説明

シャープ株式会社により出願された特許

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【課題】 ユーザに煩雑な作業を強いることなく、電子コンテンツに含まれるオブジェクトに対する非表示の設定の操作性に優れたコンテンツ表示装置を提供する。
【解決手段】 コンテンツ表示装置100において、オブジェクト認識部61は、タッチパネル2において指定されたオブジェクトを認識する。オブジェクトグループ特定部62は、オブジェクト認識部61において認識されたオブジェクトが属するグループであるオブジェクトグループを特定する。そして、非表示処理部63は、表示部1によって表示されている電子コンテンツ111に含まれるオブジェクトのうち、オブジェクトグループ特定部62において特定されたオブジェクトグループに属する複数のオブジェクトを非表示状態にする。 (もっと読む)


【課題】共用プリンタドライバの利点を享受しながら、意図しないプリンタの使用を制限でき、かつその設定を容易に行えるようにする。
【解決手段】プリンタ制御プログラムは、プリンタ制御装置の、使用許可プリンタの指定入力を受け付ける入力部、および使用許可プリンタのみの使用を許可する使用プリンタ制限部としてコンピュータを機能させる第1のプログラムと、共用プリンタドライバをコンピュータにインストールする第2のプログラムとを備える。 (もっと読む)


【課題】複数人で構成されるグループが移動する経路上に設けられた1個以上の機器を到着に先立って制御することができる機器制御装置を提供する。
【解決手段】注視方向検出部2は、グループ内の各人が注視している方向を検出する。方向関係特定部3は、各人が注視している向きと照明機器が存在する方向との関係を特定する。グループ希望方向推定部4は、グループ内の全員について特定した関係に基づいて、グループ全体として照明機器が存在する方向への移動の希望を推定する。制御部5は、グループ希望方向推定部4による推定結果に基づいて、照明機器10_1〜10_Nを制御する。 (もっと読む)


【課題】複数の発光素子が配列された光源を備えた照明装置であって、制御構成の複雑化かつ大型化を招くことなく、温度分布特性の不均一性に関わらず輝度を均一にすることができる照明装置及びそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子17,…が配列された光源70と、複数の発光素子17,…の光度を1個又は複数個単位で個別に制御する光度制御手段121とを備えた照明装置12は、光源70における複数の発光素子17,…の位置情報に対する温度分布特性を示す予め設定した補正テーブルTB1を備え、光度制御手段121は、補正テーブルTB1の温度分布特性に基づいて位置情報に対応した複数の発光素子17,…の光度を制御する。 (もっと読む)


【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子1は、半導体から成る基板10と、基板10中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部11と、基板10上に設けられる絶縁層12と、絶縁層12上に設けられ受光部11が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層13と、固定電荷層13上に設けられる反射防止層14と、基板10中の受光部11と隣接する位置に設けられ受光部11から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部15と、少なくとも電荷転送部15の直上に設けられる転送電極16と、を備える。反射防止層14は、受光部11の直上の領域内に設けられる。 (もっと読む)


【課題】欠陥が生じていない部分にダメージを与えることなく、半導体素子の欠陥を修復する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子10の修復方法においては、検出した欠陥部25上に形成されたレジスト膜18を除去するようにレジスト膜18をパターニングし、当該レジスト膜18をマスクにして半導体層をエッチングすることによって、欠陥部25を取り除く。 (もっと読む)


【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部104を基板101上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部104が、第1導電型の半導体107と、第2導電型の半導体108とを有するようにする。発光部104の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体106を、各発光部104の側壁に接触するように配置する。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このGaN HFETによれば、ボンディング部16Bの第2のパッド部16B‐2は、電極接続部16Aが含有する複数の接続部分19のうちの第2の方向(ソース電極12とドレイン電極11が対向している方向)の一端に配置された接続部分19の上記第2の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線L1に関して第1のパッド部16B‐1とは反対側に位置している。第2のパッド部16B‐2に接続された第2のソース配線24のボンディング箇所の第2の方向の位置を電極接続部16Aのソース電極12との接続部分19の第2の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極12からの電流が第2のソース配線24に流れにくくできる。 (もっと読む)


【課題】レジスト残渣を残さず、かつ、レジストの下層(例えば半導体層)へのダメージを従来よりも抑えることが可能なレジスト除去方法を実現する。
【解決手段】本発明は、素子に付いたレジスト3の一部を除去対象として除去するレジスト除去方法の発明である。本発明では、例えば、除去対象の一部が除去加工されるとともに除去対象の残りの一部6が露光されるように除去対象に向けてレジストが吸収する波長のレーザー光4を照射するとともに、露光された部分6を現像により除去することで、半導体素子に塗布したレジスト3の一部を除去する。 (もっと読む)


【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜8、p型窒化ガリウム(p−GaN)層5、活性化層4及びびn型窒化ガリウム(n−GaN)層3を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜8の残渣Rの垂下長さLがp型窒化ガリウム(p−GaN)層5と活性化層4との合計膜厚Hよりも短くなるように透明導電膜8が除去加工される。 (もっと読む)


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