【課題】大容量インバータを小型で比較的容易に作製することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１０は、直流電源からの直流電力を交流電力に変換する複数の単相インバータ部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの交流側を直列接続して単相多重変換器を構成し３相負荷１１に電力供給する。単相多重変換器内の複数の単相インバータ部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを、異なる種類のスイッチング素子で構成し、発生電圧が低い単相インバータ部１６ａはスイッチング速度が速いＧａＮ系の化合物半導体で形成されたスイッチング素子で構成する。発生電圧が高い単相インバータ部１６ｂ，１６ｃはオン電圧が低いＳｉＣ系の化合物半導体で形成されたスイッチング素子で構成する。 （もっと読む）

【課題】商用電源からの電源供給電力の総量を商用電源の目標電源供給電力に抑えることができる電源装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】商用電源１に無停電電源装置２ａ及び１以上の他の機器４ａ，４ｂが接続される電源装置であって、無停電電源装置２ａは、１以上の他の機器４ａ，４ｂと無停電電源装置２ａとの総合入力電力が商用電源１の目標電源供給電力を超えないように、無停電電源装置２ａの入力電力を入力電力制限値により制限する制御器２８ａを備える。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極配線によって形成されるフィールドプレートに起因する電流コラプス現象への影響が抑制された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる機能層２０と、機能層２０上に離間して配置されたソース電極３及びドレイン電極４と、ソース電極３とドレイン電極４間で機能層２０上に配置されたゲート電極５と、機能層２０上に配置された層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に配置され、ドレイン電極４と電気的に接続されたドレイン電極配線４１とを備える窒化物半導体装置であって、ゲート電極５とドレイン電極４間において、層間絶縁膜７を介してドレイン電極配線４１が機能層２０と対向する領域を有さない。 （もっと読む）

【課題】大型の放熱部材を用いることなく高い性能を発揮可能なパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュール（１）は、第１セラミック基板（１１）と、第１セラミック基板の一方の主面に配置された第１導電層（２１）と、第１セラミック基板の他方の主面において第１導電層と対向する領域に配置された第２導電層（２２）と、シリコンよりバンドギャップの広い材料で構成され、第１導電層の表面に配置されたトランジスタ（３３ａ、３３ｂ）と、前記トランジスタのスイッチングによって第１導電層及び第２導電層に逆向きの電流変化が発生するように第１導電層と第２導電層とを電気的に接続する接続部材（３５ａ）と、第２導電層の表面に一方の主面が接触するように配置された第２セラミック基板（１２）と、第２導電層と絶縁されるように第２セラミック基板の他方の主面に配置された第３導電層（２３）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合強度のばらつきを抑制し、得られる製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体素子１と、少なくとも表面の主元素をＣｕとする基板２と、前記半導体素子より小さな形状のＺｎＡｌ共晶はんだチップ３’と、をそれぞれ準備する工程と、前記半導体素子と前記基板とをそれぞれの接合面が対向するように配置して、これら基板と半導体素子との間に前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを挟む工程と、前記基板と前記半導体素子との間に挟んだ前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップに荷重３１をかけながら昇温して、前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを融解させてＺｎＡｌはんだ層３を形成する工程と、前記ＺｎＡｌはんだ層に荷重をかけながら降温する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板直上の窒化アルミニウム層の平坦性が低いことに起因する信頼性の低下が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板上に配置された、不純物としてシリコンがドープされた領域を有する窒化アルミニウム層２０と、窒化アルミニウム層上に配置された、複数の窒化物半導体膜が積層された構造のバッファ層３０と、バッファ層上に配置された、窒化物半導体からなる半導体機能層４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】起動用電流供給回路による定常時の消費電力を削減することができるスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】
入力電源の投入時に、入力電源又はスイッチング素子の高圧電極から入力される高圧電源からデプレッションモードＦＥＴからなるスイッチ素子Ｎ１を介してスイッチング制御回路に動作電流を供給する起動用電流供給回路と、スイッチング動作が開始された後の定常時に、トランスの二次起電力による低圧電源を使ってスイッチング制御回路に動作電流を供給する定常時電流供給回路とを備え、スイッチ素子Ｎ１がオフ状態で、高圧電源からスイッチ素子Ｎ１を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、端子Ｖｃｃからの低圧電源を使ってもれ電流を阻止するバイアス電圧を、抵抗Ｒ３を介して供給する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２と抵抗Ｒ２からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２との接続点にダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１のカソードとスイッチング素子Ｑ２のゲートはスイッチング素子Ｑ１のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Ｑ１ゲートを負電位にバイアスする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層上の層間絶縁膜の開口部が、電界の集中が緩和される形状に安定して精度良く形成された窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０上に配置された第１の絶縁膜４１と、第１の絶縁膜４１上に配置された第２の絶縁膜４２と、窒化物半導体層３０上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極５１，５２と、第１及び第２の主電極５１，５２間で第２の絶縁膜４２上に配置され、第１及び第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート６０とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層３０の表面と第１の絶縁膜４１の側面とのなす第１の傾斜角が、窒化物半導体層３０の表面と第２の絶縁膜４２の側面を延長した線とのなす第２の傾斜角よりも小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム上に搭載された窒化物ＦＥＴを備えスイッチング特性に優れた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物ＦＥＴと、複数のリードを含むリードフレームと、を備え、前記窒化物ＦＥＴは少なくとも第１の主電極と第２の主電極と制御電極とを有し、前記リードフレームは、前記第１の主電極に接続される第１のリードと、前記第２の主電極に接続される第２のリード及び第３のリードと、前記制御電極に接続される第４のリードと、を有し、前記窒化物ＦＥＴは、前記第３のリードと前記第４のリードとの間に印加される電圧に応じて前記第１のリードと前記第２のリードとの間に電流を流すことを特徴とする窒化物半導体装置。 （もっと読む）