【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】上層の電極のコンタクトホール内でのカバレージを向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１エッチング工程で形成されるコンタクトホール３００ａの上部領域３００Ｕａの中心部分からずれた位置に、第２エッチング工程で形成されるコンタクトホールの下部領域３００Ｄａが形成される。これにより、上部領域３００Ｕａの下底部分に水平領域が存在し、その近くにおいては、第２電極３０のオーバハング３０ｈが生じにくくなり、カバレージが向上する。 （もっと読む）

【課題】金属配線に用いられるＡｌにＣｕを添加した合金導電膜の膜質を改善して、ストレスマイグレーション耐性を向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、Ａｌ−Ｃｕ膜の成膜後に予め決められた温度変化で冷却する工程が存在する。これにより、Ａｌ−Ｃｕ膜は、結晶粒と粗密差が生じる領域が従来例よりも狭くなってヒロックの発生が抑制される膜質に改善される。その後に続く製造工程における熱履歴によってヒロックの発生が抑制され、その結果、このＡｌ−Ｃｕ膜を有する配線層から形成された配線のストレスマイグレーション耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】被操作部の操作時における操作子基板の撓みを小さくする。
【解決手段】操作子ユニット５０は、共通基端部５１の肉部５７が操作子基板４０の上面４０ａに常時当接した状態で配設される。上ケース１０の裏面１０ｆから突設される下ケース当接ボス１５が、操作子基板４０及び操作子ユニット５０との干渉を避けるように設けられて、下ケース３０の凹部３５に当接しており、且つ、下ケース当接ボス１５は、共通基端部５１を中心として５つの被操作部５３の配設位置に沿って形成される円よりも内側において共通基端部５１に近い位置に配設される。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖであり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】第３の楽音信号生成系列の追加により、擦弦楽器のリアルな演奏音を実現する。
【解決手段】この楽音生成システムでは、第１楽音信号生成系列ＲＰ１−ＥＰ１，ＲＦ１−ＥＦ１及び第２楽音信号生成系列ＲＰ２−ＥＰ２，ＲＦ２−ＥＦ２に加えて、第３楽音信号生成系列ＲＰ３−ＥＰ３，ＲＦ３−ＥＦ３が設けられる。第１及び第２楽音信号生成系列では、ＬＦＯ周期変動成分Ｌｆとモジュレーションデプス成分Ｖｄを含むピッチシフト値Ｐｓの増減に応答して重みＰｕ，Ｐｄの変化が相反する第１楽音要素信号Ｓｐ１，Ｓｆ１及び第２楽音要素信号Ｓｐ２，Ｓｆ２が生成され、周期変動成分Ｌｆによりビブラート等の変調効果が得られる。一方、第３楽音信号生成系列では、モジュレーションデプスＶｄの大きさに応答して重みが変化する第３楽音要素信号Ｓｐ３，Ｓｆ３が生成され、ピッチ変動に依存しない一定音色の楽音（「ノンビブラート音」や「響き」）が得られる。 （もっと読む）

【課題】簡略な構造でコードの絡みを防止したステレオヘッドホンを提供する。
【解決手段】ステレオケーブルおよび該ステレオケーブルから分岐した２本のモノラルケーブルからなるオーディオケーブルと、ステレオケーブルの端部に接続されたステレオプラグと、２本のモノラルケーブルの各々の端部に接続された２つのスピーカ部と、オーディオケーブルが嵌通し、オーディオケーブルに沿って移動可能なスライダとを備え、前記スライダは、ステレオプラグを係止するプラグ収納部を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖである窒化タンタル膜の単層膜であり、この窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（１／１６５）Ｔ＋（９５／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たす。 （もっと読む）

【課題】自動伴奏中に、つながりが自然な変拍子を入れることができる自動伴奏装置。
【解決手段】この自動伴奏装置では、メインパターンＰｍ及びフィルインパターンＰｆを含む所定拍子の自動伴奏パターンデータとつなぎパターンデータ又はつなぎ音データＣｎとがデータ記憶部Ａに用意されている。自動伴奏パターンデータＰｆを再生しているときにユーザ操作（フィルインスイッチの再操作）に基づく変拍子の指示があると（ｔ２）、この変拍子指示に応じて、自動伴奏パターンデータＰｆの再生が所定のタイミング（所定拍の途中ｔｓ或いは終端ｔｒ）で打ち切られ、新たな自動伴奏パターンデータＰｍの再生が次の小節先頭（ｔｒ）に移行される。その際、パターンデータＰｆの単独再生打ち切り（ｔｓ）からパターンデータＰｍの再生への移行（ｔｒ）までの間（つなぎ期間Ｔｃ内）に、つなぎパターンデータ又はつなぎ音データＣｎが再生され挿入或いは付加される。 （もっと読む）

【課題】従来のものに比べて音質を向上させた、アナログ音声信号処理用の回路を内蔵する集積回路を提供する。
【解決手段】集積回路１０において、入力端子１２，１４から入力されたアナログ音声信号は、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２で構成される抵抗回路網２０で分圧されてオペアンプ２２の非反転入力端に入力される。オペアンプ２２の出力信号は抵抗素子Ｒ３，Ｒ４で構成される抵抗回路網２４で分圧されてオペアンプ２２の反転入力端に帰還される。抵抗素子Ｒ３，Ｒ４の両端の信号が出力端子１６，１８から出力される。抵抗回路網２０，２４を構成する抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ窒化タンタル層３０で構成されている。 （もっと読む）