配線基板の製造方法
【課題】レーザによりパッドの一部を露出するように絶縁層に形成された開口部と、その開口部に設けられたビアとを備え、開口部を小径化できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に配線層２３と絶縁層２４とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、樹脂からなる支持フィルム７４と、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層２４と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、前記絶縁層形成部材を加熱し、前記半硬化状態の絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に開口部５１を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含む。
【解決手段】支持体上に配線層２３と絶縁層２４とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、樹脂からなる支持フィルム７４と、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層２４と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、前記絶縁層形成部材を加熱し、前記半硬化状態の絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に開口部５１を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッドを覆う絶縁層と、レーザにより絶縁層に形成され、パッドの一部を露出する開口部と、開口部に設けられ、パッドと接続されたビアとを備えた配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板には、コア基板を有したコア付きビルドアップ配線基板（図１参照）と、コア基板を有していないコアレス基板（図２参照）とがある。
【０００３】
図１は、従来の配線基板の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の配線基板２００は、コア付きビルドアップ配線基板であり、コア基板２０１と、貫通電極２０２と、パッド２０３，２１７と、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３と、ビア２０６，２０９，２１９，２２４と、配線パターン２０７，２２１と、電子部品接続用パッド２１１と、ソルダーレジスト２１２，２２７と、拡散防止膜２１３，２２８と、外部接続用パッド２２６とを有する。
【０００５】
貫通電極２０２は、コア基板２０１を貫通するように設けられている。貫通電極２０２は、その上端がパッド２０３と接続されており、下端はパッド２１７と接続されている。
【０００６】
パッド２０３は、コア基板２０１の上面２０１Ａ及び貫通電極２０２の上端に設けられている。絶縁層２０４は、パッド２０３の一部を覆うように、コア基板２０１の上面２０１Ａに設けられている。絶縁層２０４は、パッド２０３の上面の一部を露出する開口部２３１を有する。開口部２３１は、絶縁層２０４に直接レーザを照射することで形成する。ビア２０６は、開口部２３１に設けられている。ビア２０６の下端は、パッド２０３と接続されている。ビア２０６は、配線パターン２０７と一体的に構成されている。
【０００７】
配線パターン２０７は、パッド２３３と、配線２３４とを有する。パッド２３３は、絶縁層２０４の上面２０４Ａに設けられている。パッド２３３は、配線２３４と一体的に構成されている。配線２３４は、ビア２０６の上端及び絶縁層２０４の上面２０４Ａに設けられている。配線２３４は、ビア２０６と一体的に構成されている。配線２３４は、ビア２０６とパッド２３３とを電気的に接続している。
【０００８】
絶縁層２０８は、配線２３４を覆うように、絶縁層２０４の上面２０４Ａに設けられている。絶縁層２０８は、パッド２３３の上面の一部を露出する開口部２３６を有する。開口部２３６は、絶縁層２０８に直接レーザを照射することで形成する。
【０００９】
ビア２０９は、開口部２３６に設けられている。ビア２０９は、その下端がパッド２３３と接続されている。電子部品接続用パッド２１１は、絶縁層２０８の上面２０８Ａ及びビア２０９の上端に設けられている。電子部品接続用パッド２１１は、ビア２０９と一体的に構成されている。電子部品接続用パッド２１１は、拡散防止膜２１３が形成される拡散防止膜形成領域２１１Ａを有する。電子部品接続用パッド２１１は、拡散防止膜２１３を介して、電子部品（例えば、半導体チップ）と電気的に接続されるパッドである。
【００１０】
ソルダーレジスト２１２は、拡散防止膜形成領域２１１Ａ以外の部分の電子部品接続用パッド２１１を覆うように、絶縁層２０８の上面２０８Ａに設けられている。ソルダーレジスト２１２は、拡散防止膜形成領域２１１Ａを露出する開口部２０２Ａを有する。拡散防止膜２１３は、拡散防止膜形成領域２１１Ａを覆うように設けられている。拡散防止膜２１３には、図示していない電子部品（例えば、半導体チップ）が接続される。
【００１１】
パッド２１７は、コア基板２０１の下面２０１Ｂ及び貫通電極２０２の下端に設けられている。パッド２１７は、貫通電極２０２を介して、パッド２０３と電気的に接続されている。絶縁層２１８は、パッド２１７の一部を覆うように、コア基板２０１の下面２０１Ｂに設けられている。絶縁層２１８は、パッド２１７の下面の一部を露出する開口部２４１を有する。開口部２４１は、絶縁層２１８に直接レーザを照射することで形成する。ビア２１９は、開口部２４１に設けられている。ビア２１９の上端は、パッド２１７と接続されている。ビア２１９は、配線パターン２２１と一体的に構成されている。
【００１２】
配線パターン２２１は、パッド２４２と、配線２４３とを有する。パッド２４２は、絶縁層２１８の下面２１８Ａに設けられている。パッド２４２は、配線２４３と一体的に構成されている。配線２４３は、ビア２１９の下端及び絶縁層２１８の下面２１８Ａに設けられている。配線２４３は、ビア２１９と一体的に構成されている。配線２４３は、ビア２１９とパッド２４２とを電気的に接続している。
【００１３】
絶縁層２２３は、配線２４３を覆うように、絶縁層２１８の下面２１８Ａに設けられている。絶縁層２２３は、パッド２４２の上面の一部を露出する開口部２４５を有する。開口部２４５は、絶縁層２２３に直接レーザを照射することで形成する。
【００１４】
ビア２２４は、開口部２４５に設けられている。ビア２２４の上端は、パッド２４２と接続されている。外部接続用パッド２２６は、ビア２２４と一体的に構成されている。外部接続用パッド２２６は、拡散防止膜２２８が形成される拡散防止膜形成領域２２６Ａを有する。外部接続用パッド２２６は、拡散防止膜２２８を介して、例えば、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドである。
【００１５】
ソルダーレジスト２２７は、拡散防止膜形成領域２２６Ａ以外の部分の外部接続用パッド２２６を覆うように、絶縁層２２３の下面２２３Ａに設けられている。ソルダーレジスト２２７は、拡散防止膜形成領域２２６Ａを露出する開口部２２７Ａを有する。拡散防止膜２２８は、拡散防止膜形成領域２２６Ａに設けられている。拡散防止膜２２８には、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される外部接続端子（図示せず）が配設される。
【００１６】
上記構成とされた配線基板２００では、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３として、シリカの粒子を含有していない樹脂層やシリカの粒子を含有した樹脂層等が用いられる。絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３の熱膨張係数と電子部品接続用パッド２１１に実装される電子部品（具体的には、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【００１７】
図２は、従来の他の配線基板の断面図である。
【００１８】
図２を参照するに、従来の他の配線基板２５０は、コアレス基板であり、電子部品接続用パッド２５１と、絶縁層２５３，２５７と、ビア２５４，２５９と、配線パターン２５５と、外部接続用パッド２６１と、ソルダーレジスト２６３とを有する。
【００１９】
電子部品接続用パッド２５１は、図示していない電子部品（例えば、半導体チップ）が接続される接続面２５１Ａを有する。電子部品接続用パッド２５１は、接続面２５１Ａが露出された状態で絶縁層２５３に内設されている。接続面２５１Ａは、絶縁層２５３の面２５３Ａ（絶縁層２５７と接触する側の面２５３Ｂとは反対側の絶縁層２５３の面）と略面一とされている。
【００２０】
絶縁層２５３は、接続面２５１Ａを露出した状態で電子部品接続用パッド２５１を内設している。絶縁層２５３は、接続面２５１Ａの反対側に位置する電子部品接続用パッド２５１の面２５１Ｂの一部を露出する開口部２６５を有する。開口部２６５は、絶縁層２５３に直接レーザを照射することで形成する。
【００２１】
ビア２５４は、開口部２６５に設けられている。ビア２５４の一方の端部は、電子部品接続用パッド２５１と接続されている。ビア２５４は、配線パターン２５５と一体的に構成されている。
【００２２】
配線パターン２５５は、パッド２７１と、配線２７２とを有する。パッド２７１は、絶縁層２５３の面２５３Ｂに設けられている。パッド２７１は、配線２７２と一体的に構成されている。配線２７２は、ビア２５４の他方の端部及び絶縁層２５３の面２５３Ｂに設けられている。配線２７２は、ビア２５４及びパッド２７１と一体的に構成されている。配線２７２は、ビア２５４とパッド２７１とを電気的に接続している。
【００２３】
絶縁層２５７は、配線２７２を覆うように、絶縁層２５３の面２５３Ｂに設けられている。絶縁層２５７は、パッド２７１の一部を露出する開口部２６７を有する。開口部２６７は、絶縁層２５７に直接レーザを照射することで形成する。
【００２４】
ビア２５９は、開口部２６７に設けられている。ビア２５９の一方の端部は、パッド２７１と接続されている。ビア２５９は、外部接続用パッド２６１と一体的に構成されている。
【００２５】
外部接続用パッド２６１は、絶縁層２５７の面２５７Ａに設けられている。外部接続用パッド２６１は、外部接続端子（図示せず）が配設される端子配設領域２６１Ａを有する。外部接続用パッド２６１は、例えば、外部接続端子（図示せず）を介して、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドである。外部接続用パッド２６１は、ビア２５９と一体的に構成されている。
【００２６】
ソルダーレジスト２６３は、絶縁層２５７の面２５７Ａに設けられている。ソルダーレジスト２６３は、端子配設領域２６１Ａを露出する開口部２６３Ａを有する。
【００２７】
上記構成とされた配線基板２５０では、コア基板が無いため、厚さ方向の小型化（薄板化）は可能であるが、配線基板２５０に反りが発生しやすい。そのため、配線基板２５０では、芯材となるガラス繊維に樹脂を含浸させた樹脂層や、芯材となるガラス繊維にシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂を含浸させた樹脂層等を絶縁層２５３，２５７として用いることで、配線基板２５０の反りの低減を図っている。
【００２８】
図３は、絶縁層に開口部を形成する際に使用するレーザ（レーザ光）の断面形状を模式的に示す図である。
【００２９】
ここで、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３，２５３，２５７に開口部２３１，２３６，２４１，２４５，２６５，２６７を形成する際に使用するレーザ２７１について説明する。
【００３０】
図３を参照するに、レーザ２７１は、強エネルギー領域２７２と、弱エネルギー領域２７３と、中エネルギー領域２７４とを有する。
【００３１】
強エネルギー領域２７２は、レーザ２７１の中心部に位置すると共に、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４よりもエネルギー強度の強い領域である。強エネルギー領域２７２の外周面２７２Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ１は、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ２，θ３よりも小さい。
【００３２】
弱エネルギー領域２７３は、レーザ２７１の外周部に位置すると共に、エネルギー強度が強エネルギー領域２７２及び中エネルギー領域２７４よりも弱い領域である。弱エネルギー領域２７３の外周面２７３Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ３は、強エネルギー領域２７２の外周面２７２Ａ及び中エネルギー領域２７４の外周面２７４Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ１，θ２よりも大きい。
【００３３】
中エネルギー領域２７４は、強エネルギー領域２７２と弱エネルギー領域２７３との間に配置されている。中エネルギー領域２７４は、エネルギー強度が弱エネルギー領域２７３よりも強く、かつ強エネルギー領域２７２よりも弱い領域である。中エネルギー領域２７４の外周面２７４Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ2は、強エネルギー領域２７２の外周面２７２Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ１よりも大きく、かつ弱エネルギー領域２７３の外周面２７３Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ３よりも小さい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３４】
【特許文献１】特開２０００−２４４１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
図４は、従来の配線基板の製造方法の問題点を説明するための図である。図４において、従来の配線基板２００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３６】
図４に示すように、絶縁層２０４に図３に示す構成とされたレーザ２７１を直接照射した場合、絶縁層２０４に強エネルギー領域２７２、弱エネルギー領域２７３、及び中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が照射されるため、レーザ２７１の外周部に位置する弱エネルギー領域２７３の外周面２７３Ａの形状が開口部２３１の側面に転写されて、開口部２３１の側面が顕著なテーパー形状となってしまう。これにより、開口部２３１の上端の直径Ｋ１（レーザ２７１が照射される側の開口部２３１の直径）よりも開口部２３１の下端の直径Ｋ２がかなり小さくなってしまう。
【００３７】
このため、パッド２０３と開口部２３１に配設されるビア２０６との間の電気的接続信頼性を確保した上で、開口部２３１を小径化することが困難であるという問題があった。
【００３８】
なお、図４においては、従来技術の問題点を絶縁層２０４に開口部２３１を形成する場合を例に挙げて説明したが、上記問題は、絶縁層２０８，２１８，２２３，２５３，２５７に開口部２３６，２４１，２４５，２６５，２６７を形成する場合にも発生する。
【００３９】
また、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３，２５３，２５７として、レーザ２７１が加工しにくいガラス繊維やシリカの粒子等のフィラーを有した樹脂層を用いた場合、上記問題はさらに顕著となる。
【００４０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層にレーザにより形成される開口部を小径化することのできる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４１】
本発明の一観点によれば、支持体上に配線層と絶縁層とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、樹脂からなる支持フィルムと、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、前記配線層と前記半硬化状態とされた絶縁層とが接触するように、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、前記絶縁層形成部材貼付工程後に、前記支持フィルム及び前記半硬化状態とされた絶縁層を加熱し、前記半硬化状態とされた絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に同時に開口部を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、絶縁層にレーザ（レーザ光）により形成される開口部を小径化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の配線基板の断面図である。
【図２】従来の他の配線基板の断面図である。
【図３】絶縁層に開口部を形成する際に使用するレーザの断面形状を模式的に示す図である。
【図４】従来の配線基板の製造方法の問題点を説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１０）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１１）である。
【図１７】開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１０）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１１）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１２）である。
【図３１】開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００４５】
（第１の実施の形態）
図５は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【００４６】
図５を参照するに、第１の実施の形態の配線基板１０は、コア付きビルドアップ配線基板であり、コア基板２１と、貫通電極２２と、パッド２３，３７と、絶縁層２４，２８，３８，４３と、ビア２６，２９，３９，４４と、配線パターン２７，４１と、電子部品接続用パッド３１と、ソルダーレジスト３２，４７と、拡散防止膜３３，４８と、外部接続用パッド４６とを有する。
【００４７】
コア基板２１は、板状とされており、貫通孔４９を有する。コア基板２１は、コア基板２１の両面２１Ａ，２１Ｂに形成されるビルドアップ構造体（具体的には、本実施の形態の場合、パッド２３、絶縁層２４，２８、ビア２６，２９、配線パターン２７、電子部品接続用パッド３１、ソルダーレジスト３２、及び拡散防止膜３３からなるビルドアップ構造体と、パッド３７、絶縁層３８，４３、ビア３９，４４、配線パターン４１、ソルダーレジスト４７、拡散防止膜４８、及び外部接続用パッド４６からなるビルドアップ構造体）を支持するための基板である。コア基板２１としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板を用いることができる。コア基板２１としてガラスエポキシ樹脂基板を用いた場合、コア基板２１の厚さは、例えば、８００μｍとすることができる。
【００４８】
貫通電極２２は、貫通孔４９に設けられている。貫通電極２２は、その上端がパッド２３と接続されており、下端がパッド３７と接続されている。これにより、貫通電極２２は、パッド２３とパッド３７とを電気的に接続している。貫通電極２２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４９】
