制できる。
【００２１】
また、後述する研磨装置を使用して面取り面膜除去工程と外周面研磨工程を同一の研磨装置で基体を取り外すことなく連続的に実施してもよい。この方法によればそれぞれの工程のための専用装置を必要としないので生産装置のコスト上昇を抑制できる。また面取り面膜除去工程から外周面研磨工程へ移行する際に、面取り面膜除去用の研磨装置から外周面研磨用の研磨装置へ基体を移動させる必要がないので生産性を低下させることがない。
【００２２】
面取り面４に形成された堆積膜を除去して基体の表面を露出させる方法として、物理的な方法と化学的な方法を用いることができる。物理的な方法として砥石、スポンジ研磨剤、サンドペーパー、研磨フィルム、金属やすりなどの研削材を用いた研削、バイトを用いた旋削、ビーズなどを吹き付けるブラストなどの方法を利用することができる。化学的な方法としてエッチングガスを用いたドライエッチングを利用することができる。また物理的な方法と化学的な方法を併用する化学機械研磨（ＣＭＰ）を利用することができる。
【００２３】
研削材である砥石は砥粒と結合材からなる。砥粒としてはアルミナ系のＡ（アランダム）、ＷＡ（ホワイトアランダム）、ＰＡ（ピンクアランダム）、ＨＡ（解体型アルミナ）、ＡＥ（人造エメリー）、ＡＺ（アルミナジルコニア）、炭化ケイ素系のＣ（カーボランダム）、ＧＣ（グリーンカーボランダム）などの材料が挙げられる。結合材としてはビトリファイド（Ｖ）、レジノイド（Ｂ）、ラバー（Ｒ）、シリケート（Ｓ）、セラック（Ｅ）、メタル（Ｍ）、電着（Ｐ）、マグネシアセメント（Ｍｇ）など材料が挙げられる。砥粒の粒度は＃１００から＃２０００の範囲で、押し当てる加圧力と処理時間に応じて選択される。
【００２４】
別の研削材であるスポンジ研磨剤、サンドペーパー、研磨フィルムは、それぞれ基材としてスポンジ、紙・布、プラスチックフィルムを用い、これらの基材上に前述の砥粒を塗布したものである。これらの研削材を回転する基体の面取り面に押し当てることにより、面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
バイトの種類として高速度鋼、超鋼などの鋼材のほか、サーメット、セラミックス、ダイヤモンド、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）などの刃先材料を用いることができる。これらのバイトを回転する基体の面取り面に押し当てることにより、面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
【００２５】
ビーズの種類として前述の砥粒のほか、ガラス、珪砂、ステンレスなどの細粒を用いることができる。基体の面取り面以外の部分をマスキングし、これらのビーズを圧縮空気や液体の噴流によって吹き付けることにより面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
エッチングガスとしてＣｌＦ３、ＣＦ４などのハロゲン系ガスを用いることができる。基体の面取り面以外の部分をマスキングし、これらのガスを吹き付けることにより面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
【００２６】
面取り面４に形成された堆積膜を除去して基体の表面を露出させる方法として砥石を用いる場合に用いる研磨装置の一例を以下に示す。図４（Ａ）は研磨装置の模式的な断面図、図４（Ｂ）はその上面図である。研磨装置３０は基体１の面取り面の堆積膜を全周にわたって研削して除去するための砥石３１と外周面に形成された球状突起を研磨して除去するための研磨テープ３３を備えている。
砥石３１は基体１の面取り面に沿うように砥石ホルダ３２に保持されている。面取り面の堆積膜を全周にわたって研削して除去する際には砥石３１が加圧機構４３によって基体の面取り面に押し当てられる。
【００２７】
研磨テープ３３は長尺のロール状であり、ガイドローラー３４に案内されて順次引き出され巻き取り部材３５に回収される。遮蔽部材３６は面取り面膜除去に伴う粉塵が飛散して研磨テープ３３に付着しないようにするためのものであり、面取り面膜除去工程時に基体１と研磨テープ３３の間に配置される。遮蔽部材３６としてたとえば巻き取り可能なロールスクリーンを用いることができる。外周面に形成された球状突起を研磨して除去する際には加圧ローラー４１が加圧機構４２によって基体外周面に押し当てられる。加圧機構４２および４３はエアシリンダ、スプリングなどを用いることができる。
【００２８】
基体１を保持するために、まずクランプ３７を基体端部に向かって移動させる。次にクランプ３７を不図示の圧縮空気供給手段によって膨張させ基体１を内周面で保持する。基体１を内周面で保持する方法としてはこの他にコレットチャックを用いる方法、テーパー形状の保持部材を嵌合させる方法などを用いることができる。
【００２９】
面取り面膜除去工程は以下のように実施する。図４において基体１をクランプ３７で保持し、基体１をモーター３８で時計回りに回転させる。続いて加圧機構４３により砥石３１を基体１の面取り面に接触させる。面取り面に形成された堆積膜を砥石３１で除去した後、砥石３１を基体１から離し、基板表面に付着した膜片等の異物をブロワー４０で吹き飛ばす。ブロワーに加えてブラシやスポンジなどによる拭き取りを併用しても良い。また、異物が研磨装置の筐体内部に飛散することを抑制するために筐体内部を排気する排気機構を備えていても良い。基体１の回転速度は線速度で１〜１００ｃｍ／ｓｅｃ、砥石３１の加圧力は９．８ｋＰａ〜９８０ｋＰａの範囲とすることが好適である。
