【課題】電極形成時の金属のつきまわり性を確保し、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄する。
【解決手段】この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】高さが互いに異なる２つのボンディングパッドを備える半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定し、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減する。
【解決手段】ボンディングパッド４２の高さＨ_１がボンディングパッド６２の高さＨ_２より低い半導体光集積素子１０の製造方法であって、複数の半導体光集積素子１０が形成されたウエハを切断することにより、棒状の複数の半導体光集積素子アレイ７０を形成する工程と、複数の半導体光集積素子アレイ７０と複数のスペーサー８０とをウエハの厚さ方向に交互に積層して固定する工程と、半導体光集積素子アレイ７０の両端面上に反射膜４４及び６４を形成する工程とを備える。複数のスペーサー８０の可動部８１は、ボンディングパッド４２に向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】埋込構造を有する半導体光素子において静電放電に伴うデバイス破壊の耐圧を改善可能な構造を有する埋め込みヘテロ構造半導体光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型埋め込み層３１、ｎ型埋め込み層３３及び第１のｉ型埋め込み層３５がｎ型クラッド領域１３の第２部分１３ｂとｐ型クラッド領域１５の第２部分１５ｂとの間に設けられ、また、ｐ型クラッド領域１５、第１のｉ型埋め込み層３５及びｎ型埋め込み層３３は接合Ｊ１を形成するように設けられる。ｐ型クラッド領域１５、第１のｉ型埋め込み層３５及びｎ型埋め込み層３３がｐｉｎ構造を成す。静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の不均一歪みが１３０ａｒｃｓｅｃ以下であり、均一歪みと不均一歪みとは、それらの一方が小さくなるほど他方が小さくなる関係を有し、結晶基板の主表面１ｓの面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】リアクトルの損失低減に効果的な外側コアを製造できる外側コアの製造方法を提供する。
【解決手段】リアクトルに具わる外側コアを平面視した場合、外側コアの平面形状が、外側コアの内側コアとの対向側よりも、その反対側の方が、対向面に沿った幅方向の寸法が小さい形状の加圧成形体である。この外側コアを製造するための製造方法であって、準備工程と、成形工程とを具える。準備工程では、外側コアの原料粉末として、軟磁性粒子に絶縁被膜が被覆された被覆軟磁性粒子を複数具えてなる被覆軟磁性粉末を用意する。成形工程では、相対的に移動可能な柱状の下パンチ１２と筒状のダイ１０Ａとで作られる成形空間３１に、被覆軟磁性粉末を充填し、下パンチ１２と柱状の上パンチ１１とにより成形空間３１内の被覆軟磁性粉末を加圧成形する。その際、外側コアにおける対向面を上パンチ１１で加圧する。 （もっと読む）

【課題】コイル軸方向の寸法を小さくすることができるリアクトルと、そのようなリアクトルを構築するのに最適なリアクトル用ボビンとを提供する。
【解決手段】巻線をらせん状に巻回してなるコイルと、このコイルに嵌め込まれて環状に形成されるコアと、コアが嵌め込まれると共にコイルの両端に当接される枠状ボビン20Fとを備える。枠状ボビン20Fにおけるコイルとの当接面が、巻線により構成されるコイル端部の形態に対応した傾斜面を備える。この構成により、枠状ボビン20Fをコイル端面に対して面接触させることができる。そのため、枠状ボビン20Fの当接面とコイル端面との間にデッドスペースが生じることがなく、リアクトルのコイル軸方向の寸法を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】送受信光源間の周波数オフセットの推定可能範囲を拡張する。
【解決手段】本発明に係る周波数オフセット推定装置２０は、予め定められたタイミングでサンプリングされた多値ＰＳＫ復調信号のシンボル周期Ｔ_ｓｙｍにおける位相変化量である第１周波数オフセット推定値ａを推定する第１周波数オフセット推定部２３と、所定のタイミングでサンプリングされた多値ＰＳＫ復調信号のシンボル周期Ｔ_ｓｙｍ／Ｎ（Ｎは２以上の整数）における位相変化量である第２周波数オフセット推定値ｂを推定する第２周波数オフセット推定部２４と、第１周波数オフセット推定値ａと、第２周波数オフセット推定値ｂと、に基づいて、送受信光源間の周波数オフセットを推定する推定値補正部２５と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光素子の出力電流を良好に測定することが可能な光受信器および受光電流モニタ方法を提供する。
【解決手段】光受信器１０１は、光信号を受信するための受光素子５２と、受光素子５２にバイアス電圧を供給し、かつ受光素子５２の出力電流を電圧に変換するためのバイアス供給／電流電圧変換部２２とを備える。バイアス供給／電流電圧変換部２２は、参照電圧を受ける非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有し、出力端子から差動増幅電圧を出力するための第１の差動増幅回路３１と、第１の差動増幅回路３１の出力端子および反転入力端子間に接続された帰還抵抗３２とを含む。受光素子５２の第１端が、第１の差動増幅回路３１の反転入力端子および帰還抵抗３２と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＰＥＧ２−ＴＴＳを記録部に記録する場合と比較して、記録データ量を削減できるとともに、ヌルパケットを削除した後のトランスポートストリームから削除する前のトランスポートストリームを簡易な処理によって復元することが可能な映像受信装置を得る。
【解決手段】映像受信装置４は、複数のトランスポートパケットを含むトランスポートストリームＳ１を受信する受信部１１と、トランスポートストリームＳ１に含まれている複数のトランスポートパケットからヌルパケットを削除するとともに、削除したヌルパケットの個数に関する削除個数情報をヌルパケットの削除箇所に付加することにより、トランスポートストリームＳ２を生成して記録部１３に記録する、削除処理部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ルータ越えのパケットの捕捉と、ルータの配下にある通信端末の接続確認とを行えるとともに、通信サービスの料金の高騰化やその提供範囲の縮小化を抑制できるパケット捕捉装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、ネットワークを流れるパケットを捕捉するパケット捕捉装置５に関する。この装置５は、グローバルアドレスが割り当てられないＷＡＮポート５Ａと、ローカルアドレスを割り当て可能なＬＡＮポート５Ｂと、ＷＡＮ側とＬＡＮ側との間でルータ３を越えて送受信されるパケットである第１パケットＰ１をＷＡＮポート５Ａから捕捉する捕捉部５２と、ルータ３を越えないパケットである第２パケットＰ２をＬＡＮポート５Ｂから送受信する通信制御部５４とを備える。 （もっと読む）