パッド２３は、コア基板２１の上面２１Ａ及び貫通電極２２の上端に設けられている。パッド２３は、貫通電極２２を介して、コア基板２１の下面２１Ｂに設けられたパッド３７と電気的に接続されている。パッド２３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。パッド２３の厚さは、例えば、２５μｍとすることができる。
【００５０】
絶縁層２４は、パッド２３の一部を覆うように、コア基板２１の上面２１Ａに設けられている。絶縁層２４は、パッド２３の上面２３Ａの一部を露出する開口部５１を有する。開口部５１は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部５１は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２３１（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部５１は、開口部５１の側面に対応する絶縁層２４の面２４Ｂとパッド２３の面２３Ａとが成す角度θ4が９０度に近くなるように構成されている。
【００５１】
上記構成とされた絶縁層２４としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層２４としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層２４の熱膨張係数と電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層２４を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層２４を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層２４を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００５２】
絶縁層２４の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部５１の深さは、３０μｍとすることができる。開口部５１の深さが３０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部５１の端部の直径が６０μｍの場合、パッド２３側に位置する開口部５１の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００５３】
ビア２６は、開口部５１に設けられている。ビア２６の下端は、パッド２３と接続されている。ビア２６の上端は、配線パターン２７と一体的に構成されている。
【００５４】
配線パターン２７は、パッド５３と、配線５４とを有する。パッド５３は、絶縁層２４の上面２４Ａに設けられている。パッド５３は、配線５４と一体的に構成されている。パッド５３は、配線５４を介して、ビア２６と電気的に接続されている。配線５４は、ビア２６の上端及び絶縁層２４の上面２４Ａに設けられている。配線５４は、ビア２６及びパッド５３と一体的に構成されている。ビア２６及び配線パターン２７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることをできる。
【００５５】
絶縁層２８は、配線５４を覆うように、絶縁層２４の上面２４Ａに設けられている。絶縁層２８は、パッド５３の上面５３Ａの一部を露出する開口部５６を有する。開口部５６は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部５６は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２３６（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部５６は、開口部５６の側面に対応する絶縁層２８の面２８Ｂとパッド５３の上面５３Ａとが成す角度θ5が９０度に近くなるように構成されている。
【００５６】
上記構成とされた絶縁層２８としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層２８としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層２８の熱膨張係数と電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層２８を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層２８を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層２８を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００５７】
絶縁層２８の厚さは、例えば、４５μｍとすることができる。この場合、開口部５６の深さは、３０μｍとすることができる。開口部５６の深さが３０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部５６の端部の直径が６０μｍの場合、パッド５３側に位置する開口部５６の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００５８】
ビア２９は、開口部５６に設けられている。ビア２９の下端は、パッド５３と接続されている。ビア２９の上端は、電子部品接続用パッド３１と一体的に構成されている。
【００５９】
電子部品接続用パッド３１は、絶縁層２８の上面２８Ａ及びビア２９の上端に設けられている。電子部品接続用パッド３１は、拡散防止膜３３が形成される接続面３１Ａを有する。電子部品接続用パッド３１は、ビア２９と一体的に構成されている。電子部品接続用パッド３１は、ビア２９を介して、パッド５３と電気的に接続されている。ビア２９及び電子部品接続用パッド３１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６０】
ソルダーレジスト３２は、接続面３１Ａを除いた部分の電子部品接続用パッド３１を覆うように、絶縁層２８の上面２８Ａに設けられている。ソルダーレジスト３２は、電子部品接続用パッド３１の接続面３１Ａを露出する開口部３２Ａを有する。
【００６１】
拡散防止膜３３は、電子部品接続用パッド３１の接続面３１Ａを覆うように設けられている。拡散防止膜３３は、電子部品１１（例えば、半導体チップ）が実装される膜である。拡散防止膜３３としては、例えば、接続面３１ＡにＮｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、接続面３１ＡにＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、接続面３１ＡにＰｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。拡散防止膜３３としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００６２】
パッド３７は、コア基板２１の下面２１Ｂ及び貫通電極２２の下端に設けられている。パッド３７は、貫通電極２２を介して、コア基板２１の上面２１Ａに設けられたパッド２３と電気的に接続されている。パッド３７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。パッド３７の厚さは、例えば、２５μｍとすることができる。
【００６３】
絶縁層３８は、パッド３７の一部を覆うように、コア基板２１の下面２１Ｂに設けられている。絶縁層３８は、パッド３７の下面３７Ａの一部を露出する開口部６１を有する。開口部６１は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部６１は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２４１（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部６１は、開口部６１の側面に対応する絶縁層３８の面３８Ｂとパッド３７の下面３７Ａとが成す角度θ6が９０度に近くなるように構成されている。
【００６４】
上記構成とされた絶縁層３８としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層３８としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層３８の熱膨張係数と拡散防止膜３３を介して電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層３８を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層３８を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層３８を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００６５】
絶縁層３８の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部６１の深さは、３０μｍとすることができる。開口部６１の深さが３０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部６１の端部の直径が６０μｍの場合、パッド３７側に位置する開口部６１の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００６６】
ビア３９は、開口部６１に設けられている。ビア３９の上端は、パッド３７と接続されている。ビア３９の下端は、配線パターン４１と一体的に構成されている。
【００６７】
配線パターン４１は、パッド６２と、配線６３とを有する。パッド６２は、絶縁層３８の下面３８Ａに設けられている。パッド６２は、配線６３と一体的に構成されている。パッド６２は、配線６３を介して、ビア３９と電気的に接続されている。配線６３は、ビア３９の下端及び絶縁層３８の下面３８Ａに設けられている。配線６３は、ビア３９及びパッド６２と一体的に構成されている。ビア３９及び配線パターン４１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６８】
絶縁層４３は、配線６３を覆うように、絶縁層３８の下面３８Ａに設けられている。絶縁層４３は、パッド６２の下面６２Ａの一部を露出する開口部６５を有する。開口部６５は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部６５は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２４５（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部６５は、開口部６５の側面に対応する絶縁層４３の面４３Ｂとパッド６２の下面６２Ａとが成す角度θ7が９０度に近くなるように構成されている。
【００６９】
上記構成とされた絶縁層４３としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層４３としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることで、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層４３の熱膨張係数と拡散防止膜３３を介して電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層４３を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層４３を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層４３を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００７０】
絶縁層４３の厚さは、例えば、４５μｍとすることができる。この場合、開口部６５の深さは、３０μｍとすることができる。開口部６５の深さが３０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部６５の端部の直径が６０μｍの場合、パッド６２側に位置する開口部６５の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００７１】
ビア４４は、開口部６５に設けられている。ビア４４の上端は、パッド６２と接続されている。ビア４４は、外部接続用パッド４６と一体的に構成されている。
【００７２】
外部接続用パッド４６は、絶縁層４３の下面４３Ａ及びビア４４の下端に設けられている。外部接続用パッド４６は、拡散防止膜４８が形成される接続面４６Ａを有する。外部接続用パッド４６は、拡散防止膜４８を介して、マザーボード等の実装基板１３と電気的に接続されるパッドである。外部接続用パッド４６は、ビア４４と一体的に構成されている。ビア４４及び外部接続用パッド４６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００７３】
ソルダーレジスト４７は、接続面４６Ａを除いた部分の外部接続用パッド４６を覆うように、絶縁層４３の下面４３Ａに設けられている。ソルダーレジスト４７は、外部接続用パッド４６の接続面４６Ａを露出する開口部４７Ａを有する。
【００７４】
拡散防止膜４８は、外部接続用パッド４６の接続面４６Ａを覆うように設けられている。拡散防止膜４８には、外部接続端子１５（例えば、はんだボール）が配設される。拡散防止膜４８としては、例えば、接続面４６ＡにＮｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、接続面４６ＡにＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、接続面４６ＡにＰｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。拡散防止膜４８としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００７５】
図６〜図１６は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図６〜図１６において、第１の実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７６】
図６〜図１６を参照して、第１の実施の形態の配線基板１０の製造方法について説明する。始めに、図６に示す工程では、周知の手法により、配線基板１０が形成される配線基板形成領域Ａを複数有したコア基板７１に、貫通孔４９、貫通電極２２、パッド２３，３７を形成する。コア基板７１は、切断位置Ｂにおいて切断されることにより、複数のコア基板２１（図５に示す配線基板１０の構成要素の１つ）となる基板である。コア基板７１としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板を用いることができる。コア基板７１としてガラスエポキシ樹脂基板を用いた場合、コア基板７１の厚さは、例えば、８００μｍとすることができる。
【００７７】
貫通孔４９は、例えば、ドリルを用いて形成することができる。貫通電極２２及びパッド２３，３７は、例えば、めっき法により形成することができる。この場合、貫通電極２２及びパッド２３，３７の材料としては、Ｃｕを用いることができる。
【００７８】
次いで、図７に示す工程では、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａ（一方の面）に設けられ、半硬化状態とされた絶縁層７５とを備えた絶縁層形成部材７３を準備する（絶縁層形成部材準備工程）。ここでは、２つの絶縁層形成部材７３を準備する。支持フィルム７４は、絶縁層７５を支持するためのフィルムである。支持フィルム７４の材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリカーボネート等を用いることができる。支持フィルム７４の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【００７９】
半硬化状態とされた絶縁層７５は、後述する図９に示す工程において、硬化されることにより、絶縁層２４，３８となる。半硬化状態とされた絶縁層７５としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない半硬化状態とされた樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した半硬化状態とされた樹脂層等を用いることができる。絶縁層７５を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層７５を構成する半硬化状態とされた樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層７５を構成する半硬化状態とされた樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。半硬化状態とされた絶縁層７５の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【００８０】
次いで、図８に示す工程では、図６に示す構造体の両面（具体的には、パッド２３が形成されたコア基板７１の上面７１Ａと、パッド３７が形成されたコア基板７１の下面７１Ｂ）と半硬化状態とされた絶縁層７５とが接触するように、図６に示す構造体の両面にそれぞれ絶縁層形成部材７３を貼り付ける（絶縁層形成部材貼付工程）。具体的には、絶縁層形成部材７３は、例えば、真空熱圧着により、図６に示す構造体の両面に貼り付ける。コア基板７１の上面７１Ａに貼り付けられた絶縁層７５は、後述する図９に示す工程において、硬化されることにより絶縁層２４（図５参照）となる層である。また、コア基板７１の下面７１Ｂに貼り付けられた絶縁層７５は、後述する図９に示す工程において、硬化されることにより絶縁層３８（図５参照）となる層である。
【００８１】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す半硬化状態とされた絶縁層７５を硬化させて、コア基板７１の上面７１Ａ側に絶縁層２４（硬化した絶縁層）と、コア基板７１の下面７１Ｂ側に絶縁層３８（硬化した絶縁層）とを同時に形成する（絶縁層硬化工程）。具体的には、例えば、絶縁層７５が熱硬化性樹脂を母材とする場合、図８に示す構造体を加熱（例えば、加熱温度は１８０℃）することで、硬化した絶縁層２４，３８を形成する。
【００８２】
次いで、図１０に示す工程では、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２４，３８にレーザ２７１（図３参照）を照射する。言い換えれば、支持フィルム７４の面７４Ｂ（絶縁層２４，３８と接触していない側の支持フィルム７４の面）にレーザ２７１を照射して、絶縁層２４にパッド２３の上面２３Ａの一部を露出する開口部５１を形成すると共に、絶縁層３８にパッド３７の下面３７Ａの一部を露出する開口部６１を形成する（開口部形成工程）。
【００８３】
図１７は、開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。図１７において、先に説明した図３に示すレーザ２７１及び図１０に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８４】
ここで、支持フィルム７４を絶縁層２４，３８に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層２４，３８に照射して開口部５１，６１を形成した場合の作用について説明する。
【００８５】
図１７に示すように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２４，３８にレーザ２７１を照射して、絶縁層２４，３８に開口部５１，６１を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び弱エネルギー領域の内側に位置すると共に、レーザの中心部に位置するエネルギー強度の強い強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が絶縁層２４，３８に照射されることを支持フィルム７４により防ぐことが可能となる。
