【課題】装置内部のタイミング信号発生系統の構成を変更することなく、非同期形ＤＵＴの試験も行える半導体試験装置を提供すること。
【解決手段】伝送速度が切り換え可能なＤＵＴの試験を行う半導体試験装置において、
前記ＤＵＴの伝送速度の切り換えに応じて、試験を行うためのタイミング信号の周波数を切り換えるタイミング信号周波数切換手段、を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】１個の吸着アームを備えると共に、実装速度の向上と実装位置精度の向上により生産性を高める部品実装装置を提供する。
【解決手段】基板２０１の所定位置に部品供給部５００の部品を実装する部品実装装置において、Ｘ軸，Ｙ軸及びＺ軸回りの回転軸に自由度を有し、所定領域の作業エリア上に位置決め制御される前記基板２０１を搭載する実装ステージ２００及び前記部品を取得するアライメントステージ３００と、シングル吸着アーム８００と、次に実装すべき前記部品Pを前記アライメントステージ３００に搭載された部品受け部３００１に供給する部品供給部５００と、前記アライメントステージ３００上の次に実装すべき前記部品Pの状態を撮影するパターン認識カメラ７００、を備え、前記シングル吸着アーム８００が次に実装すべき前記部品Pを吸着取得した後に、前記実装ステージ２００に搭載された前記基板２０１の所定位置に、前記部品Pを実装する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＰＧが生成したパターンデータに転送エラーが生じたときに、異常が生じた箇所を特定することにより、メンテナンス性を向上させることを目的とする。
【解決手段】ＤＵＴ１を試験するパターンデータを生成するＡＬＰＧ２とパターンデータをＤＵＴ１に印加する複数のＰＥ３とを備える半導体試験装置であって、ＡＬＰＧ２に備えられ、ＰＥ３にパターンデータを分配するピンセレクタ２１から出力される各パターンデータをそれぞれ記憶するＡＬＰＧ用ログメモリ２３と、ＰＥ３ごとに備えられ、ＤＵＴ１に入力されるパターンデータを記憶するＰＥ用ログメモリ１２と、ＡＬＰＧ用ログメモリ２１に記憶されたパターンデータとＰＥ用ログメモリ１２に記憶されたパターンデータとを比較して、ピンセレクタ２１とＰＥ３との間に異常が発生しているか否かを検出する異常部位検出部３２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】燃料電池の状態を詳細に評価することが可能な燃料電池の評価方法および燃料電池の評価装置を提供する。
【解決手段】半電池状態にある燃料電池への水素供給量を変化させるステップと、水素供給量を変化させるステップにより前記水素供給量を変化させつつ、半電池状態にある前記燃料電池の電気特性を計測するステップと、を備える。半電池状態にある燃料電池への水素供給量を変化させつつ、半電池状態にある前記燃料電池の電気特性を計測するので、燃料電池の状態を詳細に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】大容量のガスを小スペースで、且つ安定して供給出来るガス供給装置を実現する。
【解決手段】所定のガスを供給するガス供給装置において、前記所定のガスの冷媒が内蔵される冷媒コンテナと、この冷媒コンテナに設けられ前記冷媒を加熱する加熱手段と、この冷媒コンテナの出力口に接続された流量計と、前記冷媒コンテナに設けられた安全弁とを具備したことを特徴とするガス供給装置である。 （もっと読む）

【課題】二重救済を効率よく回避でき、フェイルセルが救済されたデバイスについて品質の高い判定結果が得られるようにスペアセルラインの組み合わせを最適化できるリダンダンシ機能を有する半導体メモリ試験装置を提供すること。
【解決手段】フェイルとなったメモリセルをスペアセルラインのスペアセルに置き換えるリダンダンシ機能を有する半導体メモリ試験装置において、各スペアセルラインに固有の救済カウンタを設け、これら各救済カウンタは、各スペアセルラインが単独で救済しているフェイルセルの数をリアルタイムでカウントすることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】機器をプロセスラインから取外すことなくキャリブレーションを行うことが可能なレーザ式ガス分析装置を提供する。
【解決手段】測定ガス中にレーザ光を照射し、そのレーザ光の光吸収による光量変化からガス濃度を測定するレーザ式ガス分析装置において、
レーザダイオードと、該レーザダイオードから出射したレーザ光を２方向に分岐する分岐手段と、分岐したレーザ光がそれぞれ入射する所定の長さを有すると共に気密に隔てられた第１、第２投光室と、該それぞれの投光室を通り測定ガスを透過したレーザ光を受光する第１、第２フォトダイオードと、前記それぞれのフォトダイオードが配置され所定の長さを有すると共に気密に隔てられた第１、第２受光室を備えている。 （もっと読む）

【課題】プリント基板の基板品質を維持しつつ、プリント基板に実装可能な部品の高さ制限を緩和でき、コストダウンができるヒートシンク取付け構造を実現する。
【解決手段】プリント基板に分割された複数のヒートシンクを取付けるヒートシンク取付け構造において、プリント基板に一端が取り付けられた筒状のスタッドと、このスタッドの他端に一面が取り付けられた板状のブラケットと、このブラケットに一端が固定された圧入スタッドと、この圧入スタッドの他端側に取付けられたヒートシンクと、このヒートシンクを前記圧入スタッドに固定する固定手段とを具備したことを特徴とするヒートシンク取付け構造である。 （もっと読む）

【課題】特別な検査装置を使わずに簡便に接続良否の判定が行え、接続不良については接続不良箇所が推定できる情報が得られる半導体実装状態検出回路を提供すること。
【解決手段】共通の配線基板に実装され複数系統のデジタル信号を扱うユーザー回路を有する少なくとも２個の半導体装置の実装状態を電子的に検出する半導体実装状態検出回路であって、前記各半導体装置に接続状態検出用のスキャンモード信号とスキャンパターン信号を入力する少なくとも１個のスキャンパターン発生部と、前記各半導体装置から出力されるスキャンパターン信号と前記スキャンパターン発生部から入力されるスキャンモード信号に基づきパターンエラーの有無を検出する少なくとも１個のパターンエラー検出部を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】電源線のレイアウト面積を広げることなく、コア回路とバイアス供給回路との間
の電圧降下を抑え、かつ、コア回路間の高速信号ノードを短縮できるようにする。
【解決手段】Ｓｉ基板１１にトランジスタＱ及び抵抗素子Ｒを有して高電位側の電源線と
低電位側の配線Ｄ１とバイアス供給用の配線Ｄ２とに接続されてトランジスタ動作をする
コア回路１と、Ｓｉ基板１１に設けられてコア回路１にバイアスを供給するバイアス供給
回路とを備え、コア回路１の中の定電流源用のトランジスタＱに、その一端が接続された
抵抗素子Ｒの他端がバイアス供給用の配線Ｄ２に接続され、この配線Ｄ２が接続された抵
抗素子Ｒの他端がコンタクトホール３５を介してバイアス供給用の配線Ｄ２よりも上層の
低電位側の配線Ｄ１に接続されるものである。 （もっと読む）