【課題】充電システムを簡素化でき、かつ、多様な種類の２次電池の充電に対応できる充電装置を提供すること。
【解決手段】充電装置１は、特性取得部１０、充電電圧検出部２０、充電電流決定部３０、および充電電流供給部４０を備える。特性取得部１０は、２次電池ＢＴから、２次電池ＢＴの特性に関するバッテリ側初期情報を取得する。充電電圧検出部２０は、２次電池ＢＴの充電電圧Ｖ_ＢＴを検出する。充電電流決定部３０は、バッテリ側初期情報を用いて、充電電流Ｉ_ＣＨＧの電流値を、充電電圧検出部２０により検出された２次電池ＢＴの充電電圧Ｖ_ＢＴに応じて決定する。充電電流供給部４０は、充電電流決定部３０により決定された電流値の充電電流Ｉ_ＣＨＧを２次電池ＢＴに供給する。 （もっと読む）

【課題】通常負荷時の負荷変動特性が良く、軽負荷時の電気的特性が保証され、小型、かつ簡易な構成、制御のスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチング電源装置２０は、力率改善回路３０と、直列共振コンバータ４０と、負荷状態検出部５０と、軽負荷判定部６０と、軽負荷制御部７０とから構成されている。軽負荷判定部６０は、負荷状態検出部５０が出力する負荷状態検出値Ｓ５０と閾値Ｖａを比較し、Ｓ５０の値が閾値Ｖａ以下であるとき軽負荷であると判定する。軽負荷制御部７０は、軽負荷判定部６０の判定結果Ｓ６０が軽負荷である場合、力率改善回路３０の出力電圧Ｖpfcを一定値低下させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ボディ層の層厚を薄くした場合であってもスイッチオフ時にゲート寄生発振が発生し難い構造を有するトレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｎ⁻型ドリフト層１１４と、ｐ型ボディ層１２０と、ｎ⁻型ドリフト層１１４に達して形成してなる溝１３０と、少なくとも一部を溝１３０の内周面に露出させて形成してなるｎ^＋型ソース領域１４０と、溝１３０の内周面に形成してなるゲート絶縁膜１３２と、ゲート絶縁膜１３２の内周面に形成してなるゲート電極層１３４と、ゲート電極層１３４と絶縁されるとともに、ｎ^＋型ソース領域１４０と接して形成してなるソース電極層１５０とを備え、ｐ型ボディ層１２０におけるｐ型不純物の濃度が最大値を示す深さ位置Ｐが、ｐ型ボディ層１２０の表面の深さ位置Ｐ１と底面の深さ位置Ｐ２との中間に位置する深さ位置Ｐ３よりも深い位置にあるトレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴ１００。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の接触抵抗の値を制御できるサイリスタを提供することを目的としている。
【解決手段】第１導電型半導体基板１４の一方の表面近傍に第１の第２導電型半導体領域１６が形成され、第１の第２導電型半導体領域の表面近傍にカソード電極２０と接合する第１導電型半導体領域１７およびゲート電極２１と接合する第２の第２導電型半導体領域１８が形成され、第１導電型半導体基板の他方の表面近傍にアノード電極２２と接合する第３の第２導電型半導体基板１３が形成されたサイリスタにおいて、ゲート電極と第２の第２導電型半導体領域とが接合してオーミック接触を形成し、ゲート電極と第１の第２導電型半導体領域とが接合して非オーミック接触を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄型化が可能であり、かつ絶縁性を向上させることの可能なパワーモジュール、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によるパワーモジュール５０は、ランド部１２ｂを有する配線基板１０と、上面に端子部２６ａを有し、かつ配線基板１０上に実装された半導体チップ２６と、半導体チップ２６および前記ランド部１２ｂを覆うように配線基板１０の上方に設けられ、かつ、ランド部１２ｂおよび端子部２６ａを電気的に接続するフレキシブルプリント基板２０と、配線基板１０とフレキシブルプリント基板２０との間を充填するとともに、半導体チップ２６を埋め込む絶縁性の樹脂部４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源の起動時において、スイッチング素子に印加される過大な電圧および電流を簡易な回路構成で防止する。
【解決手段】例えば、他励型フライバック方式のスイッチング電源において、起動時に、補助巻線の電圧に基づいて、ゼロ電流を検出する閾値を補助巻線の電圧波形に対してオフセットさせる回路を備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が増大するのを防止することができ、よって、実効的な耐圧を向上させることができ、しかも、特殊なイオン注入やエピタキシャル再成長を用いることなく、製造が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）２１は、ＳｉＣ基板２２の表面側にトレンチ２６が形成され、このトレンチ２６内にゲート絶縁膜２７を介してゲート電極２８が埋め込まれ、このトレンチ２６の両側には、このトレンチ２６より深さが深いトレンチ３０が形成され、トレンチ３０の底部には、高濃度のｐ型の半導体層４１が形成されるとともに、このトレンチ３０の内壁に側壁絶縁膜４２が形成され、さらに、このトレンチ３０内には半導体層４１と非整流性接触する金属性導電体層４３が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間の放電光を安価な構成で検出できる放電光検出回路を提供する。
【解決手段】放電光検出回路１４は、端子１０ａに基準値以上の電圧が加えられた時に導通する電子部品１０において発生し得る放電光を検出する。放電光検出回路は、受光素子１４ａと、増幅部１４ｂと、判定部１４ｃと、オフディレイ部１４ｄと、制御部１４ｅとを備える。受光素子は、検査電極１１から端子に基準値以上の検査電圧または所定の検査電流が加えられた時に発生し得る放電光Ｌを受光して、電気信号Ａに変換する。増幅部は電気信号を増幅する。判定部は、増幅された電気信号Ｂが予め定められた判定値Ｘ以上である期間に判定信号Ｃを出力する。オフディレイ部は、判定信号のオフタイミングを遅延させた遅延判定信号Ｄを出力する。制御部は、遅延判定信号が出力されているか否か定期的に判定し、遅延判定信号が出力されている場合に放電光検出信号Ｅを出力する。 （もっと読む）

