【課題】外周に欠けを発生させることなく所定の厚みに研削することができるサファイア基板の研削方法を提供する。
【解決手段】被研削面と被研削面と反対側の支持面とを有し外周部に被研削面および支持面に対してそれぞれ４５度の角度を持った面取り部が形成されたサファイア基板の被研削面を研削する研削方法であって、サファイア基板の支持面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープ側を研削装置のチャックテーブルの保持面上に保持し、サファイア基板の被研削面を研削する研削工程とを含み、研削工程は、サファイア基板の支持面側に形成された面取り部の外周面側端部から５０μm以上被研削面側の位置で研削を終了する。 （もっと読む）

【課題】方形ワークの３面（ＸＺ面、ＹＺ面、ＸＹ面）の直角出し研削加工をなす安価な平面研削装置を提供する。
【解決手段】中央プレーン砥石車部２ｂの両側面に１０〜４５度の傾斜角を有するアンギュア砥石車部２ａ，２ｃが一体化された外周縁断面が傾斜−平行−傾斜形状を示す複合研削砥石車２を用い、ワークテーブルを往復動させつつ、方形ワークＷのＸＹ面、ＸＺ面をアングラー砥石車部２ａ、２ｃで平面研削し、ワークテーブルを移動せず、砥石軸を上下方向移動および前後方向移動させて、方形ワークＷのＹＺ面をプレーン砥石車部２ｂで平面研削する。 （もっと読む）

【課題】１枚目に加工する被加工物についても１回の加工によって所望の平坦度に加工することを実現するための加工装置を提案する。
【解決手段】制御手段は、加工中のモータの最大負荷電流値と、最大負荷電流値以内で加工された被加工物の加工後の被加工面の平坦度を示す被加工面平坦度毎最大負荷電流値表を格納する格納部と、加工中のモータの負荷電流値をモニタする負荷電流値モニタ部と、所望平坦度と格納部に格納された被加工面平坦度毎最大負荷電流値表とから所望平坦度に対応する最大負荷電流値を選択する選択部と、負荷電流値モニタ部でモニタされる加工中のモータの負荷電流値が、選択部で選択された最大負荷電流値以下になるように加工送り手段の送り速度を制御する送り制御部と、を備える加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】研削送りを制御する機能が停止しても、研削送りの暴走を抑制できる研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する保持手段２０と、被加工物に対して粗研削を施す第一の研削手段３０と、仕上げ研削を施す第二の研削手段４０と、第一の研削送り手段５０及び第二の研削送り手段６０と、これらを制御する制御手段３とを備える研削装置１であり、第一の研削送り手段５０及び第二の研削送り手段６０には、サーボモータ５４、６４と、これらを制御するサーボドライバー５５、６５とを備えており、サーボドライバー５５、６５は、制御手段３からサーボモータ５４、６４の駆動開始の指令を受けた後、駆動終了の指令を受ける前に制御手段３に対して随時駆動の確認信号を出力する。そして、制御手段３から応答が途絶えた際にサーボモータ５４、６４５の駆動を停止することで、第一の研削送り手段５０及び第二の研削送り手段６０の暴走を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハに面焼け等の品質低下や破損を生じさせる恐れを低減可能な研削方法を提供する。
【解決手段】回転可能なチャックテーブル５４と、該チャックテーブルで保持された被加工物１１を研削する研削砥石３２を含む研削ホイール３０を回転可能に支持する研削手段と、該研削手段を研削送りする研削送り手段と、該研削砥石３２に超音波振動を付与する超音波生成手段と、を備えた研削装置で、被加工物１１を保持ステップと、該チャックテーブル５４を回転させつつ該超音波生成手段を作動させて該研削砥石３２に超音波振動を付与するとともに、該研削送り手段により該研削手段を研削送りして回転する該研削砥石３２を被加工物１１に削り込ませるステップと、該削り込みステップを実施した後、該超音波生成手段を停止させるとともに該研削送り手段により該研削手段を研削送りして被加工物１１を研削する研削ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】表面に金属膜が被覆された硬質基板を研削して金属膜を除去可能な硬質基板の研削方法を提供する。