【００８６】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ4，θ6が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて開口部５１，６１を形成することが可能となる。これにより、絶縁層２４，３８に側面の形状が垂直形状に近い開口部５１，６１を形成することが可能（開口部５１，６１の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるので、開口部５１，６１を小径化することができる。
【００８７】
また、支持フィルム７４を絶縁層２４，３８に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層２４，３８に照射して開口部５１，６１を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、絶縁層２４，３８の屑）が絶縁層２４，３８の面２４Ａ，３８Ａに付着することがなくなるため、絶縁層２４，３８の面２４Ａ，３８Ａに配線パターン２７，４１を精度よく形成することができる。
【００８８】
開口部５１，６１の深さが３０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部５１，６１の端部の直径が６０μｍの場合、開口部５１，６１の他方の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００８９】
次いで、図１１に示す工程では、図１０に示す構造体に設けられた２つの支持フィルム７４を除去する（支持フィルム除去工程）。具体的には、図１０に示す構造体に設けられた絶縁層２４，３８から支持フィルム７４を剥すことで、支持フィルム７４を除去する。
【００９０】
次いで、図１２に示す工程では、周知の手法により、ビア２６，３９及び配線パターン２７，４１を同時に形成する（ビア形成工程）。ビア２６，３９及び配線パターン２７，４１は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【００９１】
この場合、具体的には、粗化処理により絶縁層２４の上面２４Ａ及び面２４Ｂと絶縁層３８の下面３８Ａ及び面３８Ｂとを粗化し、次いで、粗化された絶縁層２４の上面２４Ａ及び面２４Ｂ、粗化された絶縁層３８の下面３８Ａ及び面３８Ｂ、開口部５１に露出された部分のパッド２３の上面２３Ａ、及び開口部６１に露出された部分のパッド３７の下面３７Ａを覆うようにシード層（図示せず）を形成する。次いで、絶縁層２４の上面２４に配線パターン２７の形成領域に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成し、絶縁層３８の下面３８に配線パターン４１の形成領域に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９２】
次いで、シード層を給電層とする電解めっき法により、レジスト膜の開口部に露出された部分のシード層にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜（例えば、厚さ１５μｍ））を析出成長させ、その後、レジスト膜及びレジスト膜に覆われていた不要なシード層を除去することで、ビア２６，３９及び配線パターン２７，４１を同時に形成する。上記粗化処理としては、例えば、デスミア処理を用いることができる。また、シード層としては、例えば、無電解めっきやスパッタ法により形成されたＣｕ層（例えば、厚さ０．１μｍ）を用いることができる。
【００９３】
なお、支持フィルム７４の除去は、ビア２６，３９を形成する直前に行うとよい。このように、ビア２６，３９を形成する直前に支持フィルム７４を除去することにより、例えば、ハンドリング（搬送）により絶縁層２４の上面２４Ａ及び絶縁層３８の下面３８Ａに異物が付着したり、絶縁層２４，３８が傷ついたりすることを防止することが可能となる。これにより、配線基板１０の歩留まりを向上させることができる。
【００９４】
次いで、図１３に示す工程では、先に説明した図７〜図１０に示す工程と同様な処理を行うことにより、図１２に示す構造体に開口部５６を有した絶縁層２８と、開口部６５を有した絶縁層４３とを形成する。
【００９５】
このように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２８，４３にレーザ２７１を照射して、絶縁層２８，４３に開口部５６，６５を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が絶縁層２８，４３に照射されることを支持フィルム７４により防ぐことが可能となる。
【００９６】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ5，θ7が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて側面の形状が垂直形状に近い開口部５６，６５を形成することが可能（開口部５６，６５の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部５６，６５を小径化することができる。
【００９７】
また、支持フィルム７４を絶縁層２８，４３に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層２８，４３に照射して開口部５６，６５を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、絶縁層２８，４３の屑）が絶縁層２８，４３の面２８Ａ，４３Ａに付着することがなくなるため、絶縁層２８，４３の面２８Ａ，４３Ａに電子部品接続用パッド３１又は外部接続用パッド４６を精度よく形成することができる。
【００９８】
開口部５６，６５の深さが３０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部５６，６５の端部の直径が６０μｍの場合、開口部５６，６５の他方の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００９９】
次いで、図１４に示す工程では、先に説明した図１２に示す工程と同様な処理を行うことにより、ビア２９，４４、電子部品接続用パッド３１、及び外部接続用パッド４６を同時に形成する。
【０１００】
次いで、図１５に示す工程では、周知の手法により、開口部３２Ａを有したソルダーレジスト３２、開口部４７Ａを有したソルダーレジスト４７、及び拡散防止膜３３，４８を形成する。これにより、複数の配線基板形成領域Ａにそれぞれ配線基板１０に相当する構造体が形成される。拡散防止膜３３，４８としては、例えば、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。拡散防止膜３３，４８としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【０１０１】
次いで、図１６に示す工程では、図１５に示す構造体を切断位置Ｂに沿って切断する。これにより、複数の配線基板１０が個片化される。
【０１０２】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａに設けられ、半硬化状態とされた絶縁層７５とを備えた絶縁層形成部材７３を準備し、パッド２３，３７，５３，６２と半硬化状態とされた絶縁層７５とが接触するように、絶縁層形成部材７３をパッド２３，３７，５３，６２に貼り付け、次いで、半硬化状態とされた絶縁層７５を硬化させることで絶縁層２４，２８，３８，４３を形成し、その後、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２４，２８，３８，４３にレーザ２７１を照射して開口部５１，５６，６１，６５を形成することにより、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が支持フィルム７４により遮断されるため、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が絶縁層２４，２８，３８，４３に照射されることがなくなるため、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ4，θ5，θ6，θ7，が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１を用いて絶縁層２４，２８，３８，４３に側面の形状が垂直形状に近い開口部５１，５６，６１，６５を形成することが可能（開口部５１，５６，６１，６５の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるので、開口部５１，５６，６１，６５を小径化することができる。
【０１０３】
（第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。図１８において、第１の実施の形態で説明した図５に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１０４】
図１８を参照するに、第２の実施の形態の配線基板８０は、コアレス基板であり、電子部品接続用パッド８１と、絶縁層８２，８７と、ビア８４，８８と、配線パターン８５と、外部接続用パッド９１と、ソルダーレジスト９２とを有する。
【０１０５】
電子部品接続用パッド８１は、電子部品１１が搭載（接続）される接続面８１Ａを有する。電子部品接続用パッド８１は、接続面８１Ａと絶縁層８２の面８２Ａ（絶縁層８７と接触する面８２Ｂとは反対側の面）とが略面一となるように、絶縁層８２（具体的には、絶縁層８２を構成する後述する樹脂層９６）に内設されている。電子部品接続用パッド８１としては、例えば、接続面８１Ａ側からＡｕ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｎｉ層（例えば、厚さ５μｍ）とを順次積層させたＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。この場合、Ａｕ層に電子部品１１が搭載される。
【０１０６】
絶縁層８２は、芯材９５と、芯材９５を覆うと共に、硬化された樹脂層９６とを有する。絶縁層８２の面８２Ａは、電子部品接続用パッド８１の接続面８１Ａと略面一とされている。絶縁層８２は、電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂ（接続面８１Ａとは反対側に位置する電子部品接続用パッド８１の面）を露出する開口部１００を有する。開口部１００は、電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂと対向する部分の絶縁層８２（具体的には、芯材９５及び樹脂層９６）を貫通するように形成されている。開口部１００は、絶縁層８２の面８２Ｂ（面８２Ａとは反対側に位置する絶縁層８２の面）側からレーザを照射することで形成する。開口部１００は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２５０に設けられた開口部２６５（図２参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部１００は、開口部１００の側面に対応する樹脂層９６の面９６Ａと電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂとが成す角度θ8が９０度に近くなるように構成されている。絶縁層８２の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部１００の深さは、４０μｍとすることができる。開口部１００の深さが４０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部１００の端部の直径が６０μｍの場合、電子部品接続用パッド８１側に位置する開口部１００の端部の直径は、例えば、４５μｍとすることができる。
【０１０７】
芯材９５は、硬化された樹脂層９６に覆われている。芯材９５は、樹脂層９６と比較してレーザで加工しにくいため、開口部１００内には芯材９５が突出している。芯材９５は、絶縁層８２の強度を補強することで、コアレス基板である配線基板８０の反りを低減するための部材である。芯材９５としては、例えば、ガラス繊維の織布や不織布、アラミド繊維の織布や不織布等を用いることができる。また、芯材９５として、上記繊維以外の繊維を用いてもよい。
【０１０８】
樹脂層９６は、電子部品接続用パッド８１の側面と電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂの一部とを覆っている。樹脂層９６としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、樹脂層９６としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることで、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層８２の熱膨張係数と電子部品接続用パッド８１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。
【０１０９】
絶縁層８２を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。樹脂層９６の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、樹脂層９６の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【０１１０】
ビア８４は、絶縁層８２に形成された開口部１００に設けられている。ビア８４は、一方の端部が電子部品接続用パッド８１と接続されており、他方の端部が配線パターン８５と一体的に構成されている。これにより、ビア８４は、電子部品接続用パッド８１と配線パターン８５とを電気的に接続している。
【０１１１】
配線パターン８５は、パッド９８と、配線９９とを有する。パッド９８は、絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。パッド９８は、配線９９と一体的に構成されている。パッド９８は、配線９９を介して、ビア８４と電気的に接続されている。配線９９は、ビア８４の他方の端部及び絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。配線９９は、ビア８４及びパッド９８と一体的に構成されている。ビア８４及び配線パターン８５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることをできる。ビア８４及び配線パターン８５は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【０１１２】
絶縁層８７は、芯材９５と、芯材９５を覆うと共に、硬化された樹脂層９６とを有する。絶縁層８７は、配線９９を覆うように、絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。絶縁層８７は、パッド９８の面９８Ａを露出する開口部１０２を有する。開口部１０２は、パッド９８の面９８Ａと対向する部分の絶縁層８７（具体的には、芯材９５及び樹脂層９６）を貫通するように形成されている。開口部１０２は、絶縁層８７の面８７Ａ（絶縁層８２と接触する面とは反対側に位置する絶縁層８７の面）側からレーザを照射することで形成する。開口部１０２は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２５０に設けられた開口部２６７（図２参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部１０２は、開口部１０２の側面に対応する部分の樹脂層９６の面９６Ｂとパッド９８の面９８Ａとが成す角度θ9が９０度に近くなるように構成されている。絶縁層８７の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部１０２の深さは、４０μｍとすることができる。開口部１０２の深さが４０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部１０２の端部の直径が６０μｍの場合、外部接続用パッド９１側に位置する開口部１０２の端部の直径は、例えば、４５μｍとすることができる。
【０１１３】
芯材９５は、硬化された樹脂層９６に覆われている。芯材９５は、樹脂層９６と比較してレーザで加工しにくいため、開口部１０２内には芯材９５が突出している。芯材９５は、絶縁層８７の強度を補強することで、コアレス基板である配線基板８０の反りを低減するための部材である。芯材９５としては、例えば、ガラス繊維の織布や不織布、アラミド繊維の織布や不織布等を用いることができる。また、芯材９５として、上記繊維以外の繊維を用いてもよい。
【０１１４】
樹脂層９６は、配線９９を覆うように、絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。樹脂層９６としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、樹脂層９６としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることで、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層８７の熱膨張係数と電子部品接続用パッド８１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。
【０１１５】
絶縁層８７を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。樹脂層９６の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、樹脂層９６の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【０１１６】
ビア８８は、絶縁層８７に形成された開口部１０２に設けられている。ビア８８は、一方の端部がパッド９８と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド９１と一体的に構成されている。これにより、ビア８８は、パッド９８と外部接続用パッド９１とを電気的に接続している。
【０１１７】
外部接続用パッド９１は、絶縁層８７の面８７Ａ（絶縁層８２と接触する面とは反対側に位置する絶縁層８７の面）に設けられており、ビア８８と一体的に構成されている。外部接続用パッド９１は、外部接続端子１５が配設される端子配置面９１Ａを有する。外部接続用パッド９１は、外部接続端子１５を介して、マザーボード等の実装基板１３と電気的に接続されるパッドである。ビア８８及び外部接続用パッド９１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。ビア８８及び外部接続用パッド９１は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【０１１８】
ソルダーレジスト９２は、端子配置面９１Ａを除いた部分の外部接続用パッド９１を覆うように、絶縁層８７の面８７Ａに設けられている。ソルダーレジスト９２は、外部接続用パッド９１の端子配置面９１Ａを露出する開口部９２Ａを有する。
【０１１９】
図１９〜図３０は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図１９〜図３０において、第２の実施の形態の配線基板８０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２０】