【課題】直列接続された複数の２次電池のそれぞれの充電電圧を均一化するセルバランス回路と、このセルバランス回路を複数備えるセルバランス装置と、について、低コスト化および小型化と、２次電池の劣化の抑制と、を実現しつつ、２次電池の充放電時に充電電圧の均一化を行うこと。
【解決手段】セルバランス回路１は、２次電池ＢＴ１、ＢＴ２と対に設けられた複数の巻線Ｗ１、Ｗ２を有するトランスＴと、２次電池ＢＴ１、ＢＴ２と対に設けられた充放電部１１、１２と、を備える。充放電部１１、１２のそれぞれは同期して、２次電池ＢＴ１、ＢＴ２のそれぞれの両端と、巻線Ｗ１、Ｗ２のそれぞれの両端と、を接続する。 （もっと読む）

【課題】容量素子の直列接続を形成するフィールドプレートにおいて、導電性薄膜の間の層間絶縁膜の厚さを増加させても、容量素子による電圧の分圧を均一にできる高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の高圧半導体装置は、第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域と隣接して形成された第2導電型の第2半導体領域と、第2の半導体領域とで第1導電型の第1半導体領域を挟んで形成された、第1導電型の第3半導体領域と、第1半導体領域上に形成された第1絶縁膜上に所定の周期で配列された第1導電膜と、第1導電膜上に形成された第２絶縁膜に、平面視で第1導電膜の離間領域と重なり、かつ当該離間領域の両側に配置されている第1導電膜と一部が重なる位置に周期的に配置されている第2導電膜とを備え、第2導電膜は、第1導電膜の離間領域と対向する領域に第１凸部が設けられている。 （もっと読む）