【課題】復電切換時の励磁突入電流を防止することができる無停電電源装置の切換方法を提供する。
【解決手段】商用交流電源２からの電力を負荷である商用トランス３に出力する商用給電とインバータ１３を介して蓄電池１２からの電力を商用トランス３に出力するインバータ給電とを切換えるスイッチ１４を備えた無停電電源装置において、商用交流電源２が異常から正常に戻った場合には、インバータ１３の出力電圧の位相を商用交流電源２の商用入力電圧の位相に対してスイッチ１４の切換時間分進めた後に、インバータ給電から商用給電にスイッチ１４を切換える。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の回生動作時の電力損失を抑制し、かつ、安定してターンオン／オフさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】制御回路とスイッチング素子Ｑ１のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とダイオードＤ１からなる直列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間にＰＮＰ型トランジスタＱ２が抵抗Ｒ２を介して接続され、トランジスタＱ２のコレクタ・ベース間にダイオードＤ２が接続され、さらにトランジスタＱ２のベースはダイオードＤ１のアノードに接続され、制御回路からのオフ信号が入力されると、トランジスタの接合電圧とダイオードＤ２との順方向電圧との差分電圧を残してゲートとソースとの間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第１の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第２の外部電極と、第１の外部電極と直接に接触して、又は第１の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第１の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置された、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ミラー容量が小さく高性能のトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴを低コストで製造する
【解決手段】図１（ｅ）に示されるように、マスク層１００を残した状態で、レーザー光３００を上方から照射する（照射工程）。レーザー光３００の照射後には、トレンチ２００の底面において照射損傷層３０が形成される。この状態で酸化雰囲気で熱処理を行えば、図１（ｇ）に示されるように、表面にＳｉＯ_２（酸化膜層１４）が形成される（酸化工程）。この際、原子配列秩序が乱された照射損傷層３０においては、特に酸化が速く進行する。このため、図１（ｇ）に示されるように、この酸化膜層１４は露出した半導体層表面全面に形成されるものの、トレンチ２００の底面において特に厚くなる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極、及び前記第１の主電極と前記第２の主電極間で前記主面上に配置された制御電極を有するスイッチング素子Ｔ_ＳＷと、コレクタ端子とエミッタ端子と制御端子とを有する第１の駆動素子Ｔ_Ｄ１及び入力端子を含む駆動回路１０と、を備え、前記第１の駆動素子の前記コレクタ端子は前記スイッチング素子の前記第１の主電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記エミッタ端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記制御端子は前記入力端子及び前記エミッタ端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】反射層が用いられた信頼性の高い発光ダイオードを得る。
【解決手段】この発光ダイオード１０においては、左右端部以外の大部分が、反射層１２（樹脂層１２１）又は蛍光層１５を構成する樹脂材料によって覆われている。このため、発光ダイオードチップ１３はこれらの樹脂材料によって保護される。この際、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２は、反射層１２を構成する樹脂材料の中に埋め込まれた構成とされる。このため、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２と反射層１２（樹脂層１２１）との間の接合強度を高くすることができ、反射層１２の剥離が発生しにくくなっている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置されたアルミニウムを主成分とする電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、表面にボンディングワイヤが接続される無電解ニッケル・パラジウム・金めっき層３１・３２・３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】面内方向と厚さ方向の両方で高い熱伝導率をもつ放熱基板を得る。
【解決手段】第１の黒鉛層１１と第２の黒鉛層１２とが積層された構造が用いられる。第１の黒鉛層１１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１２において六角形環が広がる方向を鉛直方向とする。この積層構造における第１の黒鉛層１１側から、熱伝導率の高い金属をイオン注入する。これにより、第１の黒鉛層１１は、第１の金属拡散層２１となる。積層構造の全面に、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】低圧用のトランスを用い入力直流電圧の大きさに関係なく各スイッチング素子を動作できるスイッチング電源装置。
【解決手段】スイッチング素子Q11(Q12)のスイッチング状態に応じた第1(第2)パルス信号を出力するパルス発生回路を有し、第1パルス信号が印加される第1直列共振回路L1,C1に第１パルス信号に対して90°位相の遅れた電流が流れ、第1直列共振回路の電流でスイッチング素子Q21をオン／オフさせ、第2パルス信号が印加される第2直列共振回路L2,C2に第2パルス信号に対して90°位相の遅れた電流が流れ、第2直列共振回路の電流でスイッチング素子Q22をオン／オフさせるので、第2コンバータ4が第1コンバータ3に対して90°位相がずれた動作となり、パルス発生回路は第1パルス信号を出力する二次巻線Na3と第2パルス信号を出力する二次巻線Na4とを有しスイッチング素子Q11,Q12の駆動信号に同期した電圧が印加される第3トランスT3を有する。 （もっと読む）