【００３０】
面取り面膜除去工程終了時の基体の状態を示す断面図を図２（Ｃ）に示す。面取り面４に形成された堆積膜は研削されて除去され、周方向の全周にわたって基体１が露出している。図２（Ｃ）では断面で見たときに面取り面４と堆積膜の端面５ａとが直線をなすように前記堆積膜が研削されて除去されている。面取り面除去工程は面取り面４が露出した時点で終了してもよいし、研削をさらに進めて基体１まで研削してもよい。
【００３１】
（３）外周面研磨工程（ステップＳ３）
外周面研磨工程では外周面２に形成された堆積膜５の表面を研磨する。球状突起６がある場合にはこれが選択的に研磨されて堆積膜５が平滑化される。また、突起研磨だけでなく、堆積膜の表面性を制御する目的で、堆積膜の表面を研磨テープ等により研磨する場合もある。外周面研磨工程は前記面取り面膜除去工程から連続して以下のように実施することができる。図４において基体１をモーター３８で反時計回りに回転させる。遮蔽部材３６を巻き取り部材４４で巻き取って退避させ、リニアガイド３９に従って基体１を移動し、基体１の外周面を研磨テープ３３に接触させる。研磨テープ３３を所定の送り速度で送出・巻き取る。続いて加圧機構４２により加圧ローラー４１を基体１に向かって移動させ、研磨テープ３３を基体１の外周面に押し当てることにより基体１の外周面が研磨される。基体１の回転速度は線速度で１〜１００ｃｍ／ｓｅｃ、研磨テープ３３の送り速度が１〜２０ｃｍ／ｓｅｃ、研磨テープ３３の加圧力は９．８ｋＰａ〜９８０ｋＰａの範囲とすることが好ましい。研磨テープとしてポリエステルやポリエチレンなどのフィルム基材上に砥粒を接着剤で塗布したもの、不織布に砥粒をコーティングしたものなどを用いることができる。砥粒としては砥石と同様の材料を用いることができる。砥粒の粒度は＃１０００から＃４０００の範囲が好適である。
外周面研磨工程終了時の状態を示す基体の断面図を図２（Ｄ）に示す。球状突起が研磨され、外周面２の上の堆積膜５が平滑化された電子写真感光体７が得られた。
【００３２】
＜実施例１＞
基体１としてマグネシウムを２．５重量％含有したＡｌ−Ｍｇ合金からなる円筒状金属素管を用いた。この素管に端面旋削加工、インロ−加工および外周面の鏡面旋削加工を施す。さらに外周面と端面の境界部にＣ面取り加工を施す。Ｃ面取りの面取り幅は０．３ｍｍとした。旋削装置はエグロ社製ＲＬ−５５０ＥＸを用いた。
この基体上に図５に示す層構成の堆積膜を形成した。堆積膜５０は基体１の上に形成された阻止層５１、光導電層５２、表面層５３からなる。それぞれの層は図３に示すＣＶＤ装置を用いて、表１に示す条件で形成した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
堆積膜５０を形成した基体１を図４に示す研磨装置にセットして線速度４０ｃｍ／ｓｅｃの速さで図４における時計回りに回転させる。砥石３１をエアシリンダからなる加圧機構４３で基体１に向かって移動させ、２４０ｋＰａの押圧力で基体に１０秒間、接触させることにより、面取り面４に形成された堆積膜５０を全周にわたって研削し除去した。そして加圧機構４３による加圧を解除して砥石３１を基体１から離す。砥石３１として柳瀬株式会社製セラボンスティック（品番ＣＫ−１０４２１５、粒度＃１０００）を用いた。
【００３５】
つづいて、基体を取り外すことなく同一の研磨装置３０で外周面研磨工程を実施した。基体１を線速度４０ｃｍ／ｓｅｃの速さで図４における反時計回りに回転させる。研削残渣をブロワ−４０によって除去した後、遮蔽部材３６を退避させリニアガイド３９に従って基体１を移動し、基体１の外周面を研磨テープ３３に接触させる。研磨テープ３３を３．３ｃｍ／ｓｅｃの送り速度で送出・巻き取る。続いてエアシリンダからなる加圧機構４２により加圧ローラー４１を基体１に向かって移動させ、研磨テープ３３を基体１の外周面に８０ｋＰａの押圧力で６０秒間接触させることにより外周面２に形成された球状突起６を除去した。研磨テ−プ３３としてレフライト株式会社製ＭＡＸＩＭＡラッピングフィルム（品番ＧＣ４０００、粒度＃４０００）を用いた。
【００３６】
このようにして得られた電子写真感光体を以下のように評価した。電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン社製複写機ｉＲＣ６８８０Ｎを改造した装置）にセットし、Ａ３サイズの全面ハーフトーン原稿を複写して得られた初期画像を出力した。そして、幅０．１ｍｍ長さ３ｍｍ以上の大きさに観察されるスジ状の白抜け（画像欠陥の部分）の有無を観察した。同一条件で４０本作製した電子写真感光体で評価したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは０本だった。
【００３７】
引き続きこの電子写真装置で印字率２％のヨコ線チャートの複写画像を５万枚出力したのち、Ａ３サイズの全面ハーフトーン原稿を複写して得られた画像を出力し、幅０．１ｍｍ長さ３ｍｍ以上の大きさに観察される白抜け有無の評価を行った。５万枚出力後でも白抜けは発生しなかった。５万枚出力後の電子写真感光体を取り出して観察したところ外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜に特に剥れは見られなかった。
