【課題】支持板の一面側に固着された厚さの異なる複数の半導体素子の各電極端子に形成されたバンプの露出面間隙を通して引き回すことのできる配線パターンの高密度化を図る。
【解決手段】厚さの異なる複数の半導体素子１４ａ，１４ｂが、その電極端子１６の端子面が同一面となるように、支持板１０の一面側に樹脂層１２によって固着されている半導体パッケージであって、樹脂層１２は支持板１０の一面側全面に設けられ、半導体素子１４ａ，１４ｂは端子面の反対面が樹脂層１２に固着され、半導体素子１４ａ，１４ｂの端子面および側面の少なくとも一部ならびに樹脂層１２の表面全面を被覆する絶縁層２０が設けられ、半導体素子１４ａ，１４ｂの端子面に形成された先細り状のバンプ１８が絶縁層２０を貫通して形成され、絶縁層２０の表面に露出している先細り状のバンプ１８の先端面が配線パターン２２に接続される。 （もっと読む）

【課題】レーザによりパッドの一部を露出するように絶縁層に形成された開口部と、その開口部に設けられたビアとを備え、開口部を小径化できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に配線層２３と絶縁層２４とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、樹脂からなる支持フィルム７４と、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層２４と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、前記絶縁層形成部材を加熱し、前記半硬化状態の絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に開口部５１を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消すること。
【解決手段】予めテープ材４０（例えば、ＰＴＦＥ）を加熱しておき、さらにこのテープ材４０を耐熱性プレート５０に対し加圧した後、ツール３６との間に加熱されたテープ材４０を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行う。 （もっと読む）

【課題】接続パッドへ通じる開口部が、所望の形状で形成されたパッケージを提供する。
【解決手段】（ａ）接続パッド１が形成された基板２を準備する。（ｂ）接続パッド１上に、型材を搭載する。（ｃ）接続パッド１が形成された基板２の面を樹脂で覆うパッケージ部６を形成する。（ｄ）パッケージ部６の表面で前記型材を露出させる。（ｅ）パッケージ部６の表面側から、露出した前記型材を除去していき、接続パッド１上のパッケージ部６に開口部１１を形成する。これにより、前記型材の形状をした開口部１１が形成されたＰＯＰ構造体のボトムパッケージ１２が略完成する。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化の妨げとならず、ビアの接続信頼性を維持することができ、且つ配線基板の性能劣化の原因となりにくい外部接続用パッドを一方の面に有する配線基板を提供すること。
【解決手段】所定数の配線層と各配線層の間の絶縁層を有し、且つ、外部の回路に接続するための、表面めっき層を備えた外部接続用パッドを有する配線基板であって、外部接続用パッド１の面積が、その表面めっき層２の面積よりも小さいことを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】実装密度を低下させることなく放熱性を向上させた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、コア基板と、前記コア基板を一方の面から他方の面に貫通する半導体素子収容孔と、回路形成面を前記一方の面側に向けて前記半導体素子収容孔に収容された半導体素子と、前記半導体素子の背面に形成された第１の金属膜と、前記コア基板の前記他方の面に形成された第２の金属膜と、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を介して前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを接続する第３の金属膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】操作時に発生する高音を抑制し、静音化に寄与すること。
【解決手段】メタルドーム３０は、平面視したときに小判形状で、断面視したときに上面側に膨らんだ球面部３０Ｓからなる。この球面部３０Ｓの中心を通り長手方向に延びる最長部分の両端Ｅ１，Ｅ２近傍の端部３２のみが、球面部３０Ｓの下面側で最下の位置ＬＰにある。さらに、最長部分の両端Ｅ１，Ｅ２近傍の端部３２の両側に位置する各隅部がカットされており、該カットされている端部３３は、球面部３０Ｓの下面側で最下の位置ＬＰよりも上側に位置している。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、デバイス（半導体チップや基板等）の多ピン化に対応可能な突起電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】本突起電極の製造方法は、電極パッド上に柱状電極を形成する第１工程と、前記柱状電極の上面にマスク層を形成する第２工程と、前記マスク層をマスクとするウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去し、前記マスク層側が前記電極パッド側よりも細くなった形状の突起電極を形成する第３工程と、前記マスク層を除去する第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光のクロストークが防止される光導波路を提供する。
【解決手段】コア層２４がクラッド層２２で囲まれた光導波路層２０と、光導波路層２０の光入射側及び光出射側にそれぞれ設けられた光路変換部Ｓと、クラッド層２２の外面に画定されて、光入射側の光路変換部Ｓに光が入射される光入射部Ｌ１と、クラッド層２２の外面に画定されて、光出射側の光路変換部Ｓからの光が出射される光出射部Ｌ２とを含み、光入射部Ｌ１及び光出射部Ｌ２を除くクラッド層２２の外面が粗化面ＲＳとなっている。 （もっと読む）

【課題】スミア等を発生させることなく高い接続信頼性を有するとともに、狭ピッチ化に容易に対応することができ、低コストでＰＯＰ構造を実現する接続パッドを形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】支持板１０に形成されて接続パッド４のパッド径よりも大きいパッド径を有する突起状の半田ボール搭載部１１に搭載された半田ボール５と接続パッド４とを、半田ボール搭載部１１のパッド径と接続パッド４のパッド径との差に基づき半田ボール５から形成される円錐台状の半田層５Ｂを介して接続するとともに、回路基板２の実装面と支持板１０との間にモールド樹脂層７を形成し、支持板１０を除去して円錐台状の半田層５Ｂに沿ってモールド樹脂層７に円錐台状のビア６を形成した後リフロー処理を行うことにより、ビア６内で円錐台状の半田層５Ｂを球面状の半田層５Ｂに形成するとともに球面状の半田層５Ｂの一部をビア６を介して露出させる。 （もっと読む）