図１９〜図３０を参照して、第２の実施の形態の配線基板８０の製造方法について説明する。始めに、図１９に示す工程では、導電性を有した支持体１１１の面１１１Ａに、電子部品接続用パッド８１の形成領域に対応する部分の支持体１１１の面１１１Ａを露出する開口部１１２Ａを有したレジスト膜１１２を形成し、次いで、支持体１１１を給電層とする電解めっき法により、開口部１１２Ａに露出された部分の支持体１１１の面１１１Ａ上に電子部品接続用パッド８１を形成する。具体的には、電子部品接続用パッド８１は、例えば、電子部品接続用パッド８１としてＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜を用いた場合、開口部１１２Ａを有したレジスト膜１１２を形成後に、電解めっき法により、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｎｉ層（例えば、厚さ５μｍ）とを順次析出成長させることで形成する。導電性を有した支持体１１１としては、例えば、金属箔（例えば、Ｃｕ箔）や金属板（例えば、Ｃｕ板）等を用いることができる。続く、図２０に示す工程では、レジスト膜１１２を除去する。
【０１２１】
次いで、図２１に示す工程では、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａ（一方の面）に設けられ、半硬化状態とされた絶縁層１１４とを備えた絶縁層形成部材１１３を準備する（絶縁層形成部材準備工程）。支持フィルム７４は、絶縁層１１４を支持するためのフィルムである。支持フィルム７４の材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリカーボネート等を用いることができる。支持フィルム７４の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【０１２２】
絶縁層１１４は、芯材９５と、芯材９５を覆うと共に、半硬化状態とされた樹脂層１１５とを有する。芯材９５としては、例えば、ガラス繊維の織布や不織布、アラミド繊維の織布や不織布等を用いることができる。また、芯材９５として、上記繊維以外の繊維を用いてもよい。半硬化状態とされた樹脂層１１５としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない半硬化状態とされた樹脂層や、半硬化状態とされると共に、シリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。絶縁層１１４を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。半硬化状態とされた樹脂層１１５の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、半硬化状態とされた樹脂層１１５の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。上記構成とされた絶縁層１１４の厚さは、例えば、３０μｍ〜５０μｍとすることができる。
【０１２３】
次いで、図２２に示す工程では、支持体１１１に形成された電子部品接続用パッド８１と半硬化状態とされた樹脂層１１５とが接触するように、支持体１１１の面１１１Ａに絶縁層形成部材１１３を貼り付ける（絶縁層形成部材貼付工程）。具体的には、例えば、真空熱圧着により支持体１１１の面１１１Ａに絶縁層形成部材１１３を貼り付ける。支持体１１１の面１１１Ａに貼り付けられた半硬化状態の絶縁層１１４は、後述する図２３に示す工程において、硬化されることにより絶縁層８２（図１８参照）となる層である。
【０１２４】
次いで、図２３に示す工程では、図２２に示す半硬化状態とされた樹脂層１１５を硬化させて樹脂層９６を形成する（絶縁層硬化工程）。これにより、支持体１１１の面１１１Ａ側に硬化した樹脂層９６を備えた絶縁層８２が形成される。
【０１２５】
具体的には、例えば、半硬化状態とされた樹脂層１１５の母材が熱硬化性樹脂である場合、図２２に示す構造体を加熱（例えば、加熱温度は１８０℃）することで、硬化した樹脂層９６を備えた絶縁層８２を形成する。
【０１２６】
次いで、図２４に示す工程では、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層８２に図３に示すレーザ２７１を照射する。言い換えれば、支持フィルム７４の面７４Ｂ（絶縁層８２と接触していない側の支持フィルム７４の面）にレーザ２７１を照射して、絶縁層８２に電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂの一部を露出する開口部１００を形成する（開口部形成工程）。
【０１２７】
図３１は、開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。図３１において、先に説明した図３に示すレーザ２７１及び図１８に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２８】
ここで、支持フィルム７４を介して、絶縁層８２にレーザ２７１（図３参照）を照射することにより開口部１００を形成する作用について説明する。
【０１２９】
図３１に示すように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層８２にレーザ２７１を照射して、絶縁層８２に開口部１００を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び弱エネルギー領域２７３の内側に位置すると共に、レーザの中心部に位置するエネルギー強度の強い強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１を支持フィルム７４で遮断することが可能となる。
【０１３０】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ8が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて側面の形状が垂直形状に近い開口部１００を形成することが可能（開口部１００の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部１００を小径化することができる。
【０１３１】
また、強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて開口部１００を形成することにより、従来よりも芯材９５が加工されやすくなるため、開口部１００内に突出する芯材９５の突出量を少なくすることが可能となる。これにより、例えば、めっき法によりビア８４を形成する場合、開口部１００内に十分にめっき液を供給することが可能となるため、電子部品接続用パッド８１と配線パターン８５との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１３２】
さらに、支持フィルム７４を絶縁層８２に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層８２に照射して開口部１００を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、芯材９５や樹脂層９６の屑）が絶縁層８２の面８２Ｂに付着することがなくなるため、絶縁層８２の面８２Ｂに配線パターン８５を精度よく形成することができる。
【０１３３】
次いで、図２５に示す工程では、図２４に示す構造体に設けられた支持フィルム７４を除去する（支持フィルム除去工程）。具体的には、開口部１００が形成された絶縁層８２から支持フィルム７４を剥すことで、支持フィルム７４を除去する。
【０１３４】
次いで、図２６に示す工程では、周知の手法により、ビア８４及び配線パターン８５を同時に形成する（ビア形成工程）。ビア８４及び配線パターン８５は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【０１３５】
この場合、具体的には、粗化処理により絶縁層８２の面８２Ｂ及び樹脂層９６の面９６Ａを粗化し、次いで、粗化された絶縁層８７の面８７Ａ及び樹脂層９６の面９６Ａと開口部１００に露出された部分の電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂを覆うようにシード層（図示せず）を形成する。次いで、絶縁層８２の面８２Ｂに配線パターン８５の形成領域に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成する。次いで、シード層を給電層とする電解めっき法により、レジスト膜の開口部に露出された部分のシード層にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜（例えば、厚さ１５μｍ））を析出成長させ、その後、レジスト膜及びレジスト膜に覆われていた部分の不要なシード層を除去することで、ビア８４及び配線パターン８５を同時に形成する。上記粗化処理としては、例えば、デスミア処理を用いることができる。また、シード層としては、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成されたＣｕ層（厚さは、例えば、０．１μｍ）を用いることができる。
【０１３６】
なお、支持フィルム７４の除去は、ビア８４を形成する直前に行うとよい。このように、ビア８４を形成する直前に支持フィルム７４を除去することにより、絶縁層８２の面８２Ｂに異物が付着したり、絶縁層８２が傷ついたりすることを防止することが可能となるので、配線基板８０の歩留まりを向上させることができる。
【０１３７】
次いで、図２７に示す工程では、先に説明した図２１〜図２５に示す工程と同様な処理を行うことにより、図２６に示す構造体に開口部１０２を有した絶縁層８７を形成する。
【０１３８】
このように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層８７にレーザ２７１を照射して開口部１０２を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１を支持フィルム７４で遮断することが可能となる。
【０１３９】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ8，θ9が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて、側面の形状が垂直形状に近い開口部１０２を形成することが可能（開口部１０２の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部１０２を小径化することができる。
【０１４０】
また、支持フィルム７４を絶縁層８７に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層８７に照射して開口部１０２を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、芯材９５や樹脂層９６の屑）が絶縁層８７の面８７Ａに付着することがなくなるため、絶縁層８７の面８７Ａに外部接続用パッド９１を精度よく形成することができる。
【０１４１】
開口部１０２の深さが４０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部１０２の端部の直径が６０μｍの場合、開口部１０２の他方の端部の直径は、例えば、４５μｍとすることができる。
【０１４２】
次いで、図２８に示す工程では、先に説明した図２６に示す工程と同様な処理を行うことにより、ビア８８及び外部接続用パッド９１を同時に形成する。次いで、図２９に示す工程では、周知の手法により、絶縁層８７の面８７Ａに端子配置面９１Ａを露出する開口部９２Ａを有したソルダーレジスト９２を形成する。これにより、支持体１１１上に配線基板８０に相当する構造体が形成される。なお、ソルダーレジスト９２を形成後に、無電解めっき法により、端子配置面９１ＡにＮｉめっき膜と、Ａｕめっき膜とを順次積層させて、Ｎｉ／Ａｕ積層膜を形成してもよい。
【０１４３】
次いで、図３０に示す工程では、支持体１１１を除去する。具体的には、例えば、支持体１１１としてＣｕ箔或いはＣｕ板を用いた場合、エッチングにより支持体１１１を除去する。これにより、配線基板８０が製造される。なお、図３０では、図２９に示す構造体から支持体１１１を除去したものを上下反転させて図示している。
【０１４４】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａに設けられ、半硬化状態とされた絶縁層１１４とを備えた絶縁層形成部材１１３を準備し、電子部品接続用パッド８１或いはパッド９８と半硬化状態とされた絶縁層１１４とが接触するように、絶縁層形成部材１１３を電子部品接続用パッド８１或いはパッド９８に貼り付け、次いで、半硬化状態とされた絶縁層１１４を硬化させて絶縁層８２，８７とし、その後、支持フィルム７４を介して、絶縁層８２，８７にレーザ２７１を照射して開口部１００，１０２を形成することにより、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１を支持フィルム７４で遮断することが可能となる。
【０１４５】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ8，θ9が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて絶縁層８２，８７に側面の形状が垂直形状に近い開口部１００，１０２を形成することが可能（開口部１００，１０２の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部１００，１０２を小径化することができる。
【０１４６】
また、強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて絶縁層８２，８７に開口部１００，１０２を形成することにより、従来よりも芯材９５が加工されやすくなるため、従来よりも開口部１００内に突出する芯材９５の突出量を少なくすることが可能となる。これにより、例えば、めっき法によりビア８４，８８を形成する場合、開口部１００，１０２内に十分な量のめっき液を供給することが可能となるため、電子部品接続用パッド８１と配線パターン８５との間の電気的接続信頼性、及び外部接続用パッド９１とパッド９８との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態では、支持体１１１上に１つの配線基板８０を形成する場合を例に挙げて説明したが、配線基板８０が形成される領域を複数有した支持体１１１上に複数の配線基板８０に相当する構造体を形成し、その後、支持体１１１を除去し、その後、複数の配線基板８０に相当する構造体を切断して、複数の配線基板８０を個片化してもよい。
【０１４８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１４９】
例えば、第１の実施の形態で説明した絶縁層形成部材７３の代わりに第２の実施の形態で説明した絶縁層形成部材１１３を用いて、絶縁層２４，２８，３８，４３を形成してもよい（つまり、絶縁層２４，２８，３８，４３に芯材９５を設けてもよい）。また、第２の実施の形態で説明した絶縁層形成部材１１３の代わりに第１の実施の形態で説明した絶縁層形成部材７３を用いて絶縁層８２，８７を形成してもよい（つまり、芯材９５のない絶縁層８２，８７を用いてもよい）。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明は、パッドを覆う絶縁層と、レーザにより絶縁層に形成され、パッドの一部を露出する開口部と、開口部に設けられ、パッドと接続されたビアとを備えた配線基板の製造方法に適用できる。
【符号の説明】
【０１５１】
１０，８０ 配線基板
１１ 電子部品
１３ 実装基板
１４，２３，３７，５３，６２，９８ パッド
１５ 外部接続端子
２１，７１ コア基板
２１Ａ，２３Ａ，２４Ａ，２８Ａ，５３Ａ，７１Ａ 上面
２１Ｂ，３７Ａ，３８Ａ，４３Ａ，６２Ａ，７１Ｂ 下面
２２ 貫通電極
２３Ａ，２４Ｂ，２８Ｂ，３８Ｂ，４３Ｂ，７４Ａ，７４Ｂ，８１Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ，９６Ａ，９６Ｂ，９８Ａ，１１１Ａ，１１１Ｂ 面
２４，２８，３８，４３，７５，８２，８７，１１４ 絶縁層
２６，２９，３９，４４，８４，８８ ビア
２７，４１，８５ 配線パターン
３１，８１ 電子部品接続用パッド
３１Ａ，４６Ａ，８１Ａ 接続面
３２，４７，９２ ソルダーレジスト
３２Ａ，４７Ａ，５１，５６，６１，６５，９２Ａ，１００，１０２，１１２Ａ 開口部
３３，４８ 拡散防止膜
４６，９１ 外部接続用パッド
４９ 貫通孔
５４，６３，９９ 配線
７３，１１３ 絶縁層形成部材
７４ 支持フィルム
９１Ａ 端子配置面
９５ 芯材
９６ 樹脂層
１１１ 支持体
１１２ レジスト膜
Ａ 配線基板形成領域
Ｂ 切断位置
θ4，θ5，θ6，θ7，θ8，θ9 角度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッドを覆う絶縁層と、レーザにより絶縁層に形成され、パッドの一部を露出する開口部と、開口部に設けられ、パッドと接続されたビアとを備えた配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板には、コア基板を有したコア付きビルドアップ配線基板（図１参照）と、コア基板を有していないコアレス基板（図２参照）とがある。
【０００３】
図１は、従来の配線基板の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の配線基板２００は、コア付きビルドアップ配線基板であり、コア基板２０１と、貫通電極２０２と、パッド２０３，２１７と、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３と、ビア２０６，２０９，２１９，２２４と、配線パターン２０７，２２１と、電子部品接続用パッド２１１と、ソルダーレジスト２１２，２２７と、拡散防止膜２１３，２２８と、外部接続用パッド２２６とを有する。
【０００５】
貫通電極２０２は、コア基板２０１を貫通するように設けられている。貫通電極２０２は、その上端がパッド２０３と接続されており、下端はパッド２１７と接続されている。
【０００６】
パッド２０３は、コア基板２０１の上面２０１Ａ及び貫通電極２０２の上端に設けられている。絶縁層２０４は、パッド２０３の一部を覆うように、コア基板２０１の上面２０１Ａに設けられている。絶縁層２０４は、パッド２０３の上面の一部を露出する開口部２３１を有する。開口部２３１は、絶縁層２０４に直接レーザを照射することで形成する。ビア２０６は、開口部２３１に設けられている。ビア２０６の下端は、パッド２０３と接続されている。ビア２０６は、配線パターン２０７と一体的に構成されている。
【０００７】
配線パターン２０７は、パッド２３３と、配線２３４とを有する。パッド２３３は、絶縁層２０４の上面２０４Ａに設けられている。パッド２３３は、配線２３４と一体的に構成されている。配線２３４は、ビア２０６の上端及び絶縁層２０４の上面２０４Ａに設けられている。配線２３４は、ビア２０６と一体的に構成されている。配線２３４は、ビア２０６とパッド２３３とを電気的に接続している。
【０００８】
絶縁層２０８は、配線２３４を覆うように、絶縁層２０４の上面２０４Ａに設けられている。絶縁層２０８は、パッド２３３の上面の一部を露出する開口部２３６を有する。開口部２３６は、絶縁層２０８に直接レーザを照射することで形成する。
【０００９】
ビア２０９は、開口部２３６に設けられている。ビア２０９は、その下端がパッド２３３と接続されている。電子部品接続用パッド２１１は、絶縁層２０８の上面２０８Ａ及びビア２０９の上端に設けられている。電子部品接続用パッド２１１は、ビア２０９と一体的に構成されている。電子部品接続用パッド２１１は、拡散防止膜２１３が形成される拡散防止膜形成領域２１１Ａを有する。電子部品接続用パッド２１１は、拡散防止膜２１３を介して、電子部品（例えば、半導体チップ）と電気的に接続されるパッドである。
【００１０】
ソルダーレジスト２１２は、拡散防止膜形成領域２１１Ａ以外の部分の電子部品接続用パッド２１１を覆うように、絶縁層２０８の上面２０８Ａに設けられている。ソルダーレジスト２１２は、拡散防止膜形成領域２１１Ａを露出する開口部２０２Ａを有する。拡散防止膜２１３は、拡散防止膜形成領域２１１Ａを覆うように設けられている。拡散防止膜２１３には、図示していない電子部品（例えば、半導体チップ）が接続される。
【００１１】