【解決手段】硬質基板の研削方法であって、硬質基板の裏面を保持して該金属膜を露出させる保持工程と、チャックテーブルを回転させると共に、研削ホイールを回転させながら研削送りして、該チャックテーブルに保持された硬質基板の表面に被覆された該金属膜を研削する金属膜研削工程と、該金属膜が研削されて露出した硬質基板を引き続き研削して硬質基板を所定の厚みに形成する硬質基板研削工程とを具備し、該金属膜研削工程は、該研削ホイールを駆動するモータの負荷電流値が所定の値を超えて上昇した際に該金属膜から該研削砥石を離反させる離反工程と、該金属膜に該研削砥石を再度接触させて該金属膜を研削する接触工程とを含み、該離反工程と該接触工程とを繰り返し実施して該金属膜を研削して除去する。 （もっと読む）

【課題】ワークの両側面を研削する一対の研削砥石の切れ味の違いを極力解消できるようにする。
【解決手段】薄板状ワークＷを保持する一対の静圧パッド１，２と、一対の静圧パッド１，２間に保持されたワークＷの両側面を研削する一対の研削砥石５，６と、研削中のワークＷの両側面の位置Ｒ１，Ｒ２を測定する一対の測定ヘッド９，１０と、ワークＷの研削精度が基準精度内に収まったときの測定ヘッド９，１０の測定値Ｍ１，Ｍ２からワークＷの相対位置Ｘを算出する演算手段２２と、その相対位置Ｘと静圧パッド１，２間にワークＷが適正に保持されるべき研削基準位置Ｘ０とを比較して差分を求める位置比較手段２４と、両者に差分があるときに当該ワークＷの研削後に両者の差分に応じて研削砥石５，６の研削後退端を補正する後退端補正手段２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ワークの両側面を研削する一対の研削砥石の切れ味の違いを極力解消でき、所定の研削精度を長期間にわたって安定的に維持できるようにする。
【解決手段】薄板状ワークＷを保持する一対の静圧パッド１，２と、静圧パッド１，２間に保持されたワークＷの両側面を研削する一対の研削砥石５，６と、研削中のワークＷの両側面の位置を測定する一対の測定ヘッド９，１０と、ワークＷの両側面の基準値Ｍ１，Ｍ１と各測定ヘッド９，１０の測定値Ｍ１，Ｍ１との減算により算出したワークＷの両側面の位置を比較して両研削砥石５，６の切れ味差を求める切れ味比較手段２６と、両研削砥石５，６に切れ味差があるときに、両研削砥石５，６の切れ味が同じになるように、研削砥石５，６の切れ味に関係する研削条件を切れ味差に応じて補正する研削条件補正手段２７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 硬質基板を損傷させることなく研削可能な硬質基板の研削方法を提供することである。
【解決手段】 硬質基板の研削方法であって、チャックテーブルの保持面で硬質基板を保持する保持工程と、研削送り手段を作動して該チャックテーブルに保持された硬質基板の上面より研削砥石の研削面が僅かに下になる様に研削手段を位置づける研削手段位置付け工程と、該研削ホイールを回転させるとともに位置付け手段を作動して該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルを研削位置まで移動する移動工程と、該研削送り手段を作動して所定の研削送り速度で該チャックテーブルに保持された硬質基板を研削する研削工程と、硬質基板が所望の厚みに達した際研削を終了する研削終了検出工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬質基板を損傷させることなく研削可能な硬質基板の研削方法を提供することである。
【解決手段】 硬質基板の研削方法であって、硬質基板の研削すべき面を荒らす面荒らし工程と、硬質基板の荒れた面が露出するようにチャックテーブルの保持面で硬質基板を保持する保持工程と、該チャックテーブルを研削位置に位置づける位置付け工程と、研削送り手段を作動して所定の研削送り速度で研削手段を研削送りしながら該チャックテーブルに保持された硬質基板を研削する研削工程と、硬質基板が所望の厚みに達した際研削を終了する研削終了検出工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬質基板を損傷させることなく研削可能な硬質基板の研削方法を提供することである。
