【課題】エッジコネクタの端子導体間にコネクタの接触子が落ち込まない構造の回路基板エッジコネクタを提供する。
【解決手段】多数の接触子が収容されたコネクタに挿抜されて電気的に接続される多数の端子導体１３が配列された回路基板エッジコネクタ１１であって、端子導体１３の側面にコネクタの接触子１７が落ち込んで接触しないように、ソルダレジスト１４が形成されている。ソルダレジスト１４は、端子導体１３の厚さ以上に形成され、また、端子導体のエッジ側先端より先まで形成され、さらに、先端側が傾斜面で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＲＦ特性の劣化を抑制する光通信装置を提供する。
【解決手段】 光通信装置１００は、ＬＤチップ１１と、ＬＤチップ１１に信号を入力するための入力端子７２と、ＬＤチップ１１を搭載する第１プレート６１の外側に電極ポスト６５，６６が配置されたＴＥＣ６０と、光出力側の側壁７３および、これに対向し入力端子７２が設けられる側の側壁７１を有するパッケージ７０とを備え、ＴＥＣ６０は、電極ポスト６５，６６が、第１プレート６１と、入力端子７２が設けられる側の側壁７１との間の間隙部７８に位置する関係でパッケージ７０内に配置され、間隙部７８の電極ポスト６５，６６を除く位置には、入力端子７２とＬＤチップ１１との間を電気的に接続する配線８３が設けられた配線基板８０を有する。 （もっと読む）

【課題】回折格子構造のデューティ比のばらつきに起因するレーザ特性の悪化を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１の製造方法は、第１方向に沿って交互に配列された凸部１２ｂと凹部１２ａとを有する回折格子Ｇを半導体基板１１の主面１１ａ上に形成する工程と、回折格子Ｇを形成した後、主面１１ａを撮像し、撮像された画像データにおける凸部１２ｂに対応する第１領域３１と凹部１２ａに対応する第２領域３２との面積比を示す値を算出する工程と、予め定められた結合係数κとなるように値に基づいてスペーサ層１３の厚さｄｓを決定する工程と、回折格子Ｇを覆うようにスペーサ層１３を成長する工程と、スペーサ層１３上に活性層１４を成長する工程と、を備え、凸部１２ｂおよび凹部１２ａは、第１方向と交差する第２方向に沿って延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の改善と製造コストの低減とを両立することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面側に電極面を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の表面側と接合され、半導体チップ１０の電極と電気的に接続されて、半導体チップ１０の外周よりも外側へその電位を引き出すための配線が設けられた第１配線基板２０と、接合材１４を介して半導体チップの裏面側と接合された第１支持体３０と、を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 良好な冷却とＲＦ特性を得る光通信モジュールを提供する。
【解決手段】 光通信モジュール１００は、半導体レーザ１２とＳＯＡ１４とが集積化されたＬＤチップ１１と、上面にＬＤチップ１１を搭載するＴＥＣ６０と、ＬＤチップ１１に変調信号を入力するための入力端子７２と、ＬＤチップ１１およびＴＥＣ６０を収容し、光出力側の側壁７７と対向する側壁７１に入力端子７２が設けられたパッケージ７０と、を備え、ＴＥＣ６０は、光出力方向（Ｙ軸方向）に沿った長さが、それに直交する方向（Ｘ軸方向）の長さに比べて大きく、ＬＤチップ１１は、ＴＥＣ６０のＹ軸方向の長さの中心よりも入力端子７２側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の研削が容易な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板の一面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成された基板の一面の反対面をドライエッチングする工程と、ドライエッチングされた基板の反対面を研削する工程とを含む。基板は、半導体素子が形成された基板の一面の反対面をドライエッチングされることにより、該反対面に凹凸が形成される。そして、ドライエッチングされた基板の反対面を研削するときに、該反対面に形成された凹凸と、砥石、または砥粒の凹凸が、互いに十分に噛み合うことができる。したがって、砥石、または砥粒は、基板の表面を、すべることなく、効果的に研削することができる。 （もっと読む）

【課題】ドレインアイドル電流のドリフトを直接補償すること。
【解決手段】入力信号が入力するゲートと、出力信号が出力するドレインとを有するＦＥＴを含む電子回路の制御方法であって、前記ＦＥＴのゲートに前記入力信号が入力してからの時間ｔ経過後における前記入力信号ｘ（ｔ）に対応するドレインアイドル電流の変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を算出するステップＳ１０と、前記変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を補償するためのゲートバイアス電圧Ｖｇを算出するステップＳ１２と、前記ゲートバイアス電圧を前記ＦＥＴのゲートに印加するステップＳ１４と、を含むことを特徴とする電子回路の制御方法。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】 広い波長選択幅を実現する半導体レーザおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、利得領域と光吸収領域とを備え、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが前記利得領域および前記光吸収領域に対応して複数接続して設けられ、利得スペクトルのピーク波長が第１の周期を持つ第１回折格子領域を有し、前記光吸収領域は、ｎ´−ｉ×ｋで表される前記光吸収領域の複素屈折率ｎが変化したとき、−１０≦Δｎ´／Δｋ≦１０を満たす（ｎは前記光吸収領域の複素屈折率、ｉは虚数単位、ｋは消衰係数、Δｎ´はｎが変化した場合のｎ´の変化量、Δｋはｎが変化した場合のｋの変化量を示す）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられた下地層１２と、無電解メッキ法により下地層１２上に設けられたＮｉ層１６と、Ｎｉ層１６上に設けられた半田ボール２０と、を具備し、Ｎｉ層１６の半田ボール２０側の領域である第２領域１６ｂは、Ｎｉ層１６の下地層１２側の領域である第１領域１６ａに比べて硬い半導体装置、及び半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）