不揮発性の抵抗切換メモリは、電子間の相関、特に、モット遷移により、絶縁状態と導電状態との間で変化する材料を含む。この材料は、導電状態へと結晶化されるものであり、電鋳を必要としない。
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【課題】高キャパシタンスの高周波薄膜キャパシタを提供することにある。
【解決手段】窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。実質的に無水のアルコキシカルボキシレート液状先駆体を準備し、使用直前に溶媒交換工程を行った後に、先駆体を第1電極上にスピンオンし、４００℃で乾燥し、６００℃〜８５０℃でアニールしてＢＳＴキャパシタ強誘電体２２を形成する。第２電極２４を強誘電体上に堆積させ、アニールする。 （もっと読む）

強誘電／焦電センサは、このセンサの強誘電シーン素子（１３４）の電荷出力を、同じ温度について特定の時間にわたってシーン素子（１３４）のヒステリシスループ出力を複数回測定することによって求める技術を利用する。強誘電シーン素子（１３４）に外部交流信号を印加して、素子（１３４）からのヒステリシスループ出力が分極を切替える。出力コンデンサと演算増幅器の組合せなどの電荷積分回路（１３８）を使用して、シーン素子（１３４）からの電荷を測定する。好ましくは、シーン素子（１３４）の強誘電体は、ＳＢＴまたはその誘導体でできており、これを上部電極と下部電極の間に直接配設する。このセンサの周波数は外部交流信号によって生成され、その周波数特性のために、従来方式のエアブリッジによって素子（１３４）をシリコン基板から熱分離する必要がないことがあり、その代わりに好ましくは、ＳＯＧ（スピン・オン・ガラス）によって熱分離する。出力コンデンサ内で過剰な電荷が蓄積されることによってセンサの出力信号電圧が飽和しないように、このセンサは、シーン素子（１３４）に並列な基準素子（１３２）を有する。交流信号の電圧が負のとき、出力コンデンサは、基準素子（１３２）を通して電流を流すことによって放電し、それによって基準素子（１３２）の分極を問い合わせ、これを各サイクルにシーン素子（１３４）の分極と比較し、シーン素子（１３４）の分極から減算する。設定した時間にわたって各サイクルに測定した分極の差を積分増幅器によって加算して、信号出力が得られる。
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【課題】集積回路において使用するのに適した厚さおよび質の金属酸化物の薄膜の製造。
【解決手段】キシレン／メチルエチルケトン溶媒中にストロンチウム、タンタルおよびビスマス２−エチルヘキサノアート（ethylhexanoate）などのいくつかの金属２−エチルヘキサノアート（ethylhexanoate）を含む前駆体液体が調製され、基板（５、858）が真空堆積チャンバ（２）内に配置され、少量のヘキサメチル−ジシラザンが前駆体液体に添加され、噴霧化され、噴霧は堆積チャンバ内に流入させられて基板上に前駆体液体の層が堆積される。液体は乾燥、焼成およびアニールされ、基板上にストロンチウムビスマスタンタル酸塩などの層状超格子材料の薄膜（506、860）が形成される。次いで、集積回路（600、850）が完成され、集積回路の構成要素（604、872）中に層状超格子材料膜の少なくとも一部が含まれる。 （もっと読む）

【目的】この発明は、酸化物強誘電体表面の還元反応、変質を阻止するとともに、ＭＯＳシンター工程において強誘電体薄膜と上下電極間の剥離を防止することを主要な目的とする。
【構成】半導体基板(1) と、この基板(1) 上に設けられ、下部電極(10)，酸化物強誘電体薄膜(11)，上部電極(12)の順次積層して構成される誘電体薄膜キャパシタ(9) と、このキャパシタ(9) 表面に被覆された、アルミニウム，シリコンもしくはチタンの窒化物薄膜を主要な構成要素とする保護膜(12)とを具備したことを特徴とする強誘電体メモリ。 （もっと読む）