【解決手段】 硬質基板の研削方法であって、チャックテーブルの保持面で硬質基板を保持する保持工程と、該チャックテーブルを研削位置に位置づける位置付け工程と、研削送り手段を作動して第１の研削送り速度で該チャックテーブルに保持された硬質基板に研削砥石を接近させ、研削砥石が硬質基板に接触した瞬間を厚み検出手段によって検出する接触検出工程と、該接触検出工程によって該研削砥石と硬質基板との接触を検出した後直ちに該研削送り手段を作動して該研削砥石を硬質基板から離反させる離反工程と、該研削送り手段を作動して該第１の研削送り速度よりも遅い第２の研削送り速度で該研削砥石を研削送りしながら該チャックテーブルに保持された硬質基板を研削する研削工程と、硬質基板が所望の厚みに達した際研削を終了する研削終了検出工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬質基板を損傷させることなく研削可能な硬質基板の研削方法を提供することである。
【解決手段】 硬質基板の研削方法であって、チャックテーブルの保持面で硬質基板を保持する保持工程と、該チャックテーブルを研削位置に位置づける位置付け工程と、研削送り手段を作動して所定の研削送り速度で該チャックテーブルに保持された硬質基板に研削砥石を接触させる際、研削水の供給を停止して乾式で硬質基板を僅かに研削する乾式研削工程と、該乾式研削工程に引き続き、研削水供給手段を作動して研削水を供給しながら硬質基板を研削する湿式研削工程と、硬質基板が所望の厚みに達した際研削を終了する研削終了検出工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧縮コイルばねのコイル長を従来より容易に一定値に集束させることが可能なばね研削装置及びばね研削方法を提供する。
【解決手段】本発明のばね研削装置１０では、検出コイル長Ｈが、上限値Ｈａ未満かつ規定中間値Ｈｂより大きい場合は、砥石昇降用モータ１４Ａ，１４Ｂにより特定補正量Ｊだけ砥石端面間距離Ｌが狭められると共に、検出コイル長Ｈが、規定中間値Ｈｂ未満である場合は、砥石端面間距離Ｌの現状が維持される。つまり、検出コイル長Ｈの増量分が一定の基準量（特定補正量Ｊ）に到達するまでは現状を維持する一方、到達したらその基準量に略等しい増量分を０にリセットするように砥石端面間距離Ｌを補正し、その補正方向は砥石端面間距離Ｌを狭くする方向のみとなる。これにより、ワーク９０のコイル長を従来より容易に一定値に集束させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】スループット時間が短く、フットプリントがコンパクトなシリコンインゴットブロックの複合面取り加工装置を提供する。
【解決手段】円柱状インゴットブロックの四側面剥ぎ加工をスライサー装置の一対の回転刃９１ａ，９１ｂで行って得られた角柱状インゴットの四隅Ｒ面を一対のカップホイール型第一研削砥石１１ｇ，１１ｇで粗研削加工して面取りし、ついで、一対のカップホイール型第二研削砥石１０ｇ，１０ｇでそのブロックの四側面を仕上げ研削加工する面取りをし、更に、そのブロックの四隅Ｒ面を研削車９ｇで仕上げ加工して角柱状インゴットブロクを製造する複合面取り加工装置１。 （もっと読む）

【課題】 高速平面研削加工装置を開発する際の仕様を定めることができるようにする。
【解決手段】 横向きのテーブル駆動モータ１にシャフト２を介して取り付けた回転テーブル３の外周部に、試験片取付ジグ４を介して試験片５を取り付ける。回転テーブル３の回転軸心の上方に下向きに配置して回転テーブル３の回転軸心方向に移動できるようにした砥石駆動モータ７に、回転テーブル３の回転に伴う試験片５の周回軌道の上端側位置に対応させて水平に配した砥石８を、砥石回転軸９を介し接続する。回転テーブル３の回転により試験片５を周回軌道で従来のテーブル往復動型の平面研削盤における被削材速度よりも速い移動速度で周回させた状態で、回転させた砥石８により、試験片５の被研削面５ａに、高速平面研削加工を模擬した研削加工を行う。