パッド２１７は、コア基板２０１の下面２０１Ｂ及び貫通電極２０２の下端に設けられている。パッド２１７は、貫通電極２０２を介して、パッド２０３と電気的に接続されている。絶縁層２１８は、パッド２１７の一部を覆うように、コア基板２０１の下面２０１Ｂに設けられている。絶縁層２１８は、パッド２１７の下面の一部を露出する開口部２４１を有する。開口部２４１は、絶縁層２１８に直接レーザを照射することで形成する。ビア２１９は、開口部２４１に設けられている。ビア２１９の上端は、パッド２１７と接続されている。ビア２１９は、配線パターン２２１と一体的に構成されている。
【００１２】
配線パターン２２１は、パッド２４２と、配線２４３とを有する。パッド２４２は、絶縁層２１８の下面２１８Ａに設けられている。パッド２４２は、配線２４３と一体的に構成されている。配線２４３は、ビア２１９の下端及び絶縁層２１８の下面２１８Ａに設けられている。配線２４３は、ビア２１９と一体的に構成されている。配線２４３は、ビア２１９とパッド２４２とを電気的に接続している。
【００１３】
絶縁層２２３は、配線２４３を覆うように、絶縁層２１８の下面２１８Ａに設けられている。絶縁層２２３は、パッド２４２の上面の一部を露出する開口部２４５を有する。開口部２４５は、絶縁層２２３に直接レーザを照射することで形成する。
【００１４】
ビア２２４は、開口部２４５に設けられている。ビア２２４の上端は、パッド２４２と接続されている。外部接続用パッド２２６は、ビア２２４と一体的に構成されている。外部接続用パッド２２６は、拡散防止膜２２８が形成される拡散防止膜形成領域２２６Ａを有する。外部接続用パッド２２６は、拡散防止膜２２８を介して、例えば、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドである。
【００１５】
ソルダーレジスト２２７は、拡散防止膜形成領域２２６Ａ以外の部分の外部接続用パッド２２６を覆うように、絶縁層２２３の下面２２３Ａに設けられている。ソルダーレジスト２２７は、拡散防止膜形成領域２２６Ａを露出する開口部２２７Ａを有する。拡散防止膜２２８は、拡散防止膜形成領域２２６Ａに設けられている。拡散防止膜２２８には、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される外部接続端子（図示せず）が配設される。
【００１６】
上記構成とされた配線基板２００では、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３として、シリカの粒子を含有していない樹脂層やシリカの粒子を含有した樹脂層等が用いられる。絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３の熱膨張係数と電子部品接続用パッド２１１に実装される電子部品（具体的には、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【００１７】
図２は、従来の他の配線基板の断面図である。
【００１８】
図２を参照するに、従来の他の配線基板２５０は、コアレス基板であり、電子部品接続用パッド２５１と、絶縁層２５３，２５７と、ビア２５４，２５９と、配線パターン２５５と、外部接続用パッド２６１と、ソルダーレジスト２６３とを有する。
【００１９】
電子部品接続用パッド２５１は、図示していない電子部品（例えば、半導体チップ）が接続される接続面２５１Ａを有する。電子部品接続用パッド２５１は、接続面２５１Ａが露出された状態で絶縁層２５３に内設されている。接続面２５１Ａは、絶縁層２５３の面２５３Ａ（絶縁層２５７と接触する側の面２５３Ｂとは反対側の絶縁層２５３の面）と略面一とされている。
【００２０】
絶縁層２５３は、接続面２５１Ａを露出した状態で電子部品接続用パッド２５１を内設している。絶縁層２５３は、接続面２５１Ａの反対側に位置する電子部品接続用パッド２５１の面２５１Ｂの一部を露出する開口部２６５を有する。開口部２６５は、絶縁層２５３に直接レーザを照射することで形成する。
【００２１】
ビア２５４は、開口部２６５に設けられている。ビア２５４の一方の端部は、電子部品接続用パッド２５１と接続されている。ビア２５４は、配線パターン２５５と一体的に構成されている。
【００２２】
配線パターン２５５は、パッド２７１と、配線２７２とを有する。パッド２７１は、絶縁層２５３の面２５３Ｂに設けられている。パッド２７１は、配線２７２と一体的に構成されている。配線２７２は、ビア２５４の他方の端部及び絶縁層２５３の面２５３Ｂに設けられている。配線２７２は、ビア２５４及びパッド２７１と一体的に構成されている。配線２７２は、ビア２５４とパッド２７１とを電気的に接続している。
【００２３】
絶縁層２５７は、配線２７２を覆うように、絶縁層２５３の面２５３Ｂに設けられている。絶縁層２５７は、パッド２７１の一部を露出する開口部２６７を有する。開口部２６７は、絶縁層２５７に直接レーザを照射することで形成する。
【００２４】
ビア２５９は、開口部２６７に設けられている。ビア２５９の一方の端部は、パッド２７１と接続されている。ビア２５９は、外部接続用パッド２６１と一体的に構成されている。
【００２５】
外部接続用パッド２６１は、絶縁層２５７の面２５７Ａに設けられている。外部接続用パッド２６１は、外部接続端子（図示せず）が配設される端子配設領域２６１Ａを有する。外部接続用パッド２６１は、例えば、外部接続端子（図示せず）を介して、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドである。外部接続用パッド２６１は、ビア２５９と一体的に構成されている。
【００２６】
ソルダーレジスト２６３は、絶縁層２５７の面２５７Ａに設けられている。ソルダーレジスト２６３は、端子配設領域２６１Ａを露出する開口部２６３Ａを有する。
【００２７】
上記構成とされた配線基板２５０では、コア基板が無いため、厚さ方向の小型化（薄板化）は可能であるが、配線基板２５０に反りが発生しやすい。そのため、配線基板２５０では、芯材となるガラス繊維に樹脂を含浸させた樹脂層や、芯材となるガラス繊維にシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂を含浸させた樹脂層等を絶縁層２５３，２５７として用いることで、配線基板２５０の反りの低減を図っている。
【００２８】
図３は、絶縁層に開口部を形成する際に使用するレーザ（レーザ光）の断面形状を模式的に示す図である。
【００２９】
ここで、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３，２５３，２５７に開口部２３１，２３６，２４１，２４５，２６５，２６７を形成する際に使用するレーザ２７１について説明する。
【００３０】
図３を参照するに、レーザ２７１は、強エネルギー領域２７２と、弱エネルギー領域２７３と、中エネルギー領域２７４とを有する。
【００３１】
強エネルギー領域２７２は、レーザ２７１の中心部に位置すると共に、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４よりもエネルギー強度の強い領域である。強エネルギー領域２７２の外周面２７２Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ１は、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ２，θ３よりも小さい。
【００３２】
弱エネルギー領域２７３は、レーザ２７１の外周部に位置すると共に、エネルギー強度が強エネルギー領域２７２及び中エネルギー領域２７４よりも弱い領域である。弱エネルギー領域２７３の外周面２７３Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ３は、強エネルギー領域２７２の外周面２７２Ａ及び中エネルギー領域２７４の外周面２７４Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ１，θ２よりも大きい。
【００３３】
中エネルギー領域２７４は、強エネルギー領域２７２と弱エネルギー領域２７３との間に配置されている。中エネルギー領域２７４は、エネルギー強度が弱エネルギー領域２７３よりも強く、かつ強エネルギー領域２７２よりも弱い領域である。中エネルギー領域２７４の外周面２７４Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ2は、強エネルギー領域２７２の外周面２７２Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ１よりも大きく、かつ弱エネルギー領域２７３の外周面２７３Ａとレーザ２７１の中心線Ｊとが成す角度θ３よりも小さい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３４】
【特許文献１】特開２０００−２４４１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
図４は、従来の配線基板の製造方法の問題点を説明するための図である。図４において、従来の配線基板２００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３６】
図４に示すように、絶縁層２０４に図３に示す構成とされたレーザ２７１を直接照射した場合、絶縁層２０４に強エネルギー領域２７２、弱エネルギー領域２７３、及び中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が照射されるため、レーザ２７１の外周部に位置する弱エネルギー領域２７３の外周面２７３Ａの形状が開口部２３１の側面に転写されて、開口部２３１の側面が顕著なテーパー形状となってしまう。これにより、開口部２３１の上端の直径Ｋ１（レーザ２７１が照射される側の開口部２３１の直径）よりも開口部２３１の下端の直径Ｋ２がかなり小さくなってしまう。
【００３７】
このため、パッド２０３と開口部２３１に配設されるビア２０６との間の電気的接続信頼性を確保した上で、開口部２３１を小径化することが困難であるという問題があった。
【００３８】
なお、図４においては、従来技術の問題点を絶縁層２０４に開口部２３１を形成する場合を例に挙げて説明したが、上記問題は、絶縁層２０８，２１８，２２３，２５３，２５７に開口部２３６，２４１，２４５，２６５，２６７を形成する場合にも発生する。
【００３９】
また、絶縁層２０４，２０８，２１８，２２３，２５３，２５７として、レーザ２７１が加工しにくいガラス繊維やシリカの粒子等のフィラーを有した樹脂層を用いた場合、上記問題はさらに顕著となる。
【００４０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層にレーザにより形成される開口部を小径化することのできる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４１】
本発明の一観点によれば、支持体上に配線層と絶縁層とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、樹脂からなる支持フィルムと、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、前記配線層と前記半硬化状態とされた絶縁層とが接触するように、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、前記絶縁層形成部材貼付工程後に、前記支持フィルム及び前記半硬化状態とされた絶縁層を加熱し、前記半硬化状態とされた絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に同時に開口部を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、絶縁層にレーザ（レーザ光）により形成される開口部を小径化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の配線基板の断面図である。
【図２】従来の他の配線基板の断面図である。
【図３】絶縁層に開口部を形成する際に使用するレーザの断面形状を模式的に示す図である。
【図４】従来の配線基板の製造方法の問題点を説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１０）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１１）である。
【図１７】開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１０）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１１）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１２）である。
【図３１】開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００４５】
（第１の実施の形態）
図５は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【００４６】
図５を参照するに、第１の実施の形態の配線基板１０は、コア付きビルドアップ配線基板であり、コア基板２１と、貫通電極２２と、パッド２３，３７と、絶縁層２４，２８，３８，４３と、ビア２６，２９，３９，４４と、配線パターン２７，４１と、電子部品接続用パッド３１と、ソルダーレジスト３２，４７と、拡散防止膜３３，４８と、外部接続用パッド４６とを有する。
【００４７】
コア基板２１は、板状とされており、貫通孔４９を有する。コア基板２１は、コア基板２１の両面２１Ａ，２１Ｂに形成されるビルドアップ構造体（具体的には、本実施の形態の場合、パッド２３、絶縁層２４，２８、ビア２６，２９、配線パターン２７、電子部品接続用パッド３１、ソルダーレジスト３２、及び拡散防止膜３３からなるビルドアップ構造体と、パッド３７、絶縁層３８，４３、ビア３９，４４、配線パターン４１、ソルダーレジスト４７、拡散防止膜４８、及び外部接続用パッド４６からなるビルドアップ構造体）を支持するための基板である。コア基板２１としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板を用いることができる。コア基板２１としてガラスエポキシ樹脂基板を用いた場合、コア基板２１の厚さは、例えば、８００μｍとすることができる。
【００４８】
貫通電極２２は、貫通孔４９に設けられている。貫通電極２２は、その上端がパッド２３と接続されており、下端がパッド３７と接続されている。これにより、貫通電極２２は、パッド２３とパッド３７とを電気的に接続している。貫通電極２２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４９】
パッド２３は、コア基板２１の上面２１Ａ及び貫通電極２２の上端に設けられている。パッド２３は、貫通電極２２を介して、コア基板２１の下面２１Ｂに設けられたパッド３７と電気的に接続されている。パッド２３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。パッド２３の厚さは、例えば、２５μｍとすることができる。
【００５０】
絶縁層２４は、パッド２３の一部を覆うように、コア基板２１の上面２１Ａに設けられている。絶縁層２４は、パッド２３の上面２３Ａの一部を露出する開口部５１を有する。開口部５１は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部５１は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２３１（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部５１は、開口部５１の側面に対応する絶縁層２４の面２４Ｂとパッド２３の面２３Ａとが成す角度θ4が９０度に近くなるように構成されている。
【００５１】
上記構成とされた絶縁層２４としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層２４としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層２４の熱膨張係数と電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層２４を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層２４を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層２４を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００５２】
絶縁層２４の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部５１の深さは、３０μｍとすることができる。開口部５１の深さが３０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部５１の端部の直径が６０μｍの場合、パッド２３側に位置する開口部５１の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００５３】
ビア２６は、開口部５１に設けられている。ビア２６の下端は、パッド２３と接続されている。ビア２６の上端は、配線パターン２７と一体的に構成されている。
【００５４】
配線パターン２７は、パッド５３と、配線５４とを有する。パッド５３は、絶縁層２４の上面２４Ａに設けられている。パッド５３は、配線５４と一体的に構成されている。パッド５３は、配線５４を介して、ビア２６と電気的に接続されている。配線５４は、ビア２６の上端及び絶縁層２４の上面２４Ａに設けられている。配線５４は、ビア２６及びパッド５３と一体的に構成されている。ビア２６及び配線パターン２７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることをできる。
【００５５】
絶縁層２８は、配線５４を覆うように、絶縁層２４の上面２４Ａに設けられている。絶縁層２８は、パッド５３の上面５３Ａの一部を露出する開口部５６を有する。開口部５６は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部５６は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２３６（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部５６は、開口部５６の側面に対応する絶縁層２８の面２８Ｂとパッド５３の上面５３Ａとが成す角度θ5が９０度に近くなるように構成されている。
【００５６】
上記構成とされた絶縁層２８としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層２８としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層２８の熱膨張係数と電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層２８を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層２８を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層２８を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００５７】
絶縁層２８の厚さは、例えば、４５μｍとすることができる。この場合、開口部５６の深さは、３０μｍとすることができる。開口部５６の深さが３０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部５６の端部の直径が６０μｍの場合、パッド５３側に位置する開口部５６の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００５８】
ビア２９は、開口部５６に設けられている。ビア２９の下端は、パッド５３と接続されている。ビア２９の上端は、電子部品接続用パッド３１と一体的に構成されている。
【００５９】
電子部品接続用パッド３１は、絶縁層２８の上面２８Ａ及びビア２９の上端に設けられている。電子部品接続用パッド３１は、拡散防止膜３３が形成される接続面３１Ａを有する。電子部品接続用パッド３１は、ビア２９と一体的に構成されている。電子部品接続用パッド３１は、ビア２９を介して、パッド５３と電気的に接続されている。ビア２９及び電子部品接続用パッド３１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６０】