【００３８】
＜比較例１＞
上記実施例１において面取り面に形成された堆積膜を除去せずに外周面研磨工程を実施したほかは実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。実施例１と同様の評価を実施したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは４０本中２本だった。これは、球状突起を除去するための研磨工程において面取り面から堆積膜の剥離が発生し、その結果剥離した堆積膜が研磨テ−プと堆積膜表面の間に侵入し摺擦されることにより堆積膜表面を傷つけたためと考えられる。
また、５万枚出力後に白抜けが観察されたものは４０本中３本だった。５万枚出力後に白抜けが発生した電子写真感光体を取り出して観察したところ面取り面および面取り面と外周面の境界部に形成された堆積膜にごくわずかに剥れが見られた。５万枚出力後の白抜けの増加は面取り面から剥離した堆積膜によるものと考えられる。
【００３９】
＜比較例２＞
上記実施例１において外周面研磨工程を実施した後に面取り面に形成された堆積膜を除去したほかは実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。実施例１と同様の評価を実施したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは４０本中２本だった。初期のスジ状の白抜けは比較例１と同じ原因によるものと考えられる。また、５万枚出力後に観察される白抜けが観察されたものは４０本中２本だった。５万枚出力後の電子写真感光体を取り出して観察したところ外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜に特に剥れは見られなかった。５万枚出力後でも白抜けが悪化しなかったのは面取り面から剥離する堆積膜がないことによるものと考えられる。
【００４０】
＜実施例２＞
基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程において、面取り面と堆積膜が連続した曲面をなすように堆積膜および基体を研削するようにしたほかは実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。図６に示すように連続した曲面はその断面がほぼ楕円形状であり、長軸の長さＡが２ｍｍ、短軸の長さＢが１ｍｍとなるように砥石３１の表面形状を加工したものを用いて堆積膜５および基体の面取り面４を研削した。
【００４１】
実施例１と同様に評価したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは４０本中０本だった。５万枚出力後でも白抜けは発生しなかった。５万枚出力後の電子写真感光体を取り出して観察したところ外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜にも剥れは見られなかった。本実施例では外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜の剥れがより抑制されると考えらる。
以上の実施例および比較例の製造方法ならびに評価結果をまとめて表２に示した。以上の実施例および比較例から本発明の効果が明らかになった。
【００４２】
【表２】
【符号の説明】
【００４３】
１ 基体
２ 外周面
３ 端面
４ 面取り面
５ 堆積膜
６ 球状突起
７ 電子写真感光体
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体としてアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）が高速・高耐久性を求められる電子写真装置に用いられている。ａ−Ｓｉ感光体の構造は、例えばアルミニウム合金からなる円筒状の基体の上にＣＶＤ法によりａ−Ｓｉを主体とする堆積膜を形成してなる。堆積膜は基体からの電荷注入を阻止するための阻止層、光電荷を発生させるための光導電層、表面を保護し適当な抵抗で帯電電荷を保持するための表面層が積層されているものが一般的である。
【０００３】
ＣＶＤ法によって形成される堆積膜は基体の上の微小な付着物や基体の欠陥を起点に異常成長する場合がある。異常成長は断面方向から見た場合にすり鉢状に成長し、それが堆積膜の最表面に球面形状に突出する球状突起となって現れる。このようにして形成されたａ−Ｓｉ感光体を電子写真装置で用いた場合に残留トナ−を除去するクリ−ニングブレ−ドを破損したり、球状突起を起点にトナ−の融着が発生し拡大したりするといった問題点があった。
【０００４】
上記のような問題点の対策として、堆積膜の最表面の球状突起を研磨して除去する方法が提案され実施されている。例えば特公平７−７７７０２号公報には、基体を回転させ堆積膜の表面に研磨テ−プを押し当てることにより表面の球状突起を除去することが記載されている。
