【課題】半導体チップの故障を解析する際に、外部との端子接続を不要とし、サブミクロンの空間分解能で電流経路と欠陥の可視化を可能にすること。
【解決手段】ＬＳＩチップ１を光電流発生用レーザビーム２で固定照射する工程と、ＬＳＩチップ１の被観測領域を加熱用レーザビーム３で走査して照射する工程と、光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射によりＬＳＩチップ１で発生した電流変化をＳＱＵＩＤ磁束計４で検出する工程と、ＳＱＵＩＤ磁束計４で検出された電流変化に基づいてＬＳＩチップ１の故障を解析する工程と、を含む。光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射は、ＬＳＩチップ１の裏面側から行い、ＳＱＵＩＤ磁束計４による検出は、ＬＳＩチップ１の表面側で行う。ＬＳＩチップ１の故障の解析では、ＳＱＵＩＤ磁束計４から出力された信号を走査点に対応させる画像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザー光や磁場の透過が困難な部材により片面が覆われている検査対象物、例えば基板に実装された半導体ＩＣでも、レーザーＳＱＵＩＤ顕微鏡による物理的性質の検査をより高感度に行うこと。
【解決手段】レーザー光２を、検査対象物１６に対し磁場検出用のピックアップコイル１５の配置側と同じ側から照射し、レーザー光２の照射と該レーザー光の照射によって誘起される磁場の検出とを検査対象物１６に対し同じ側で行うようにした構成。レーザー光２を、容器１９の内部に設置されたループ状のピックアップコイル１５の中を通して検査対象物１６に照射する。 （もっと読む）

【課題】 測定対象を変化させることなく、応力拡大係数範囲の履歴を簡便に測定する。また、亀裂の進展性の評価を正確に行えるようにして、亀裂に対する保守管理についての適切な方針の立案等に資する。
【解決手段】 金属であるＳＵＳ３０４鋼に発生した亀裂について、その周辺の磁場分布をホール素子顕微鏡により非破壊的に直接測定し、亀裂に沿って磁束密度を抽出するとともに、ＳＵＳ３０４鋼における磁束密度と応力拡大係数範囲ΔＫの対応関係に基づいて、各磁束密度から応力拡大係数範囲ΔＫを導出する。また、この測定方法により、亀裂に係る応力拡大係数範囲ΔＫの履歴を得、当該履歴が、亀裂基端から先端にかけて減少する場合には、当該亀裂の進展性がないものと評価し、当該履歴が、亀裂基端から先端にかけて増加する場合には、当該亀裂の進展性があるものと評価する。 （もっと読む）

【課題】
位置出し用の目印の場所が電流経路に限定されるという制約をなくし、位置出しの精度を向上する。
【解決手段】
試料とレーザ光とを相対的に移動させて前記試料を走査し前記試料からの磁気をSQUID磁気検出器で検出し、走査位置に対応し且つ検出結果に応じた値の集りからなる像を取得し、取得された像のうち少なくとも一つの領域について、前記試料における位置の目印として、前記像の値に関する前記領域内でのピーク位置又は重心位置を求める。 （もっと読む）

【課題】 ナノスケールの保磁力分布を画像化可能な保磁力分布解析法並びにその解析装置を提供するにある。
【解決手段】 保磁力分布解析装置では、垂直磁気記録可能な磁性薄膜を備える試料に略垂直に磁界が印加され、試料が平面移動されながら、試料表面の磁区から発生される漏れ磁束に応じて磁束検出信号が発生される。試料の平均的磁化に対応するヒステリシス特性から選定された第１及び第２の閾値に対応する第１及び第２の外部磁界が試料に印加されて第１及び第２の磁区画像データが生成さる。この第１及び第２の画像データが第１及び第２の閾値で２値化処理され、その差分が第１の保磁力分布パターンとして生成される。 （もっと読む）