ソルダーレジスト３２は、接続面３１Ａを除いた部分の電子部品接続用パッド３１を覆うように、絶縁層２８の上面２８Ａに設けられている。ソルダーレジスト３２は、電子部品接続用パッド３１の接続面３１Ａを露出する開口部３２Ａを有する。
【００６１】
拡散防止膜３３は、電子部品接続用パッド３１の接続面３１Ａを覆うように設けられている。拡散防止膜３３は、電子部品１１（例えば、半導体チップ）が実装される膜である。拡散防止膜３３としては、例えば、接続面３１ＡにＮｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、接続面３１ＡにＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、接続面３１ＡにＰｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。拡散防止膜３３としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００６２】
パッド３７は、コア基板２１の下面２１Ｂ及び貫通電極２２の下端に設けられている。パッド３７は、貫通電極２２を介して、コア基板２１の上面２１Ａに設けられたパッド２３と電気的に接続されている。パッド３７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。パッド３７の厚さは、例えば、２５μｍとすることができる。
【００６３】
絶縁層３８は、パッド３７の一部を覆うように、コア基板２１の下面２１Ｂに設けられている。絶縁層３８は、パッド３７の下面３７Ａの一部を露出する開口部６１を有する。開口部６１は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部６１は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２４１（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部６１は、開口部６１の側面に対応する絶縁層３８の面３８Ｂとパッド３７の下面３７Ａとが成す角度θ6が９０度に近くなるように構成されている。
【００６４】
上記構成とされた絶縁層３８としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層３８としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることにより、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層３８の熱膨張係数と拡散防止膜３３を介して電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層３８を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層３８を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層３８を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００６５】
絶縁層３８の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部６１の深さは、３０μｍとすることができる。開口部６１の深さが３０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部６１の端部の直径が６０μｍの場合、パッド３７側に位置する開口部６１の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００６６】
ビア３９は、開口部６１に設けられている。ビア３９の上端は、パッド３７と接続されている。ビア３９の下端は、配線パターン４１と一体的に構成されている。
【００６７】
配線パターン４１は、パッド６２と、配線６３とを有する。パッド６２は、絶縁層３８の下面３８Ａに設けられている。パッド６２は、配線６３と一体的に構成されている。パッド６２は、配線６３を介して、ビア３９と電気的に接続されている。配線６３は、ビア３９の下端及び絶縁層３８の下面３８Ａに設けられている。配線６３は、ビア３９及びパッド６２と一体的に構成されている。ビア３９及び配線パターン４１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００６８】
絶縁層４３は、配線６３を覆うように、絶縁層３８の下面３８Ａに設けられている。絶縁層４３は、パッド６２の下面６２Ａの一部を露出する開口部６５を有する。開口部６５は、先に説明したレーザ２７１（図３参照）を用いて形成する。開口部６５は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２００に設けられた開口部２４５（図１参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部６５は、開口部６５の側面に対応する絶縁層４３の面４３Ｂとパッド６２の下面６２Ａとが成す角度θ7が９０度に近くなるように構成されている。
【００６９】
上記構成とされた絶縁層４３としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、絶縁層４３としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることで、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層４３の熱膨張係数と拡散防止膜３３を介して電子部品接続用パッド３１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。また、絶縁層４３を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層４３を構成する樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層４３を構成する樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【００７０】
絶縁層４３の厚さは、例えば、４５μｍとすることができる。この場合、開口部６５の深さは、３０μｍとすることができる。開口部６５の深さが３０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部６５の端部の直径が６０μｍの場合、パッド６２側に位置する開口部６５の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００７１】
ビア４４は、開口部６５に設けられている。ビア４４の上端は、パッド６２と接続されている。ビア４４は、外部接続用パッド４６と一体的に構成されている。
【００７２】
外部接続用パッド４６は、絶縁層４３の下面４３Ａ及びビア４４の下端に設けられている。外部接続用パッド４６は、拡散防止膜４８が形成される接続面４６Ａを有する。外部接続用パッド４６は、拡散防止膜４８を介して、マザーボード等の実装基板１３と電気的に接続されるパッドである。外部接続用パッド４６は、ビア４４と一体的に構成されている。ビア４４及び外部接続用パッド４６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００７３】
ソルダーレジスト４７は、接続面４６Ａを除いた部分の外部接続用パッド４６を覆うように、絶縁層４３の下面４３Ａに設けられている。ソルダーレジスト４７は、外部接続用パッド４６の接続面４６Ａを露出する開口部４７Ａを有する。
【００７４】
拡散防止膜４８は、外部接続用パッド４６の接続面４６Ａを覆うように設けられている。拡散防止膜４８には、外部接続端子１５（例えば、はんだボール）が配設される。拡散防止膜４８としては、例えば、接続面４６ＡにＮｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、接続面４６ＡにＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、接続面４６ＡにＰｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。拡散防止膜４８としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００７５】
図６〜図１６は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図６〜図１６において、第１の実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７６】
図６〜図１６を参照して、第１の実施の形態の配線基板１０の製造方法について説明する。始めに、図６に示す工程では、周知の手法により、配線基板１０が形成される配線基板形成領域Ａを複数有したコア基板７１に、貫通孔４９、貫通電極２２、パッド２３，３７を形成する。コア基板７１は、切断位置Ｂにおいて切断されることにより、複数のコア基板２１（図５に示す配線基板１０の構成要素の１つ）となる基板である。コア基板７１としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板を用いることができる。コア基板７１としてガラスエポキシ樹脂基板を用いた場合、コア基板７１の厚さは、例えば、８００μｍとすることができる。
【００７７】
貫通孔４９は、例えば、ドリルを用いて形成することができる。貫通電極２２及びパッド２３，３７は、例えば、めっき法により形成することができる。この場合、貫通電極２２及びパッド２３，３７の材料としては、Ｃｕを用いることができる。
【００７８】
次いで、図７に示す工程では、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａ（一方の面）に設けられ、半硬化状態とされた絶縁層７５とを備えた絶縁層形成部材７３を準備する（絶縁層形成部材準備工程）。ここでは、２つの絶縁層形成部材７３を準備する。支持フィルム７４は、絶縁層７５を支持するためのフィルムである。支持フィルム７４の材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリカーボネート等を用いることができる。支持フィルム７４の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【００７９】
半硬化状態とされた絶縁層７５は、後述する図９に示す工程において、硬化されることにより、絶縁層２４，３８となる。半硬化状態とされた絶縁層７５としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない半硬化状態とされた樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した半硬化状態とされた樹脂層等を用いることができる。絶縁層７５を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。絶縁層７５を構成する半硬化状態とされた樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層７５を構成する半硬化状態とされた樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。半硬化状態とされた絶縁層７５の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【００８０】
次いで、図８に示す工程では、図６に示す構造体の両面（具体的には、パッド２３が形成されたコア基板７１の上面７１Ａと、パッド３７が形成されたコア基板７１の下面７１Ｂ）と半硬化状態とされた絶縁層７５とが接触するように、図６に示す構造体の両面にそれぞれ絶縁層形成部材７３を貼り付ける（絶縁層形成部材貼付工程）。具体的には、絶縁層形成部材７３は、例えば、真空熱圧着により、図６に示す構造体の両面に貼り付ける。コア基板７１の上面７１Ａに貼り付けられた絶縁層７５は、後述する図９に示す工程において、硬化されることにより絶縁層２４（図５参照）となる層である。また、コア基板７１の下面７１Ｂに貼り付けられた絶縁層７５は、後述する図９に示す工程において、硬化されることにより絶縁層３８（図５参照）となる層である。
【００８１】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す半硬化状態とされた絶縁層７５を硬化させて、コア基板７１の上面７１Ａ側に絶縁層２４（硬化した絶縁層）と、コア基板７１の下面７１Ｂ側に絶縁層３８（硬化した絶縁層）とを同時に形成する（絶縁層硬化工程）。具体的には、例えば、絶縁層７５が熱硬化性樹脂を母材とする場合、図８に示す構造体を加熱（例えば、加熱温度は１８０℃）することで、硬化した絶縁層２４，３８を形成する。
【００８２】
次いで、図１０に示す工程では、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２４，３８にレーザ２７１（図３参照）を照射する。言い換えれば、支持フィルム７４の面７４Ｂ（絶縁層２４，３８と接触していない側の支持フィルム７４の面）にレーザ２７１を照射して、絶縁層２４にパッド２３の上面２３Ａの一部を露出する開口部５１を形成すると共に、絶縁層３８にパッド３７の下面３７Ａの一部を露出する開口部６１を形成する（開口部形成工程）。
【００８３】
図１７は、開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。図１７において、先に説明した図３に示すレーザ２７１及び図１０に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８４】
ここで、支持フィルム７４を絶縁層２４，３８に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層２４，３８に照射して開口部５１，６１を形成した場合の作用について説明する。
【００８５】
図１７に示すように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２４，３８にレーザ２７１を照射して、絶縁層２４，３８に開口部５１，６１を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び弱エネルギー領域の内側に位置すると共に、レーザの中心部に位置するエネルギー強度の強い強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が絶縁層２４，３８に照射されることを支持フィルム７４により防ぐことが可能となる。
【００８６】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ4，θ6が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて開口部５１，６１を形成することが可能となる。これにより、絶縁層２４，３８に側面の形状が垂直形状に近い開口部５１，６１を形成することが可能（開口部５１，６１の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるので、開口部５１，６１を小径化することができる。
【００８７】
また、支持フィルム７４を絶縁層２４，３８に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層２４，３８に照射して開口部５１，６１を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、絶縁層２４，３８の屑）が絶縁層２４，３８の面２４Ａ，３８Ａに付着することがなくなるため、絶縁層２４，３８の面２４Ａ，３８Ａに配線パターン２７，４１を精度よく形成することができる。
【００８８】
開口部５１，６１の深さが３０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部５１，６１の端部の直径が６０μｍの場合、開口部５１，６１の他方の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００８９】
次いで、図１１に示す工程では、図１０に示す構造体に設けられた２つの支持フィルム７４を除去する（支持フィルム除去工程）。具体的には、図１０に示す構造体に設けられた絶縁層２４，３８から支持フィルム７４を剥すことで、支持フィルム７４を除去する。
【００９０】
次いで、図１２に示す工程では、周知の手法により、ビア２６，３９及び配線パターン２７，４１を同時に形成する（ビア形成工程）。ビア２６，３９及び配線パターン２７，４１は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【００９１】
この場合、具体的には、粗化処理により絶縁層２４の上面２４Ａ及び面２４Ｂと絶縁層３８の下面３８Ａ及び面３８Ｂとを粗化し、次いで、粗化された絶縁層２４の上面２４Ａ及び面２４Ｂ、粗化された絶縁層３８の下面３８Ａ及び面３８Ｂ、開口部５１に露出された部分のパッド２３の上面２３Ａ、及び開口部６１に露出された部分のパッド３７の下面３７Ａを覆うようにシード層（図示せず）を形成する。次いで、絶縁層２４の上面２４に配線パターン２７の形成領域に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成し、絶縁層３８の下面３８に配線パターン４１の形成領域に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９２】
次いで、シード層を給電層とする電解めっき法により、レジスト膜の開口部に露出された部分のシード層にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜（例えば、厚さ１５μｍ））を析出成長させ、その後、レジスト膜及びレジスト膜に覆われていた不要なシード層を除去することで、ビア２６，３９及び配線パターン２７，４１を同時に形成する。上記粗化処理としては、例えば、デスミア処理を用いることができる。また、シード層としては、例えば、無電解めっきやスパッタ法により形成されたＣｕ層（例えば、厚さ０．１μｍ）を用いることができる。
【００９３】
なお、支持フィルム７４の除去は、ビア２６，３９を形成する直前に行うとよい。このように、ビア２６，３９を形成する直前に支持フィルム７４を除去することにより、例えば、ハンドリング（搬送）により絶縁層２４の上面２４Ａ及び絶縁層３８の下面３８Ａに異物が付着したり、絶縁層２４，３８が傷ついたりすることを防止することが可能となる。これにより、配線基板１０の歩留まりを向上させることができる。
【００９４】
次いで、図１３に示す工程では、先に説明した図７〜図１０に示す工程と同様な処理を行うことにより、図１２に示す構造体に開口部５６を有した絶縁層２８と、開口部６５を有した絶縁層４３とを形成する。
【００９５】
このように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２８，４３にレーザ２７１を照射して、絶縁層２８，４３に開口部５６，６５を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が絶縁層２８，４３に照射されることを支持フィルム７４により防ぐことが可能となる。
【００９６】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ5，θ7が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて側面の形状が垂直形状に近い開口部５６，６５を形成することが可能（開口部５６，６５の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部５６，６５を小径化することができる。
【００９７】