また突起の研磨だけでなく、堆積膜の表面性を制御する目的で、堆積膜の表面を研磨テープ等により研磨する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平７−７７７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ａ−Ｓｉ感光体の基体の端部は取扱性向上のためにＣ面取りなどの面取り加工が施されていることが一般的である。ＣＶＤ法により形成される堆積膜は通常この面取り面にも形成される。しかしながら、面取り面に形成された堆積膜は外周面に形成された堆積膜と比べて剥離しやすい。前述した堆積膜の表面の球状突起を除去するための研磨工程においてもこのような剥離が発生する場合がある。その結果、剥離した堆積膜が研磨テ−プと堆積膜の最表面との間に侵入し摺擦されることにより正常な部分の堆積膜を傷つける「研磨キズ」を発生させ、スジ状の画像欠陥として現れてしまうことがあるという問題点があった。本発明の目的は、堆積膜表面を研磨するときに傷の発生を抑制して研磨できる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、前記基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程と、前記基体の外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、を順次実施することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。面取り面は基体の外周面と端面の間に形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば堆積膜表面を研磨するときに傷の発生を抑制して研磨することができる。また基体の面取り面から堆積膜が剥離することを抑制することができる。その結果、電子写真装置で用いた場合に初期および多数枚の出力後でも画像欠陥の少ない電子写真感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電子写真感光体の製造方法を示したフロ−チャ−ト。
【図２】（Ａ）は本発明に用いられる基体の端面近傍の断面図、（Ｂ）は成膜工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図、（Ｃ）は面取り面膜除去工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図、（Ｄ）は外周面研磨工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図。
【図３】本発明に用いられるＣＶＤ装置の一例を示す模式的な断面図。
【図４】本発明で用いる研磨装置の模式的な図であって、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図。
【図５】本発明の電子写真感光体の層構成を示す図。
【図６】面取り面膜除去工程の終了時の基体の状態を示す模式的な断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は本発明の電子写真感光体の製造方法を示したフロ−チャ−トである。本発明の電子写真感光体の製造フロ−は（１）成膜工程、（２）面取り面膜除去工程、（３）外周面研磨工程からなる。以下各工程を順に説明する。
【００１１】
（１）成膜工程（ステップＳ１）
成膜工程では円筒状の基体の表面（外周面および面取り面）にＣＶＤ法により堆積膜を形成する。図２（Ａ）は本発明に用いられる基体の端面近傍の断面図である。基体１の外周面２と端面３の境界部は面取り加工が施されて面取り面４が形成されている。面取り面４は旋削加工により形成される。図２における面取り面はＣ面取りを表しているが、面取り面は曲面（Ｒ面取り）であっても良い。Ｃ面取りの面取り幅ａまたはＲ面取りの曲面の半径は０．０１ｍｍから２ｍｍ程度とすることができる。また、断面で見たときに面取り面４と外周面２のなす角度Θが１３５°より大きくてもよく、この場合外周面２の面取り幅ａを０．０１ｍｍから１０ｍｍ程度とすることができる。
【００１２】
基体の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００１３】
円筒状の基体を製造する方法は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる場合、押出、引抜、矯正等の工程を経て製造された管材を所定の長さに切断する方法が一般的である。このような方法で製造された基体内部には、押出、引抜、矯正等の工程で多少の残留応力が生じている。このままの状態で基体の旋削加工を施したり、または基体上に堆積膜を形成する際の加熱工程で残留応力が開放されたりすると、基体が変形してしまう。したがって残留応力を除去するために、管材切断後基体に加熱処理（焼鈍）が行われる。加熱処理の温度は通常３００〜４３０℃程度の温度である。基体１の外周面２および端面３は旋削加工が施され基体１の直径および長手寸法がそれぞれ規定される。さらに外周面２と端面３の間に旋削により面取り加工を施して面取り面４が形成される。
【００１４】
