【課題】生体活性を有する炭化ケイ素（SiC）ナノチューブを提供すること、及びそのようなSiCナノチューブの簡潔な作製方法を提供すること。
【解決手段】生体活性炭化ケイ素ナノチューブは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶SiCナノチューブを合成し、合成された前記多結晶SiCナノチューブをNaOH処理またはKOH処理し、NaOH処理またはKOH処理後、多結晶SiCナノチューブをHCl処理することよって作製される。合成された生体活性SiCナノチューブの外径は200nm以下であり、且つその内径は150nm以下である。 （もっと読む）

【課題】バックコンタクト電極を容易かつ安価に製造することができるとともに、高い変換効率を有する色素増感太陽電池として実用性に優れる、アノードおよびこれを用いた色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】溶射法を用いて透明基板上に多孔質半導体層を形成し、多孔質半導体層上に物理的気相成長法を用いてバックコンタクト電極を形成し、多孔質半導体層に色素を吸着して、色素増感太陽電池用アノードを得る。アノードにカソードを積層し、電解質を充填して色素増感太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】蛍光物質を利用することなく、増幅された核酸を電気化学的に定量・検出する方法を提供すること。
【解決手段】検出対象となる標的核酸の相補鎖の部分配列を電極上に固定し、電極上で増幅反応を行わせ、酸化還元活性を有する物質の存在のもと増副核酸を電気化学的に検出する。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度と化学的安定性を兼ね備えた深赤色蛍光体を提供する。
【解決手段】深赤色蛍光体は、発光中心がＭｎ^４+であり、母体が（Ａｅ）_２（Ｌｎ）ＳｂＯ_６からなるダブルペロブスカイト構造であって、ＡｅがCa、SrおよびBaのなかから選ばれる１または２以上の元素であり、ＬｎがLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd
、TbおよびYのなかから選ばれる１または２以上の元素である。深赤色蛍光体は、組成式Ａｅ_２ＬｎＳｂ_１−ｘＭｎ_ｘＯ_６で示され、ｘが０．００１〜０．０１である。 （もっと読む）

【課題】手話者が不特定多数の者に対して手話者の意思を正確に伝達することが可能な手話認識方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 手話を画像取得手段１２によって画像データに変換し、変換した画像データを文字として認識する手話認識方法及びその装置１０において、画像取得手段１２を、手話を行っている手話者１１の胴部前側に配置し、手話者１１の手話を撮像する。そして、手話を、手話の特徴情報に基づいて複数のグループに分類し、手話の基準画像データと対応する文字を記憶してデータベースを予め作成し、画像データから特徴情報を抽出して画像データが属するデータベース内のグループを特定し、画像データと特定されたグループ内の基準画像データとを比較して文字を認識し、文字を文字画像、音声、又は音声付き文字画像として出力する。 （もっと読む）

【課題】抗酸菌生育阻害剤を提供する。
【解決手段】


なお、Ｘ^１は、−ＣＨ_２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＹ）_２、−Ｚ−Ｓ（＝Ｏ）_２−ＯＹ、−Ｚ−Ｐ（＝Ｓ）（ＯＹ）_２、Ｘ^２は、−Ｚ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＹ）_２、−Ｚ−Ｓ（＝Ｏ）_２−ＯＹ、−Ｚ−Ｐ（＝Ｓ）（ＯＹ）_２、Ｙは、Ｈまたは炭素数１〜５のアルキル基り、Ｚは、Ｏ、Ｓ、またはＣＨ_２である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧降下の平均値を低減し、整流素子の低損失化を実現する半導体装置とその駆動方法を提供する。
【解決手段】アノード電極９とカソード電極３との間に、ｐ型層７と、ｉ層１と、ｎ型層２とを順に形成したダイオード構造の半導体装置において、アノード電極９側に、ｐ型層７と並列に第２ｎ型層８を形成し、順方向バイアス中に、アノード電極９側をｐ型層７と第２ｎ型層８のいずれかに切り替えるゲート駆動回路１０を備えた半導体装置。ゲート電極５は、ｐ型層７と第２ｐ型層６と第２ｎ型層８に接するトレンチ構造４とし、トレンチ内部に絶縁膜４ａと電極とを備えたものとすることができる。このゲート電極５は、ゲート駆動回路１０から印加するゲート電圧に応じてｐ型及びｎ型のチャネルをトレンチ表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、特にＩＧＢＴの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴのゲート電荷Ｑ_Gに対応する電圧Ｖ_QGを検出する電荷検出手段２２と、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧Ｖ_REFを発生する基準電圧発生手段２５と、電荷検出手段２２で検出された電圧Ｖ_QGがＩＧＢＴの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段２７と、判断手段２７が短絡状態を検出したときにＩＧＢＴを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段２１とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段２５に、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧Ｖ_QGのハイレベルで安定した電圧Ｖ_PEAKを検出して記憶する記憶手段２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である、低抵抗ｐ型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。
【解決手段】絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、例えば、アルミニウムイオンを注入しｐ型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなる、ｐ型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。 （もっと読む）