また、支持フィルム７４を絶縁層２８，４３に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層２８，４３に照射して開口部５６，６５を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、絶縁層２８，４３の屑）が絶縁層２８，４３の面２８Ａ，４３Ａに付着することがなくなるため、絶縁層２８，４３の面２８Ａ，４３Ａに電子部品接続用パッド３１又は外部接続用パッド４６を精度よく形成することができる。
【００９８】
開口部５６，６５の深さが３０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部５６，６５の端部の直径が６０μｍの場合、開口部５６，６５の他方の端部の直径は、例えば、５５μｍとすることができる。
【００９９】
次いで、図１４に示す工程では、先に説明した図１２に示す工程と同様な処理を行うことにより、ビア２９，４４、電子部品接続用パッド３１、及び外部接続用パッド４６を同時に形成する。
【０１００】
次いで、図１５に示す工程では、周知の手法により、開口部３２Ａを有したソルダーレジスト３２、開口部４７Ａを有したソルダーレジスト４７、及び拡散防止膜３３，４８を形成する。これにより、複数の配線基板形成領域Ａにそれぞれ配線基板１０に相当する構造体が形成される。拡散防止膜３３，４８としては、例えば、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。拡散防止膜３３，４８としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【０１０１】
次いで、図１６に示す工程では、図１５に示す構造体を切断位置Ｂに沿って切断する。これにより、複数の配線基板１０が個片化される。
【０１０２】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａに設けられ、半硬化状態とされた絶縁層７５とを備えた絶縁層形成部材７３を準備し、パッド２３，３７，５３，６２と半硬化状態とされた絶縁層７５とが接触するように、絶縁層形成部材７３をパッド２３，３７，５３，６２に貼り付け、次いで、半硬化状態とされた絶縁層７５を硬化させることで絶縁層２４，２８，３８，４３を形成し、その後、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層２４，２８，３８，４３にレーザ２７１を照射して開口部５１，５６，６１，６５を形成することにより、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が支持フィルム７４により遮断されるため、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１が絶縁層２４，２８，３８，４３に照射されることがなくなるため、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ4，θ5，θ6，θ7，が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１を用いて絶縁層２４，２８，３８，４３に側面の形状が垂直形状に近い開口部５１，５６，６１，６５を形成することが可能（開口部５１，５６，６１，６５の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるので、開口部５１，５６，６１，６５を小径化することができる。
【０１０３】
（第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。図１８において、第１の実施の形態で説明した図５に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１０４】
図１８を参照するに、第２の実施の形態の配線基板８０は、コアレス基板であり、電子部品接続用パッド８１と、絶縁層８２，８７と、ビア８４，８８と、配線パターン８５と、外部接続用パッド９１と、ソルダーレジスト９２とを有する。
【０１０５】
電子部品接続用パッド８１は、電子部品１１が搭載（接続）される接続面８１Ａを有する。電子部品接続用パッド８１は、接続面８１Ａと絶縁層８２の面８２Ａ（絶縁層８７と接触する面８２Ｂとは反対側の面）とが略面一となるように、絶縁層８２（具体的には、絶縁層８２を構成する後述する樹脂層９６）に内設されている。電子部品接続用パッド８１としては、例えば、接続面８１Ａ側からＡｕ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｎｉ層（例えば、厚さ５μｍ）とを順次積層させたＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。この場合、Ａｕ層に電子部品１１が搭載される。
【０１０６】
絶縁層８２は、芯材９５と、芯材９５を覆うと共に、硬化された樹脂層９６とを有する。絶縁層８２の面８２Ａは、電子部品接続用パッド８１の接続面８１Ａと略面一とされている。絶縁層８２は、電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂ（接続面８１Ａとは反対側に位置する電子部品接続用パッド８１の面）を露出する開口部１００を有する。開口部１００は、電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂと対向する部分の絶縁層８２（具体的には、芯材９５及び樹脂層９６）を貫通するように形成されている。開口部１００は、絶縁層８２の面８２Ｂ（面８２Ａとは反対側に位置する絶縁層８２の面）側からレーザを照射することで形成する。開口部１００は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２５０に設けられた開口部２６５（図２参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部１００は、開口部１００の側面に対応する樹脂層９６の面９６Ａと電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂとが成す角度θ8が９０度に近くなるように構成されている。絶縁層８２の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部１００の深さは、４０μｍとすることができる。開口部１００の深さが４０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部１００の端部の直径が６０μｍの場合、電子部品接続用パッド８１側に位置する開口部１００の端部の直径は、例えば、４５μｍとすることができる。
【０１０７】
芯材９５は、硬化された樹脂層９６に覆われている。芯材９５は、樹脂層９６と比較してレーザで加工しにくいため、開口部１００内には芯材９５が突出している。芯材９５は、絶縁層８２の強度を補強することで、コアレス基板である配線基板８０の反りを低減するための部材である。芯材９５としては、例えば、ガラス繊維の織布や不織布、アラミド繊維の織布や不織布等を用いることができる。また、芯材９５として、上記繊維以外の繊維を用いてもよい。
【０１０８】
樹脂層９６は、電子部品接続用パッド８１の側面と電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂの一部とを覆っている。樹脂層９６としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、樹脂層９６としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることで、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層８２の熱膨張係数と電子部品接続用パッド８１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。
【０１０９】
絶縁層８２を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。樹脂層９６の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、樹脂層９６の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【０１１０】
ビア８４は、絶縁層８２に形成された開口部１００に設けられている。ビア８４は、一方の端部が電子部品接続用パッド８１と接続されており、他方の端部が配線パターン８５と一体的に構成されている。これにより、ビア８４は、電子部品接続用パッド８１と配線パターン８５とを電気的に接続している。
【０１１１】
配線パターン８５は、パッド９８と、配線９９とを有する。パッド９８は、絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。パッド９８は、配線９９と一体的に構成されている。パッド９８は、配線９９を介して、ビア８４と電気的に接続されている。配線９９は、ビア８４の他方の端部及び絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。配線９９は、ビア８４及びパッド９８と一体的に構成されている。ビア８４及び配線パターン８５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることをできる。ビア８４及び配線パターン８５は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【０１１２】
絶縁層８７は、芯材９５と、芯材９５を覆うと共に、硬化された樹脂層９６とを有する。絶縁層８７は、配線９９を覆うように、絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。絶縁層８７は、パッド９８の面９８Ａを露出する開口部１０２を有する。開口部１０２は、パッド９８の面９８Ａと対向する部分の絶縁層８７（具体的には、芯材９５及び樹脂層９６）を貫通するように形成されている。開口部１０２は、絶縁層８７の面８７Ａ（絶縁層８２と接触する面とは反対側に位置する絶縁層８７の面）側からレーザを照射することで形成する。開口部１０２は、その両端の直径の差が、従来の配線基板２５０に設けられた開口部２６７（図２参照）の両端の直径の差よりも小さくなるように形成されている。つまり、開口部１０２は、開口部１０２の側面に対応する部分の樹脂層９６の面９６Ｂとパッド９８の面９８Ａとが成す角度θ9が９０度に近くなるように構成されている。絶縁層８７の厚さは、例えば、５５μｍとすることができる。この場合、開口部１０２の深さは、４０μｍとすることができる。開口部１０２の深さが４０μｍ、レーザが照射される側に位置する開口部１０２の端部の直径が６０μｍの場合、外部接続用パッド９１側に位置する開口部１０２の端部の直径は、例えば、４５μｍとすることができる。
【０１１３】
芯材９５は、硬化された樹脂層９６に覆われている。芯材９５は、樹脂層９６と比較してレーザで加工しにくいため、開口部１０２内には芯材９５が突出している。芯材９５は、絶縁層８７の強度を補強することで、コアレス基板である配線基板８０の反りを低減するための部材である。芯材９５としては、例えば、ガラス繊維の織布や不織布、アラミド繊維の織布や不織布等を用いることができる。また、芯材９５として、上記繊維以外の繊維を用いてもよい。
【０１１４】
樹脂層９６は、配線９９を覆うように、絶縁層８２の面８２Ｂに設けられている。樹脂層９６としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない樹脂層やシリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。例えば、樹脂層９６としてシリカの粒子を含有した樹脂層を用いることで、シリカの粒子を含有していない樹脂層を用いた場合と比較して、絶縁層８７の熱膨張係数と電子部品接続用パッド８１に実装される電子部品１１（例えば、半導体チップ）の熱膨張係数との差を小さくすることができる。
【０１１５】
絶縁層８７を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。樹脂層９６の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、樹脂層９６の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。
【０１１６】
ビア８８は、絶縁層８７に形成された開口部１０２に設けられている。ビア８８は、一方の端部がパッド９８と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド９１と一体的に構成されている。これにより、ビア８８は、パッド９８と外部接続用パッド９１とを電気的に接続している。
【０１１７】
外部接続用パッド９１は、絶縁層８７の面８７Ａ（絶縁層８２と接触する面とは反対側に位置する絶縁層８７の面）に設けられており、ビア８８と一体的に構成されている。外部接続用パッド９１は、外部接続端子１５が配設される端子配置面９１Ａを有する。外部接続用パッド９１は、外部接続端子１５を介して、マザーボード等の実装基板１３と電気的に接続されるパッドである。ビア８８及び外部接続用パッド９１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。ビア８８及び外部接続用パッド９１は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【０１１８】
ソルダーレジスト９２は、端子配置面９１Ａを除いた部分の外部接続用パッド９１を覆うように、絶縁層８７の面８７Ａに設けられている。ソルダーレジスト９２は、外部接続用パッド９１の端子配置面９１Ａを露出する開口部９２Ａを有する。
【０１１９】
図１９〜図３０は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図１９〜図３０において、第２の実施の形態の配線基板８０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２０】
図１９〜図３０を参照して、第２の実施の形態の配線基板８０の製造方法について説明する。始めに、図１９に示す工程では、導電性を有した支持体１１１の面１１１Ａに、電子部品接続用パッド８１の形成領域に対応する部分の支持体１１１の面１１１Ａを露出する開口部１１２Ａを有したレジスト膜１１２を形成し、次いで、支持体１１１を給電層とする電解めっき法により、開口部１１２Ａに露出された部分の支持体１１１の面１１１Ａ上に電子部品接続用パッド８１を形成する。具体的には、電子部品接続用パッド８１は、例えば、電子部品接続用パッド８１としてＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ積層膜を用いた場合、開口部１１２Ａを有したレジスト膜１１２を形成後に、電解めっき法により、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．０５μｍ）と、Ｎｉ層（例えば、厚さ５μｍ）とを順次析出成長させることで形成する。導電性を有した支持体１１１としては、例えば、金属箔（例えば、Ｃｕ箔）や金属板（例えば、Ｃｕ板）等を用いることができる。続く、図２０に示す工程では、レジスト膜１１２を除去する。
【０１２１】
次いで、図２１に示す工程では、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａ（一方の面）に設けられ、半硬化状態とされた絶縁層１１４とを備えた絶縁層形成部材１１３を準備する（絶縁層形成部材準備工程）。支持フィルム７４は、絶縁層１１４を支持するためのフィルムである。支持フィルム７４の材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリカーボネート等を用いることができる。支持フィルム７４の厚さは、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【０１２２】
絶縁層１１４は、芯材９５と、芯材９５を覆うと共に、半硬化状態とされた樹脂層１１５とを有する。芯材９５としては、例えば、ガラス繊維の織布や不織布、アラミド繊維の織布や不織布等を用いることができる。また、芯材９５として、上記繊維以外の繊維を用いてもよい。半硬化状態とされた樹脂層１１５としては、例えば、シリカの粒子等のフィラーを含有していない半硬化状態とされた樹脂層や、半硬化状態とされると共に、シリカの粒子等のフィラーを含有した樹脂層等を用いることができる。絶縁層１１４を構成するフィラーとしては、シリカの粒子の他に、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。半硬化状態とされた樹脂層１１５の材料としては、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、半硬化状態とされた樹脂層１１５の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。上記構成とされた絶縁層１１４の厚さは、例えば、３０μｍ〜５０μｍとすることができる。
【０１２３】
次いで、図２２に示す工程では、支持体１１１に形成された電子部品接続用パッド８１と半硬化状態とされた樹脂層１１５とが接触するように、支持体１１１の面１１１Ａに絶縁層形成部材１１３を貼り付ける（絶縁層形成部材貼付工程）。具体的には、例えば、真空熱圧着により支持体１１１の面１１１Ａに絶縁層形成部材１１３を貼り付ける。支持体１１１の面１１１Ａに貼り付けられた半硬化状態の絶縁層１１４は、後述する図２３に示す工程において、硬化されることにより絶縁層８２（図１８参照）となる層である。
【０１２４】
次いで、図２３に示す工程では、図２２に示す半硬化状態とされた樹脂層１１５を硬化させて樹脂層９６を形成する（絶縁層硬化工程）。これにより、支持体１１１の面１１１Ａ側に硬化した樹脂層９６を備えた絶縁層８２が形成される。
【０１２５】
具体的には、例えば、半硬化状態とされた樹脂層１１５の母材が熱硬化性樹脂である場合、図２２に示す構造体を加熱（例えば、加熱温度は１８０℃）することで、硬化した樹脂層９６を備えた絶縁層８２を形成する。
【０１２６】
次いで、図２４に示す工程では、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層８２に図３に示すレーザ２７１を照射する。言い換えれば、支持フィルム７４の面７４Ｂ（絶縁層８２と接触していない側の支持フィルム７４の面）にレーザ２７１を照射して、絶縁層８２に電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂの一部を露出する開口部１００を形成する（開口部形成工程）。
【０１２７】
図３１は、開口部形成工程において支持フィルム及び絶縁層に照射されるレーザの断面形状を模式的に示す図である。図３１において、先に説明した図３に示すレーザ２７１及び図１８に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２８】
ここで、支持フィルム７４を介して、絶縁層８２にレーザ２７１（図３参照）を照射することにより開口部１００を形成する作用について説明する。
【０１２９】
図３１に示すように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層８２にレーザ２７１を照射して、絶縁層８２に開口部１００を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び弱エネルギー領域２７３の内側に位置すると共に、レーザの中心部に位置するエネルギー強度の強い強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１を支持フィルム７４で遮断することが可能となる。
【０１３０】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ8が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて側面の形状が垂直形状に近い開口部１００を形成することが可能（開口部１００の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部１００を小径化することができる。
【０１３１】