図３は成膜工程で用いられるＣＶＤ装置の一例を示す模式的な断面図である。ＣＶＤ装置１０は縦型の真空容器でカソ−ド電極を兼ねた反応容器１２を有し、この反応容器１２内の周囲には容器の縦方向に延びる原料ガス導入管１３が複数本配設されている。原料ガス導入管１３の側面には長手方向に沿って多数の細孔が設けられている。反応容器１２内の中心には、ヒ−タ１４が設けられている。基体１は、補助基体１６と共に基体ホルダ１５に装着された状態で反応容器１２の上部の蓋１７を開けて挿入され、ヒ−タ１４を内側にして反応容器１２の中に縦方向に設置される。また、反応容器１２の側面からマッチングボックス１８を介して高周波電源１９より高周波電力が供給される。
【００１５】
反応容器１２の下部には、原料ガス導入管１３に接続された原料ガス供給管２１が取り付けられ、この供給管２１は、供給バルブ２２を介して図示しないガス供給装置に接続されている。また、反応容器１２の下部には排気管２３が取り付けられている。この排気管２３は排気バルブ２４を介して図示しない排気装置（真空ポンプ）に接続されている。反応容器１２の下部には、基体１が装着された基体ホルダ１５を回転可能にするモ−タ２５、反応容器１２内の内圧を測定する真空計２６が取り付けられている。
【００１６】
上記の装置を用いた高周波プラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ堆積膜の形成は次のようになされる。まず、基体１を基体ホルダ１５にセットし、その上に補助基体１６をセットする。基体１は電子写真感光体の基体となる。基体ホルダ１５を反応容器１２の内部にセットし蓋１７を閉じる。図示しない排気装置により反応容器１２内を所定の圧力まで排気する。以後排気を続けながら、モ−タ２５により基体ホルダ１５を回転させる。ヒ−タ１４により基体１を内側から加熱して、基体１を所定の温度に制御する。基体１が所定の温度に維持されたら、所望の原料ガスをそれぞれの流量制御器（不図示）により調節しながら、原料ガス導入管１３を通って反応容器１２の中に導入する。導入された原料ガスは排気管２３を通って反応容器１２の外に排気される。
【００１７】
原料ガスが満たされた反応容器１２内が所定の圧力になって安定したことを真空計２６により確認したら、高周波電源１９（例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯域）により、高周波電力を所望の投入電力量で反応容器１２の中に導入する。このようにして反応容器１２の中にグロ−放電を発生させる。このグロ−放電のエネルギーによって、原料ガスが分解してラジカルが生成され、基体１の表面にシリコンを主体とした堆積膜が形成される。
【００１８】
このようにして、基体１の表面に堆積膜が所望の膜厚で形成されたら、高周波電力の供給を止め、供給バルブ２２等を閉じて、反応容器１２内への原料ガスの導入を停止し、一層分の堆積膜の形成を終える。ガス種、ガス導入量、ガス導入比率、圧力、基体温度、投入電力、膜厚などのパラメ−タを調整することにより様々な特性の堆積膜を形成することができ、電子写真感光体としての特性を制御することができる。同様の操作を複数回繰り返すことにより所望の感光体特性を有する堆積膜を形成する。
【００１９】
成膜工程終了時の基体の状態を示す断面図を図２（Ｂ）に示す。基体１の外周面２および面取り面４に堆積膜５が形成されている。また外周面には堆積膜５の異常成長によって生じた球状突起６が散在している。
【００２０】
（２）面取り面膜除去工程（ステップＳ２）
面取り面膜除去工程では面取り面４に形成された堆積膜を面取り面４の全周にわたって除去して基体の表面（面取り面４）を露出させる。面取り面膜除去工程は外周面研磨工程の前に実施することが重要である。工程順序をこのようにすることにより、外周面の研磨時に面取り面から剥離した堆積膜が外周面の堆積膜最表面を傷つけることを抑制できる。また、面取り面の堆積膜を全周にわたって除去するので本発明の感光体を電子写真装置で使用している最中に面取り面から剥離した堆積膜が電子写真感光体の外周面を傷つけて画像欠陥を生起するということも抑制できる。
【００２１】
また、後述する研磨装置を使用して面取り面膜除去工程と外周面研磨工程を同一の研磨装置で基体を取り外すことなく連続的に実施してもよい。この方法によればそれぞれの工程のための専用装置を必要としないので生産装置のコスト上昇を抑制できる。また面取り面膜除去工程から外周面研磨工程へ移行する際に、面取り面膜除去用の研磨装置から外周面研磨用の研磨装置へ基体を移動させる必要がないので生産性を低下させることがない。
【００２２】
面取り面４に形成された堆積膜を除去して基体の表面を露出させる方法として、物理的な方法と化学的な方法を用いることができる。物理的な方法として砥石、スポンジ研磨剤、サンドペーパー、研磨フィルム、金属やすりなどの研削材を用いた研削、バイトを用いた旋削、ビーズなどを吹き付けるブラストなどの方法を利用することができる。化学的な方法としてエッチングガスを用いたドライエッチングを利用することができる。また物理的な方法と化学的な方法を併用する化学機械研磨（ＣＭＰ）を利用することができる。
【００２３】
研削材である砥石は砥粒と結合材からなる。砥粒としてはアルミナ系のＡ（アランダム）、ＷＡ（ホワイトアランダム）、ＰＡ（ピンクアランダム）、ＨＡ（解体型アルミナ）、ＡＥ（人造エメリー）、ＡＺ（アルミナジルコニア）、炭化ケイ素系のＣ（カーボランダム）、ＧＣ（グリーンカーボランダム）などの材料が挙げられる。結合材としてはビトリファイド（Ｖ）、レジノイド（Ｂ）、ラバー（Ｒ）、シリケート（Ｓ）、セラック（Ｅ）、メタル（Ｍ）、電着（Ｐ）、マグネシアセメント（Ｍｇ）など材料が挙げられる。砥粒の粒度は＃１００から＃２０００の範囲で、押し当てる加圧力と処理時間に応じて選択される。
