説明

TDK株式会社により出願された特許

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【課題】高精度な温度補償を実現できる温度補償回路を提案する。
【解決手段】バイアス回路20は、絶対温度に関して正の線形温度特性を有するトランジスタTr1,Tr2,Tr3の電流又は電圧の温度変化を相殺するように、絶対温度に関して負の線形温度特性を有する基準電流をベースバイアス電流としてそれぞれのトランジスタTr1,Tr2,Tr3に供給するCTAT回路30と、CTAT回路30の温度特性とトランジスタTr1,Tr2,Tr3の温度特性とのずれを補償するための温度特性補償回路40を備える。 (もっと読む)


【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサーは、第一強磁性体12Aと、第二強磁性体12Bと、第一強磁性体12Aから第二強磁性体12Bまで延びるチャンネル7と、チャンネル7を覆う磁気シールドS2と、チャンネル7と磁気シールドS2との間に設けられた絶縁膜7bと、を備え、磁気シールドS2は、チャンネル7に向かって延びる貫通穴Hを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 インピーダンス特性と放熱特性とに優れた巻回型の電気化学デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 アノード電極Aを構成する帯状電極は、帯状の主金属箔A1及び主金属箔A1の両面にそれぞれ設けられた一対の活物質層AE1,AE2を有している。カソード電極Kを構成する帯状電極は、帯状の主金属箔K2及び主金属箔K2の両面にそれぞれ設けられた一対の活物質層KE1,KE2を有している。主金属箔A1の露出領域の上面に、帯状の補助金属箔T1が設けられ、主金属箔K2の露出領域の上面に、帯状の補助金属箔T2が設けられている。補助金属箔T1,T2の単独の厚みは、活物質層の単独の厚みよりも厚く、補助金属箔T1,T2は、幅方向の両端に設けられる電極板L1,L2と接触している。 (もっと読む)


【課題】従来と比較して外部磁界の影響をより小さくすることが可能な電流センサを提供する。
【解決手段】環状部11の対向する2つの長辺部13A,13Bの中間部から内側に向けて内側突出部12A,12Bが突出している。内側突出部12A,12Bは、先端部21A,21Bが基端部22A,22Bよりも幅広で、かつ先端部21A,21Bの幅方向両側にそれぞれ凸部25A,25Bを有する。被測定電流の経路である導体70は、第1の区画101を前方から後方に向けて貫き、第2の区画102を後方から前方に貫く。環状部11の短辺部14A,14Bは、内側突出部12A,12Bの基端部22A,22Bよりも幅広である。内側突出部12A,12Bの先端部21A,21Bは相互に対向し、磁気検知素子30は、先端部21A,21Bの間に位置し、かつ先端部21A,21Bの幅方向について両側の凸部25A,25Bよりも先端部21A,21Bの中央寄りに存在する。 (もっと読む)


【課題】静電容量が小さく且つ放電特性に優れた静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成された小型で高性能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品100は、第1及び第2の磁性基体11a、11bに挟まれたコモンモードフィルタ層12a及び静電気対策素子層12bによって構成されている。コモンモードフィルタ層12aは互いに磁気結合された略矩形状のスパイラル導体17,18を備えている。静電気対策素子層12bは、下地絶縁層27の表面に形成されたギャップ電極28,29と、ギャップ電極を覆う静電気吸収層30とを備えている。ギャップ電極28,29のギャップはインダクタンス素子の導体パターンと重ならない位置に配置されており、ギャップの長手方向は第1及び第2のスパイラル導体の直線部分と平行である。静電気吸収層30は静電気保護材料として機能し、過電圧が印加された際に初期放電が確保される。 (もっと読む)


【課題】 デッドスペースを低減でき、耐圧性に優れたシール構造を有する、複数の発電要素を内部に収容するための電気化学デバイス用外装体を提供すること。
【解決手段】 電気化学デバイスの複数の発電要素を、各発電要素間に隔壁7を挟んだ状態で内部に収容するための外装体であって、互いに対向する一対のラミネートフィルム51,52により構成され、上記一対のラミネートフィルム51,52の縁部同士が接着されてなるシール部を有し、上記シール部の少なくとも一部が、上記一対のラミネートフィルム51,52の縁部同士が外装体の内部側に折り曲げられて接着されることで外装体内部に収容された内蔵シール部5となっており、外装体の内部側に折り曲げられた上記縁部の少なくとも一部が、上記隔壁7を構成するように延長されている、電気化学デバイス用外装体。 (もっと読む)


【課題】 インピーダンス特性に優れた巻回型の電気化学デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 アノード電極Aを構成する帯状電極は、帯状の主金属箔A1及び主金属箔A1の両面にそれぞれ設けられた一対の活物質層AE1,AE2を有している。カソード電極Kを構成する帯状電極は、帯状の主金属箔K2及び主金属箔K2の両面にそれぞれ設けられた一対の活物質層KE1,KE2を有している。主金属箔A1の露出領域の上面に、帯状の補助金属箔T1が設けられ、主金属箔K2の露出領域の上面に、帯状の補助金属箔T2が設けられている。補助金属箔T1,T2の単独の厚みは、活物質層の単独の厚みよりも薄い。 (もっと読む)


【課題】セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、高周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも誘電率温度特性に優れ、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】酸化ストロンチウムをSrTiO換算で29.34〜44.70重量%、酸化ビスマスをBi換算で22.56〜28.48重量%、酸化チタンをTiO換算で26.36〜30.27重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で3.61〜5.56重量%、酸化ネオジムを、Nd換算で、1.86〜3.42重量%、酸化マンガンをMnO換算で0.21〜0.99重量%、酸化ケイ素をSiO換算で0.06〜0.50重量%含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】素子本体とメディアとを分離する作業が不要であり、素子本体の端面に形成してある下地電極層の表面にメッキ膜を確実に形成することが可能であり、しかも素子本体の表面にダメージを与えるおそれが少ないチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部電極4,6が内部に形成された素子本体10と、内部電極4,6が露出する素子本体10の端面を覆う端子電極12,14とを有するチップ型電子部品2を製造する方法である。素子本体10の端面に下地電極層12p,14pを形成する。下地電極層12p,14pがそれぞれ形成された複数の素子本体10を、凹状容器20aの内部に収容する。凹状容器20aの内部に液体を入れた状態で、凹状容器20aを第1回転速度で回転させ、素子本体10を、凹状容器の底面20aで内側壁面近くに移動させる。凹状容器20aを第1回転速度よりも高速な第2回転速度で回転させ、素子本体10を内側壁面23aに沿って上方に移動させる。凹状容器20aの回転を停止させる。 (もっと読む)


【課題】 デッドスペースを低減でき、耐圧性に優れたシール構造を有する電気化学デバイス用外装体を提供すること。
【解決手段】 電気化学デバイスの発電要素を内部に収容するための外装体であって、互いに対向する第1のラミネートフィルム51及び第2のラミネートフィルム52により構成され、上記第1及び第2のラミネートフィルム51,52の縁部同士が接着されてなるシール部を有し、上記シール部の少なくとも一部は、上記第2のラミネートフィルム52の縁部が、上記第1のラミネートフィルム51の外装体外部側の面の縁部に重なるように折り曲げられて接着された外面シール部5となっている、電気化学デバイス用外装体。 (もっと読む)


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