【課題】電源起動時に光量が絞られてＰＷＭ信号のデューティ比が小さい場合にも、出力電圧Ｖ０の立ち上げを速やかに行うことができる定電流電源装置を提供する。
【解決手段】抵抗Ｒ２による電圧降下によってＬＥＤアレイ２を流れるＬＥＤ電流ＩＬを検出し、コンパレータＣＰ１によってＬＥＤ電流ＩＬに相当する抵抗Ｒ２の電圧降下と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較することで、起動時に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達するまで、ＰＷＭ信号に長い補充期間Ｔｓの期間、１次側から２次側に電力を供給させると共に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達後は、短い補充期間Ｔｎの期間、負荷に電力を供給させる。 （もっと読む）

【課題】第１の負荷に供給されている直流出力電圧に応じた定電圧制御のための信号を１次側に送信するだけで、第１の負荷に供給される直流出力を定電圧制御することができると共に、第２の負荷に供給される直流出力を定電流制御することができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】２次巻線Ｓ２から平滑コンデンサを介して負荷Ｘに直流出力を供給すると共に、３次巻線Ｓ３から平滑コンデンサＣ３を介してＬＥＤアレイ３に直流出力を供給するＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、３次巻線Ｓ３に直列に接続されたＮＭＯＳＱ２をオンオフ制御することで、ＬＥＤアレイ３に供給される直流出力を定電流制御させ、ＮＭＯＳＱ２がオフ時には２次巻線Ｓ１から平滑コンデンサＣ２に、ＮＭＯＳＱ２がオン時には３次巻線Ｓ３から平滑コンデンサＣ３にそれぞれ電力が供給される。 （もっと読む）

【課題】信号伝播経路にトランスが使用され、半導体チップ間の絶縁分離が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】基体に搭載された第１及び第２の半導体チップと、基体に搭載され、第１及び第２の半導体チップの動作を制御する制御信号を出力する第３の半導体チップと、基体に搭載され、受信側端子が第３の半導体チップに接続し、送信側端子が第１の半導体チップに接続する第１の送信トランスと、基体に搭載され、受信側端子が第３の半導体チップに接続し、送信側端子が第２の半導体チップに接続する第２の送信トランスとを備える半導体装置であって、第１の送信トランスと第２の送信トランスをそれぞれ介して、第３の半導体チップから第１の半導体チップと第２の半導体チップに制御信号が送信される。 （もっと読む）

【課題】上位コントローラからの有効電力指令からエネルギー蓄積要素の満充電制御モードを電力平準化装置にて自動判別し、エネルギー蓄積要素の充放電がゼロになるよう直接充放電電流を制御できる技術を提供する。
【解決手段】電力平準化装置は、商用電力系統と重要負荷及び分散型電源とを接続するスイッチと、これらの接続ラインに接続される電力変換器と、電力変換器に接続されるエネルギー蓄積要素と、上記接続ラインの電圧を検出する電圧検出部と、重要負荷と電力変換器及びエネルギー蓄積要素の各電流を検出する第１、第２、第３の電流検出部と、上記各検出部からの各検出値と、上位コントローラからの有効及び無効電力指令に基づいて上記電力変換器を制御する制御装置とを備え、制御装置は、上記有効電力指令の絶対値がゼロ近くの基準値未満では、第３電流検出部からの検出値がゼロとなるように上記電力変換器を制御する。 （もっと読む）

【課題】無負荷・軽負荷状態には定格電圧よりも低い待機電圧へ自動的に出力電圧を切り替えるスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】交流電圧を整流平滑し、所定の直流電圧に変換するスイッチング電源装置であって、スイッチング電源装置に備えられるトランスと、トランスには１次巻線と２次巻線とが備えられ、２次巻線にはダイオードと第１コンデンサとスイッチ素子からなる整流平滑回路と、第１コンデンサとスイッチ素子と並列接続された第２コンデンサと、前記整流平滑回路の電圧を所定の直流電圧に制御するための制御信号を送出するエラーアンプを備え、２次巻線に発生するパルス電圧のデューティーを検出するデューティー検出回路を備え、デューティー検出回路は予め定められたデューティー未満になった場合に、制御信号を変化させて、定格電圧よりも低い待機電圧にすることを特徴とするスイッチング電源装置。 （もっと読む）

【課題】インバータの対地浮遊容量を低減するとともに、インバータに対する冷却性能の低下防止の構造体を提供する。
【解決手段】互いに直列に接続された一対の半導体素子１６，１８と、ヒートシンク７と、前記第１の端子の一方の第１の端子１２と、前記一対の半導体素子の一方の半導体素子１６の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された第１の電極１０と、前記第２の端子１３と、前記一対の半導体素子の他方の半導体素子１８の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された出力電極１１と、前記第１の端子の他方の第１の端子１４に電気的に接続された第２の電極９と、を備える半導体モジュールであって、前記第２の電極９が、第１の絶縁部材８ａを介して前記ヒートシンク７に接続され、前記出力電極１１が、第２の絶縁部材８ｂを介して前記第２の電極９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】出力波形歪を低減する電力変換装置。
【解決手段】共通端子間の第１電圧を所望値にする指令値Vrcを交流入力電圧に同期し発生する指令値発生手段44、共通端子間の第２電圧を所望値にする指令値Vriを交流入力電圧に同期し発生する指令値発生手段45、最大及び最小バイアス電圧値が交互に配置された方形波バイアス電圧Vsを発生するバイアス電圧発生器46、Vrc-Vri+Vsを最大及び最小リミッタ値間に制限した第１値とVri-Vrc+Vsを示す第２値Vr3とVr3-Vri又はVs-Vrc又はVs-Vriを最大及び最小リミッタ値間に制限した第３値を出力する演算手段47〜49、交流入力電圧に同期し出力波形歪を低減する補償電圧を発生する補償波形発生器30、第１乃至第３値の夫々の値から補償電圧を減算し第４乃至第６値を得る演算手段31〜33を有し、第４乃至第６値に基づき第１乃至第６スイッチをオンオフさせる。 （もっと読む）

【課題】商用電源からの電源供給電力の総量を商用電源の目標電源供給電力に抑えることができる電源装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】商用電源１に無停電電源装置２ａ及び１以上の他の機器４ａ，４ｂが接続される電源装置であって、無停電電源装置２ａは、１以上の他の機器４ａ，４ｂと無停電電源装置２ａとの総合入力電力が商用電源１の目標電源供給電力を超えないように、無停電電源装置２ａの入力電力を入力電力制限値により制限する制御器２８ａを備える。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源Ｅ１と、正極が接地された負電源Ｅ２と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路１１と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタＱ１とトランジスタＱ２との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びＱ１とＱ２との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子ＧａＮＦＥＴと、制御信号のオフ時にＱ１を所定時間だけオンさせＱ１を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路１３と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタＱ３とトランジスタＱ４との直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子において、周辺の電界強度を緩和する構造を小さな面積で実現する。
【解決手段】周辺領域Ｑにおいては、半導体層との間に周辺層間絶縁層（絶縁層）を介して複数の多結晶シリコン層７０が、ソース電極３０から端部ドレイン電極４１の間にかけて設けられる。多結晶シリコン層７０には、その長手方向が水平方向から傾斜した（傾斜角θ、０＜θ＜９０°）傾斜部が設けられている。多結晶シリコン層７０の傾斜部においては、ｐ型領域７１と、ｎ型領域７２とが長手方向に交互に多数形成されている。 （もっと読む）