【００２４】
別の研削材であるスポンジ研磨剤、サンドペーパー、研磨フィルムは、それぞれ基材としてスポンジ、紙・布、プラスチックフィルムを用い、これらの基材上に前述の砥粒を塗布したものである。これらの研削材を回転する基体の面取り面に押し当てることにより、面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
バイトの種類として高速度鋼、超鋼などの鋼材のほか、サーメット、セラミックス、ダイヤモンド、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）などの刃先材料を用いることができる。これらのバイトを回転する基体の面取り面に押し当てることにより、面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
【００２５】
ビーズの種類として前述の砥粒のほか、ガラス、珪砂、ステンレスなどの細粒を用いることができる。基体の面取り面以外の部分をマスキングし、これらのビーズを圧縮空気や液体の噴流によって吹き付けることにより面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
エッチングガスとしてＣｌＦ３、ＣＦ４などのハロゲン系ガスを用いることができる。基体の面取り面以外の部分をマスキングし、これらのガスを吹き付けることにより面取り面に形成された堆積膜を除去することができる。
【００２６】
面取り面４に形成された堆積膜を除去して基体の表面を露出させる方法として砥石を用いる場合に用いる研磨装置の一例を以下に示す。図４（Ａ）は研磨装置の模式的な断面図、図４（Ｂ）はその上面図である。研磨装置３０は基体１の面取り面の堆積膜を全周にわたって研削して除去するための砥石３１と外周面に形成された球状突起を研磨して除去するための研磨テープ３３を備えている。
砥石３１は基体１の面取り面に沿うように砥石ホルダ３２に保持されている。面取り面の堆積膜を全周にわたって研削して除去する際には砥石３１が加圧機構４３によって基体の面取り面に押し当てられる。
【００２７】
研磨テープ３３は長尺のロール状であり、ガイドローラー３４に案内されて順次引き出され巻き取り部材３５に回収される。遮蔽部材３６は面取り面膜除去に伴う粉塵が飛散して研磨テープ３３に付着しないようにするためのものであり、面取り面膜除去工程時に基体１と研磨テープ３３の間に配置される。遮蔽部材３６としてたとえば巻き取り可能なロールスクリーンを用いることができる。外周面に形成された球状突起を研磨して除去する際には加圧ローラー４１が加圧機構４２によって基体外周面に押し当てられる。加圧機構４２および４３はエアシリンダ、スプリングなどを用いることができる。
【００２８】
基体１を保持するために、まずクランプ３７を基体端部に向かって移動させる。次にクランプ３７を不図示の圧縮空気供給手段によって膨張させ基体１を内周面で保持する。基体１を内周面で保持する方法としてはこの他にコレットチャックを用いる方法、テーパー形状の保持部材を嵌合させる方法などを用いることができる。
【００２９】
面取り面膜除去工程は以下のように実施する。図４において基体１をクランプ３７で保持し、基体１をモーター３８で時計回りに回転させる。続いて加圧機構４３により砥石３１を基体１の面取り面に接触させる。面取り面に形成された堆積膜を砥石３１で除去した後、砥石３１を基体１から離し、基板表面に付着した膜片等の異物をブロワー４０で吹き飛ばす。ブロワーに加えてブラシやスポンジなどによる拭き取りを併用しても良い。また、異物が研磨装置の筐体内部に飛散することを抑制するために筐体内部を排気する排気機構を備えていても良い。基体１の回転速度は線速度で１〜１００ｃｍ／ｓｅｃ、砥石３１の加圧力は９．８ｋＰａ〜９８０ｋＰａの範囲とすることが好適である。
【００３０】
面取り面膜除去工程終了時の基体の状態を示す断面図を図２（Ｃ）に示す。面取り面４に形成された堆積膜は研削されて除去され、周方向の全周にわたって基体１が露出している。図２（Ｃ）では断面で見たときに面取り面４と堆積膜の端面５ａとが直線をなすように前記堆積膜が研削されて除去されている。面取り面除去工程は面取り面４が露出した時点で終了してもよいし、研削をさらに進めて基体１まで研削してもよい。
【００３１】
（３）外周面研磨工程（ステップＳ３）
外周面研磨工程では外周面２に形成された堆積膜５の表面を研磨する。球状突起６がある場合にはこれが選択的に研磨されて堆積膜５が平滑化される。また、突起研磨だけでなく、堆積膜の表面性を制御する目的で、堆積膜の表面を研磨テープ等により研磨する場合もある。外周面研磨工程は前記面取り面膜除去工程から連続して以下のように実施することができる。図４において基体１をモーター３８で反時計回りに回転させる。遮蔽部材３６を巻き取り部材４４で巻き取って退避させ、リニアガイド３９に従って基体１を移動し、基体１の外周面を研磨テープ３３に接触させる。研磨テープ３３を所定の送り速度で送出・巻き取る。続いて加圧機構４２により加圧ローラー４１を基体１に向かって移動させ、研磨テープ３３を基体１の外周面に押し当てることにより基体１の外周面が研磨される。基体１の回転速度は線速度で１〜１００ｃｍ／ｓｅｃ、研磨テープ３３の送り速度が１〜２０ｃｍ／ｓｅｃ、研磨テープ３３の加圧力は９．８ｋＰａ〜９８０ｋＰａの範囲とすることが好ましい。研磨テープとしてポリエステルやポリエチレンなどのフィルム基材上に砥粒を接着剤で塗布したもの、不織布に砥粒をコーティングしたものなどを用いることができる。砥粒としては砥石と同様の材料を用いることができる。砥粒の粒度は＃１０００から＃４０００の範囲が好適である。