また、強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて開口部１００を形成することにより、従来よりも芯材９５が加工されやすくなるため、開口部１００内に突出する芯材９５の突出量を少なくすることが可能となる。これにより、例えば、めっき法によりビア８４を形成する場合、開口部１００内に十分にめっき液を供給することが可能となるため、電子部品接続用パッド８１と配線パターン８５との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１３２】
さらに、支持フィルム７４を絶縁層８２に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層８２に照射して開口部１００を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、芯材９５や樹脂層９６の屑）が絶縁層８２の面８２Ｂに付着することがなくなるため、絶縁層８２の面８２Ｂに配線パターン８５を精度よく形成することができる。
【０１３３】
次いで、図２５に示す工程では、図２４に示す構造体に設けられた支持フィルム７４を除去する（支持フィルム除去工程）。具体的には、開口部１００が形成された絶縁層８２から支持フィルム７４を剥すことで、支持フィルム７４を除去する。
【０１３４】
次いで、図２６に示す工程では、周知の手法により、ビア８４及び配線パターン８５を同時に形成する（ビア形成工程）。ビア８４及び配線パターン８５は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【０１３５】
この場合、具体的には、粗化処理により絶縁層８２の面８２Ｂ及び樹脂層９６の面９６Ａを粗化し、次いで、粗化された絶縁層８７の面８７Ａ及び樹脂層９６の面９６Ａと開口部１００に露出された部分の電子部品接続用パッド８１の面８１Ｂを覆うようにシード層（図示せず）を形成する。次いで、絶縁層８２の面８２Ｂに配線パターン８５の形成領域に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成する。次いで、シード層を給電層とする電解めっき法により、レジスト膜の開口部に露出された部分のシード層にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜（例えば、厚さ１５μｍ））を析出成長させ、その後、レジスト膜及びレジスト膜に覆われていた部分の不要なシード層を除去することで、ビア８４及び配線パターン８５を同時に形成する。上記粗化処理としては、例えば、デスミア処理を用いることができる。また、シード層としては、例えば、無電解めっき法やスパッタ法により形成されたＣｕ層（厚さは、例えば、０．１μｍ）を用いることができる。
【０１３６】
なお、支持フィルム７４の除去は、ビア８４を形成する直前に行うとよい。このように、ビア８４を形成する直前に支持フィルム７４を除去することにより、絶縁層８２の面８２Ｂに異物が付着したり、絶縁層８２が傷ついたりすることを防止することが可能となるので、配線基板８０の歩留まりを向上させることができる。
【０１３７】
次いで、図２７に示す工程では、先に説明した図２１〜図２５に示す工程と同様な処理を行うことにより、図２６に示す構造体に開口部１０２を有した絶縁層８７を形成する。
【０１３８】
このように、支持フィルム７４を介して、硬化した絶縁層８７にレーザ２７１を照射して開口部１０２を形成することで、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１を支持フィルム７４で遮断することが可能となる。
【０１３９】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ8，θ9が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて、側面の形状が垂直形状に近い開口部１０２を形成することが可能（開口部１０２の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部１０２を小径化することができる。
【０１４０】
また、支持フィルム７４を絶縁層８７に貼り付けたままの状態で、支持フィルム７４を介して、レーザ２７１（図３参照）を絶縁層８７に照射して開口部１０２を形成することにより、レーザ加工時の飛散物（例えば、芯材９５や樹脂層９６の屑）が絶縁層８７の面８７Ａに付着することがなくなるため、絶縁層８７の面８７Ａに外部接続用パッド９１を精度よく形成することができる。
【０１４１】
開口部１０２の深さが４０μｍ、レーザ２７１が照射される側に位置する開口部１０２の端部の直径が６０μｍの場合、開口部１０２の他方の端部の直径は、例えば、４５μｍとすることができる。
【０１４２】
次いで、図２８に示す工程では、先に説明した図２６に示す工程と同様な処理を行うことにより、ビア８８及び外部接続用パッド９１を同時に形成する。次いで、図２９に示す工程では、周知の手法により、絶縁層８７の面８７Ａに端子配置面９１Ａを露出する開口部９２Ａを有したソルダーレジスト９２を形成する。これにより、支持体１１１上に配線基板８０に相当する構造体が形成される。なお、ソルダーレジスト９２を形成後に、無電解めっき法により、端子配置面９１ＡにＮｉめっき膜と、Ａｕめっき膜とを順次積層させて、Ｎｉ／Ａｕ積層膜を形成してもよい。
【０１４３】
次いで、図３０に示す工程では、支持体１１１を除去する。具体的には、例えば、支持体１１１としてＣｕ箔或いはＣｕ板を用いた場合、エッチングにより支持体１１１を除去する。これにより、配線基板８０が製造される。なお、図３０では、図２９に示す構造体から支持体１１１を除去したものを上下反転させて図示している。
【０１４４】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持フィルム７４と、支持フィルム７４の面７４Ａに設けられ、半硬化状態とされた絶縁層１１４とを備えた絶縁層形成部材１１３を準備し、電子部品接続用パッド８１或いはパッド９８と半硬化状態とされた絶縁層１１４とが接触するように、絶縁層形成部材１１３を電子部品接続用パッド８１或いはパッド９８に貼り付け、次いで、半硬化状態とされた絶縁層１１４を硬化させて絶縁層８２，８７とし、その後、支持フィルム７４を介して、絶縁層８２，８７にレーザ２７１を照射して開口部１００，１０２を形成することにより、レーザ２７１の外周部に位置するエネルギー強度の弱い弱エネルギー領域２７３、及び強エネルギー領域２７２よりもエネルギー強度が弱く、かつ弱エネルギー領域２７３よりもエネルギー強度の強い中エネルギー領域２７４に対応する部分のレーザ２７１を支持フィルム７４で遮断することが可能となる。
【０１４５】
これにより、弱エネルギー領域２７３及び中エネルギー領域２７４の外周面２７３Ａ，２７４Ａのテーパー形状よりも外周面２７２Ａの形状が垂直形状に近い（言い換えれば、角度θ8，θ9が９０度に近い）強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて絶縁層８２，８７に側面の形状が垂直形状に近い開口部１００，１０２を形成することが可能（開口部１００，１０２の両端の直径の差を小さくすることが可能）となるため、開口部１００，１０２を小径化することができる。
【０１４６】
また、強エネルギー領域２７２に対応する部分のレーザ２７１のみを用いて絶縁層８２，８７に開口部１００，１０２を形成することにより、従来よりも芯材９５が加工されやすくなるため、従来よりも開口部１００内に突出する芯材９５の突出量を少なくすることが可能となる。これにより、例えば、めっき法によりビア８４，８８を形成する場合、開口部１００，１０２内に十分な量のめっき液を供給することが可能となるため、電子部品接続用パッド８１と配線パターン８５との間の電気的接続信頼性、及び外部接続用パッド９１とパッド９８との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態では、支持体１１１上に１つの配線基板８０を形成する場合を例に挙げて説明したが、配線基板８０が形成される領域を複数有した支持体１１１上に複数の配線基板８０に相当する構造体を形成し、その後、支持体１１１を除去し、その後、複数の配線基板８０に相当する構造体を切断して、複数の配線基板８０を個片化してもよい。
【０１４８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１４９】
例えば、第１の実施の形態で説明した絶縁層形成部材７３の代わりに第２の実施の形態で説明した絶縁層形成部材１１３を用いて、絶縁層２４，２８，３８，４３を形成してもよい（つまり、絶縁層２４，２８，３８，４３に芯材９５を設けてもよい）。また、第２の実施の形態で説明した絶縁層形成部材１１３の代わりに第１の実施の形態で説明した絶縁層形成部材７３を用いて絶縁層８２，８７を形成してもよい（つまり、芯材９５のない絶縁層８２，８７を用いてもよい）。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明は、パッドを覆う絶縁層と、レーザにより絶縁層に形成され、パッドの一部を露出する開口部と、開口部に設けられ、パッドと接続されたビアとを備えた配線基板の製造方法に適用できる。
【符号の説明】
【０１５１】
１０，８０ 配線基板
１１ 電子部品
１３ 実装基板
１４，２３，３７，５３，６２，９８ パッド
１５ 外部接続端子
２１，７１ コア基板
２１Ａ，２３Ａ，２４Ａ，２８Ａ，５３Ａ，７１Ａ 上面
２１Ｂ，３７Ａ，３８Ａ，４３Ａ，６２Ａ，７１Ｂ 下面
２２ 貫通電極
２３Ａ，２４Ｂ，２８Ｂ，３８Ｂ，４３Ｂ，７４Ａ，７４Ｂ，８１Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ，９６Ａ，９６Ｂ，９８Ａ，１１１Ａ，１１１Ｂ 面
２４，２８，３８，４３，７５，８２，８７，１１４ 絶縁層
２６，２９，３９，４４，８４，８８ ビア
２７，４１，８５ 配線パターン
３１，８１ 電子部品接続用パッド
３１Ａ，４６Ａ，８１Ａ 接続面
３２，４７，９２ ソルダーレジスト
３２Ａ，４７Ａ，５１，５６，６１，６５，９２Ａ，１００，１０２，１１２Ａ 開口部
３３，４８ 拡散防止膜
４６，９１ 外部接続用パッド
４９ 貫通孔
５４，６３，９９ 配線
７３，１１３ 絶縁層形成部材
７４ 支持フィルム
９１Ａ 端子配置面
９５ 芯材
９６ 樹脂層
１１１ 支持体
１１２ レジスト膜
Ａ 配線基板形成領域
Ｂ 切断位置
θ4，θ5，θ6，θ7，θ8，θ9 角度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に配線層と絶縁層とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、
樹脂からなる支持フィルムと、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、
前記配線層と前記半硬化状態とされた絶縁層とが接触するように、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、
前記絶縁層形成部材貼付工程後に、前記支持フィルム及び前記半硬化状態とされた絶縁層を加熱し、前記半硬化状態とされた絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、
前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に同時に開口部を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記開口部形成工程後に、硬化した前記絶縁層から前記支持フィルムを除去する支持フィルム除去工程と、
前記支持フィルム除去工程後に、硬化した前記絶縁層上に、前記開口部内に設けたビアを介して前記配線層に接続する配線パターンを形成する他の配線層形成工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記他の配線層形成工程では、前記開口部の内壁を含む硬化した前記絶縁層の表面にシード層を形成し、前記シード層を給電層とする電解めっき法により前記シード層上にめっき膜を形成し、前記シード層と前記めっき膜により、前記開口部内で前記配線層に接続された前記ビア及び前記絶縁層上に形成された前記配線パターンを一体に形成することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持フィルムの除去は、前記ビアを形成する直前に行うことを特徴とする請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記開口部は、前記配線層のパッド部分を露出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線層は、前記支持体の表面に形成されており、
前記絶縁層形成部材貼付工程において、前記配線層を被覆するよう、前記絶縁層形成部材を前記支持体の表面に貼り付けることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線層が、前記支持体の表面に形成された配線基板外部との接続用パッドであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを含むポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルを含むポリオレフィン、又はポリカーボネートからなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記半硬化状態とされた絶縁層は、熱硬化性を有したエポキシ樹脂又はポリオレフィン系樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記開口部形成工程において、前記支持フィルムは低いエネルギー領域に対応するレーザ部分が硬化した前記絶縁層に照射されることを防ぎ、高いエネルギー領域に対応するレーザ部分を硬化した前記絶縁層に照射して前記開口部を形成することを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記半硬化状態とされた絶縁層は、シリカ、アルミナ、又は炭化珪素の粒子を含有した半硬化状態の樹脂層であることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記半硬化状態とされた絶縁層は、芯材と、前記芯材を覆う半硬化状態の樹脂層とを有することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記半硬化状態の樹脂層は、シリカ、アルミナ、又は炭化珪素の粒子を含むことを特徴とする請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記芯材は、ガラス繊維又はアラミド繊維であることを特徴とする請求項１２又は１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
支持体上に配線層と絶縁層とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、
樹脂からなる支持フィルムと、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、
前記配線層と前記半硬化状態とされた絶縁層とが接触するように、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、
前記絶縁層形成部材貼付工程後に、前記支持フィルム及び前記半硬化状態とされた絶縁層を加熱し、前記半硬化状態とされた絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、
前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に同時に開口部を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記開口部形成工程後に、硬化した前記絶縁層から前記支持フィルムを除去する支持フィルム除去工程と、
前記支持フィルム除去工程後に、硬化した前記絶縁層上に、前記開口部内に設けたビアを介して前記配線層に接続する配線パターンを形成する他の配線層形成工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記他の配線層形成工程では、前記開口部の内壁を含む硬化した前記絶縁層の表面にシード層を形成し、前記シード層を給電層とする電解めっき法により前記シード層上にめっき膜を形成し、前記シード層と前記めっき膜により、前記開口部内で前記配線層に接続された前記ビア及び前記絶縁層上に形成された前記配線パターンを一体に形成することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持フィルムの除去は、前記ビアを形成する直前に行うことを特徴とする請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記開口部は、前記配線層のパッド部分を露出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線層は、前記支持体の表面に形成されており、
前記絶縁層形成部材貼付工程において、前記配線層を被覆するよう、前記絶縁層形成部材を前記支持体の表面に貼り付けることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線層が、前記支持体の表面に形成された配線基板外部との接続用パッドであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを含むポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルを含むポリオレフィン、又はポリカーボネートからなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記半硬化状態とされた絶縁層は、熱硬化性を有したエポキシ樹脂又はポリオレフィン系樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記開口部形成工程において、前記支持フィルムは低いエネルギー領域に対応するレーザ部分が硬化した前記絶縁層に照射されることを防ぎ、高いエネルギー領域に対応するレーザ部分を硬化した前記絶縁層に照射して前記開口部を形成することを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記半硬化状態とされた絶縁層は、シリカ、アルミナ、又は炭化珪素の粒子を含有した半硬化状態の樹脂層であることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記半硬化状態とされた絶縁層は、芯材と、前記芯材を覆う半硬化状態の樹脂層とを有することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記半硬化状態の樹脂層は、シリカ、アルミナ、又は炭化珪素の粒子を含むことを特徴とする請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記芯材は、ガラス繊維又はアラミド繊維であることを特徴とする請求項１２又は１３記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【公開番号】特開２０１３−１６８４７（Ｐ２０１３−１６８４７Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２０２８８１（Ｐ２０１２−２０２８８１）
【出願日】平成２４年９月１４日（２０１２．９．１４）
【分割の表示】特願２００７−２６７５６２（Ｐ２００７−２６７５６２）の分割
【原出願日】平成１９年１０月１５日（２００７．１０．１５）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月１４日（２０１２．９．１４）
【分割の表示】特願２００７−２６７５６２（Ｐ２００７−２６７５６２）の分割
【原出願日】平成１９年１０月１５日（２００７．１０．１５）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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