【課題】メインフレームシステムからオープンシステムへのマイグレーションにおいてＣＰＵサイジングに要する工数を削減しつつ、ＣＰＵサイジングの精度を確保する。
【解決手段】システム構築でのサイジングにおけるＣＰＵ時間を算出するＣＰＵ時間算出システムであって、システム構築における旧システムにおける各取引のＣＰＵ時間を稼動統計より算出する手段と、システム構築における新システムにおける代表的な取引である代表取引のＣＰＵ時間を算出する手段と、代表取引以外の取引について、ＣＰＵ時間を算出した代表取引のいずれの取引で代替するかを決定する手段と、代替した取引とＣＰＵ時間を算出したい取引の比率を旧システムにおけるＣＰＵ時間より算出する手段と、ＣＰＵ時間を算出したい取引のＣＰＵ時間を、比率および代替した取引のＣＰＵ時間より算出する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、入出力装置と中央制御装置間の通信を効率的に行い、制御速度等の運用効率を向上させる制御システムおよび制御システムのメモリ制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】中央制御装置と、制御対象との間でデータの入出力を行う複数の入出力装置と、を備え、前記複数の入出力装置それぞれは、前記制御対象との間で入出力するデータを一時記憶する一時記憶手段を有する制御システムにおいて、前記複数の入出力装置は、前記制御対象との間で入出力を行うための所定の領域を示す構成情報を記憶し、前記複数の入出力装置は、前記構成情報が示す領域を選択してデータを読み出すとともに、当該読み出したデータを前記中央制御装置へ送信し、または、前記中央制御装置からデータを受信するとともに、前記構成情報が示す領域を選択して当該受信したデータを書き出すことを特徴とする制御システム。 （もっと読む）

【課題】業務サーバ上で動作する任意のアプリケーションに対し、より正確にアプリケーションの名称を特定する。
【解決手段】業務クライアントへのサービスを実現するアプリケーションプログラムにより生成したプロセス管理する業務サーバと通信可能に接続される構成管理サーバが、プロセスを識別するためのプロセス識別情報と、プロセスが待ち受けしているポートを示す待受ポート情報と、を対応付けた収集済プロセス一覧を記憶する記憶装置と、指定されたポート情報に基づいて業務サーバからＨＴＭＬ文書を取得し、取得したＨＴＭＬ文書から当該ＨＴＭＬ文書のタイトルを示すＴＩＴＬＥ要素を取得し、取得したＴＩＴＬＥ要素を、指定されたポート情報と一致する収集済プロセス一覧の待受ポート情報に対応付けられたプロセス識別情報のアプリケーション名として特定する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】集電体と電極合剤層との優れた密着性と導電性を兼ね備えたリチウムイオン二次電池用電極とその製造方法、及び優れたサイクル特性を備えたリチウムイオン電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】銅等の集電体１３と、該集電体１３の片面もしくは両面に形成され、活物質１１とバインダとを含む電極合剤層１４と、を備えると共に、集電体１３と電極合剤層１４との界面に、所定の間隔を置いてドット状又はストライプ状に電極合剤層１４よりも相対的にバインダ濃度の高いバインダリッチ層１２を備え、集電体１３の表面上にバインダの濃度勾配を有する。所定の間隔を置いてバインダリッチ層１２を配置することで、アンカー効果によって集電体１３と電極合剤層１４との密着性を向上させると共に、集電体１３と電極合剤層１４との導電性を確保する。 （もっと読む）

【課題】円筒形の燃料電池セルのように固体電解質で形成された閉空間の内部に内側電極が形成されたセル構造の固体酸化物形燃料電池において、燃料利用率を改善し、発電効率を高めることを目的とする。
【解決手段】固体電解質１０４で形成された閉空間の内部に設けられた内側電極１０３と、固体電解質１０４の外面に設けられた外側電極１０５と、内側電極１０３の内側に設けられたガス流路１０２と、内側電極１０３と電気的に接続されたインターコネクタ１０１を有するセルを備えた固体酸化物形燃料電池において、内側電極１０３を挟んで前記インターコネクタ１０１と対向する位置に流量制御部１０６を設け、流量制御部１０６のガス透過率をガス流路１０２のガス透過率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】微細ＣＭＯＳと中高耐圧ＭＯＳＦＥＴとの混載を前提とする集積回路（半導体装置）において、中高耐圧ＭＯＳＦＥＴのチャネル長やしきい値電圧のばらつきを抑制して、設計仕様どおりの安定した回路動作の実現や出力電流密度の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、チャネル領域ＣＨの幅（チャネル長）を小さくしたことにある。具体的には、ゲート電極Ｇと平面的に重なるチャネル領域ＣＨの幅をＬとし、ゲート電極Ｇの厚さをｔとした場合、チャネル領域ＣＨの幅Ｌが、ゲート電極Ｇの厚さｔの１／５倍以上１倍以下になるようにチャネル領域ＣＨを形成する。これにより、チャネル領域ＣＨの幅Ｌを小さくすることができ、しきい値電圧のばらつきを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）