外周面研磨工程終了時の状態を示す基体の断面図を図２（Ｄ）に示す。球状突起が研磨され、外周面２の上の堆積膜５が平滑化された電子写真感光体７が得られた。
【００３２】
＜実施例１＞
基体１としてマグネシウムを２．５重量％含有したＡｌ−Ｍｇ合金からなる円筒状金属素管を用いた。この素管に端面旋削加工、インロ−加工および外周面の鏡面旋削加工を施す。さらに外周面と端面の境界部にＣ面取り加工を施す。Ｃ面取りの面取り幅は０．３ｍｍとした。旋削装置はエグロ社製ＲＬ−５５０ＥＸを用いた。
この基体上に図５に示す層構成の堆積膜を形成した。堆積膜５０は基体１の上に形成された阻止層５１、光導電層５２、表面層５３からなる。それぞれの層は図３に示すＣＶＤ装置を用いて、表１に示す条件で形成した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
堆積膜５０を形成した基体１を図４に示す研磨装置にセットして線速度４０ｃｍ／ｓｅｃの速さで図４における時計回りに回転させる。砥石３１をエアシリンダからなる加圧機構４３で基体１に向かって移動させ、２４０ｋＰａの押圧力で基体に１０秒間、接触させることにより、面取り面４に形成された堆積膜５０を全周にわたって研削し除去した。そして加圧機構４３による加圧を解除して砥石３１を基体１から離す。砥石３１として柳瀬株式会社製セラボンスティック（品番ＣＫ−１０４２１５、粒度＃１０００）を用いた。
【００３５】
つづいて、基体を取り外すことなく同一の研磨装置３０で外周面研磨工程を実施した。基体１を線速度４０ｃｍ／ｓｅｃの速さで図４における反時計回りに回転させる。研削残渣をブロワ−４０によって除去した後、遮蔽部材３６を退避させリニアガイド３９に従って基体１を移動し、基体１の外周面を研磨テープ３３に接触させる。研磨テープ３３を３．３ｃｍ／ｓｅｃの送り速度で送出・巻き取る。続いてエアシリンダからなる加圧機構４２により加圧ローラー４１を基体１に向かって移動させ、研磨テープ３３を基体１の外周面に８０ｋＰａの押圧力で６０秒間接触させることにより外周面２に形成された球状突起６を除去した。研磨テ−プ３３としてレフライト株式会社製ＭＡＸＩＭＡラッピングフィルム（品番ＧＣ４０００、粒度＃４０００）を用いた。
【００３６】
このようにして得られた電子写真感光体を以下のように評価した。電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン社製複写機ｉＲＣ６８８０Ｎを改造した装置）にセットし、Ａ３サイズの全面ハーフトーン原稿を複写して得られた初期画像を出力した。そして、幅０．１ｍｍ長さ３ｍｍ以上の大きさに観察されるスジ状の白抜け（画像欠陥の部分）の有無を観察した。同一条件で４０本作製した電子写真感光体で評価したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは０本だった。
【００３７】
引き続きこの電子写真装置で印字率２％のヨコ線チャートの複写画像を５万枚出力したのち、Ａ３サイズの全面ハーフトーン原稿を複写して得られた画像を出力し、幅０．１ｍｍ長さ３ｍｍ以上の大きさに観察される白抜け有無の評価を行った。５万枚出力後でも白抜けは発生しなかった。５万枚出力後の電子写真感光体を取り出して観察したところ外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜に特に剥れは見られなかった。
【００３８】
＜比較例１＞
上記実施例１において面取り面に形成された堆積膜を除去せずに外周面研磨工程を実施したほかは実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。実施例１と同様の評価を実施したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは４０本中２本だった。これは、球状突起を除去するための研磨工程において面取り面から堆積膜の剥離が発生し、その結果剥離した堆積膜が研磨テ−プと堆積膜表面の間に侵入し摺擦されることにより堆積膜表面を傷つけたためと考えられる。
また、５万枚出力後に白抜けが観察されたものは４０本中３本だった。５万枚出力後に白抜けが発生した電子写真感光体を取り出して観察したところ面取り面および面取り面と外周面の境界部に形成された堆積膜にごくわずかに剥れが見られた。５万枚出力後の白抜けの増加は面取り面から剥離した堆積膜によるものと考えられる。
【００３９】
＜比較例２＞