これを各種研削条件を振りながら行うことで、良好な研削品質となる研削条件を策定させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス基板の研削加工に適した研削面を維持しながらガラス基板を研削加工する、生産性に優れたガラス基板の研削方法及び該研削方法を用いたガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、前記ガラス基板を回転しながら主平面を研削する研削工程と、前記主平面の研磨工程と、前記ガラス基板の洗浄工程と、を有するガラス基板の製造方法において、前記研削工程はガラス基板の両主平面を同時に研削するものであり、両面研削装置の上定盤とキャリアとの相対回転方向と、下定盤とキャリアとの相対回転方向を所定の基準に従って決定することにより、生産性に優れたガラス基板の研削方法及びガラス基板の製造方法と板厚特性に優れたガラス基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が形成される基板の裏面を研削する裏面研削工程を含む薄型半導体デバイスの製造方法であって、裏面研削が不足であったり進み過ぎたりするのを防止することができるとともに、研削加工の高速化を図ることができて、生産効率を向上させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法は、ステップｓ２のイオン注入工程と、ステップｓ６の裏面研削工程とを含む。ステップｓ２のイオン注入工程では、シリコン基板１中に、導電型領域を形成することがないイオン２を注入し、結晶構造が変化した構造変化層３を形成する。そして、ステップｓ６の裏面研削工程では、シリコン基板１における半導体素子４が形成される面とは反対側の裏面を研削し、研削速度の変化が検出された時点で研削加工を停止する。 （もっと読む）

【課題】研削トラブルを発生することなくモース硬度９以上の被加工物を研削可能な研削方法を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物を研削する研削砥石を有する研削ホイールと、スピンドル及び該スピンドルを回転駆動するモータとを含む研削手段と、研削送り手段とを備えた研削装置を用いて、モース硬度９以上の被加工物の破砕層を研削して除去する被加工物の研削方法であって、該チャックテーブルで被加工物を吸引保持する保持工程と、該研削手段を研削送りして該チャックテーブルで保持された被加工物の破砕層を研削するとともに、研削中の該モータの負荷電流値を計測する研削・負荷電流値計測工程と、研削中の該モータの負荷電流値が規定負荷電流値に達したか否かを判定する負荷電流値判定工程と、該モータの負荷電流値が該規定負荷電流値に達した際に研削送りを停止する研削送り停止工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】取代量が大きなワークの両面の研削に際して、ワーク仕上面における優れた平行度と平坦度、さらには研削効率が得られる両頭平面研削技術を提供する。
【解決手段】回転する上下一対の砥石車１、２間に、突起付きワークＷを通し送りしてその上下両面Ｗａ、Ｗｂを同時に平面研削するスルーフィード形式のもので、上側砥石車１として、平面研削砥石面１ａの最外周部に面取り部６を有する砥石車を使用することにより、面取り部６が一対の砥石車１、２のワーク入口部Ａにおける前研削工程用砥石面を構成し、また一対の砥石車１、２の平坦な研削砥石面１ａ、２ａの傾斜角度θを、本研削におけるワーク取代の大きさに対応して設定し、砥石車１、２間にワークＷを通し送りするに際して、前研削工程用砥石面６によりワークＷを前研削した後、対向する一対の平坦な研削砥石面１ａ、２ａによりワークＷを本研削する。 （もっと読む）

【解決手段】回転型小型加工ツールの研磨加工部を半導体用合成石英ガラス基板表面に１〜５００ｍｍ²の接触面積で接触させ、基板表面上を前記研磨加工部を回転させながら走査させて、基板表面を研磨することを特徴とする半導体用合成石英ガラス基板の加工方法。
【効果】本発明によれば、ＩＣ等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、比較的簡便でかつ安価な方法でＥＵＶリソグラフィーにも対応可能な平坦度の極めて高い基板を得ることができる。 （もっと読む）