【課題】モールド樹脂のクラックの発生および剥離を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１１と、プリント基板に搭載された磁性体１２と、磁性体の側面周囲からプリント基板の表面に至る部分に形成された応力緩和樹脂層１４と、プリント基板、磁性体および応力緩和樹脂層の上に接着された樹脂強化層３１と、樹脂強化層を覆うように形成された樹脂封止体１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】高い負荷短絡耐量を有する絶縁ゲート型の半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層と、第２の導電型を有する第２の半導体層と、前記第１導電型を有する第３の半導体層と、前記第２導電型を有する第４の半導体層と、複数の第１のトレンチと、第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート電極と、コレクタ電極と、エミッタ電極と、を備え、前記第３の半導体層は、相対的に浅く形成された第１の領域と、相対的に深く形成された第２の領域と、を有し、前記第１の領域は、前記複数の第１のトレンチに隣接するように形成され、前記第２の領域は、前記第１の領域を介して前記複数の第１のトレンチから離間するように形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トレンチの設計自由度が損なわれることなく、プロセス条件に制約されることなく、電気的特性を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１の半導体領域１内のトレンチ１５の底部に第４の半導体領域４を介して配設され、隣り合う同士において相互に離間され、第１の半導体領域１よりも高い不純物密度を有する第１の導電型の第５の半導体領域５を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第１のコンデンサと、第１のコンデンサと直列に接続される第２のスイッチング素子とを備え、第２のスイッチング素子の高電位側電極は、第１のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の低電位側電極は第１のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】手間がかからず簡単な方法で低圧配電線のインピーダンスを算出できる低圧配電線のインピーダンス算出装置。
【解決手段】配電系統電源１に入力端子が接続され送電端から末端までの間の複数地点に負荷が接続された低圧配電線２ｂの送電端に出力端子が接続された電圧調整装置２に必要な低圧配電線のインピーダンスを算出するインピーダンス算出装置５であり、最大負荷容量と最大負荷容量時の低圧配電線の電圧降下と負荷力率と低圧配電線の抵抗分とリアクタンス分との比率とを入力する入力部５１と、入力部で入力された最大負荷容量と最大負荷容量時の低圧配電線の電圧降下と負荷力率と低圧配電線の抵抗分とリアクタンス分との比率とに基づいて低圧配電線のインピーダンスを算するインピーダンス算出部５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の動作に起因するノイズの大きさが低減された、小型で製造コストの低いスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、一定周期でパルス波のドライバ信号を出力するドライバ信号出力回路と、ドライバ信号のパルス波の周期を複数含む一定期間内において駆動力を変化させながら、ドライバ信号の周期に同期してスイッチング素子を駆動する駆動回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と、ダイパッドと放熱板との間の高い絶縁性を両立させた半導体モジュールを得る。
【解決手段】モールド層６０の下面側では凹部が形成されている。この凹部の底面においては、ダイパッド３０等の下面が露出している。また、この底面において、隣接するダイパッド間では、ダイパッドの下面を構成する平面よりも下側に突出した凸部６１が構成される。４つの凸部６１の頂部は、同一平面を構成するように構成される。モールド層６０の下面側における上記の凹部中には、絶縁層７０を介して放熱板８０が接合されている。放熱板８０の上面は、４つの凸部６１の頂部で支持され、放熱板８０とダイパッド１０、２０、３０、４０、５０との間隔は凸部６１によって定まる。この空隙は絶縁層７０で充填される。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路の低損失化、高周波化が容易で実装面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と回生素子１８とが単一の樹脂パッケージ３１内に封止され、スイッチング素子は、シリコンからなり、コレクタ電極１３とエミッタ電極２６とゲート電極１９とを有するＩＧＢＴ１４であって、回生素子１８は、シリコンよりもバンドギャップが大きい化合物半導体からなり、かつ、コレクタ電極１３と接続される第１の主電極とエミッタ電極２６と接続される第２の主電極と第１及び第２の主電極間に流れる電流を制御する制御電極とを有する半導体素子であって、回生素子１８は、エミッタ電極２６の電位がコレクタ電極１３の電位よりも高いときに第１の主電極から第２の主電極に電流を流し、かつ、スイッチング素子の導通期間のうち少なくとも一部の期間に第２の主電極から第１の主電極に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で且つ安価で、低ノイズで高効率な直流変換装置。
【解決手段】コンデンサC1に並列に接続され、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とが直列に接続された直列回路、コンデンサに並列に接続され、スイッチング素子Q3とスイッチング素子Q4とが直列に接続された直列回路、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2との接続点とスイッチング素子Q3とスイッチング素子Q4との接続点との間に接続され、共振コンデンサCriと共振リアクトルLrとトランスTの一次巻線Pとが直列に接続された直列回路、トランスの二次巻線Sの電圧を整流平滑する整流平滑回路RC,Co、整流平滑回路の出力電圧に基づいてスイッチング素子Q1及びスイッチング素子Q4とスイッチング素子Q2及びスイッチング素子Q3とを交互にオン／オフさせる制御回路10、スイッチング素子Q4に並列に接続され、昇圧リアクトルＬと直流電源Viとが直列に接続された直列回路を有する。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタと回生素子とを含み、優れたリカバリ特性によりスイッチング損失が低減された半導体装置を提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタと回生素子とを含み、前記電界効果型トランジスタは、第１の導電型を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層の表面に配置された第２導電型を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層の表面に配置された前記第１導電型を有する第３の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層と前記第３の半導体層とに隣接するように配置された絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、第１の金属層と、第２の金属層と、を備え、前記回生素子は、前記第１の金属層と電気的に接続されるアノード端子と、前記第２の金属層と電気的に接続されるカソード端子と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）