上記実施例１において外周面研磨工程を実施した後に面取り面に形成された堆積膜を除去したほかは実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。実施例１と同様の評価を実施したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは４０本中２本だった。初期のスジ状の白抜けは比較例１と同じ原因によるものと考えられる。また、５万枚出力後に観察される白抜けが観察されたものは４０本中２本だった。５万枚出力後の電子写真感光体を取り出して観察したところ外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜に特に剥れは見られなかった。５万枚出力後でも白抜けが悪化しなかったのは面取り面から剥離する堆積膜がないことによるものと考えられる。
【００４０】
＜実施例２＞
基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程において、面取り面と堆積膜が連続した曲面をなすように堆積膜および基体を研削するようにしたほかは実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。図６に示すように連続した曲面はその断面がほぼ楕円形状であり、長軸の長さＡが２ｍｍ、短軸の長さＢが１ｍｍとなるように砥石３１の表面形状を加工したものを用いて堆積膜５および基体の面取り面４を研削した。
【００４１】
実施例１と同様に評価したところ、初期画像にスジ状の白抜けがあったものは４０本中０本だった。５万枚出力後でも白抜けは発生しなかった。５万枚出力後の電子写真感光体を取り出して観察したところ外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜にも剥れは見られなかった。本実施例では外周面と面取り面の境界部にあたる堆積膜の剥れがより抑制されると考えらる。
以上の実施例および比較例の製造方法ならびに評価結果をまとめて表２に示した。以上の実施例および比較例から本発明の効果が明らかになった。
【００４２】
【表２】
【符号の説明】
【００４３】
１ 基体
２ 外周面
３ 端面
４ 面取り面
５ 堆積膜
６ 球状突起
７ 電子写真感光体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、
前記基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程と、
前記基体の外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、
を順次実施することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記基体の表面を露出させる工程と前記堆積膜の表面を研磨する工程は、同一の研磨装置で前記基体を取り外すことなく実施することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記基体の表面を露出させる工程において、断面で見たときに前記面取り面と前記堆積膜が直線をなすように前記堆積膜を研削することを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記基体の表面を露出させる工程において、前記面取り面と前記堆積膜が連続した曲面をなすように前記堆積膜および基体を研削することを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１】
基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、
前記基体の面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して基体の表面を露出させる工程と、
前記基体の外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、
を順次実施することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記基体の表面を露出させる工程と前記堆積膜の表面を研磨する工程は、同一の研磨装置で前記基体を取り外すことなく実施することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記基体の表面を露出させる工程において、断面で見たときに前記面取り面と前記堆積膜が直線をなすように前記堆積膜を研削することを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記基体の表面を露出させる工程において、前記面取り面と前記堆積膜が連続した曲面をなすように前記堆積膜および基体を研削することを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−８４７１（Ｐ２０１２−８４７１Ａ）
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４６４２８（Ｐ２０１０−１４６４２８）
【出願日】平成２２年６月２８日（２０１０．６．２８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２８日（２０１０．６．２８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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