【課題】 研磨速度に優れることは勿論のこと、鏡面研磨後のウエハー形状、特に、良好な平坦度、平面度を有して平坦性に優れると共にウエハー外周部におけるエッジ部ダレがない高精度の形状を得ることができ、スクラッチ傷の発生がなく、研磨加工コストも廉価となるシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板、およびこのシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を用いたシリコンウエハーの鏡面研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板はプラスチック板からなるように構成し、シリコンウエハーの鏡面研磨方法は前記シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を定盤上に固定した研磨装置またはラッピング装置によってシリコンウエハーを鏡面研磨するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 摩擦特性が良く耐久性に優れ、半導体ウェハの被削面に欠陥やスクラッチが生じない低コストのＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。
【解決手段】 基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、上記研磨層が、規則的に複数配置された所定形状の立体要素で構成された立体構造を有し、上記研磨層が、構成成分としてＣＶＤ法により製造されたアドバンストアルミナ砥粒と結合剤とを含む研磨コンポジットで成る、ＣＭＰ用研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】メモリーハードディスクの仕上げ研磨や半導体素子の研磨用として、研磨後の被研磨物の表面平滑性に優れ、かつ突起や研磨傷等の表面欠陥を発生することなく、しかも経済的な速度で研磨を可能とする研磨液組成物を提供すること。
【解決手段】研磨材と水とを混合してなる研磨液組成物であって、研磨材の小粒径側からの積算粒径分布（個数基準）が５０％となる粒径（Ｄ５０）に対する９０％となる粒径（Ｄ９０）の比（Ｄ９０／Ｄ５０）が１．３〜３．０で、且つＤ５０が１０〜６００ｎｍである研磨液組成物、粒径（Ｄ５０）が異なる２種類以上の研磨材と水とを混合してなる研磨液組成物であって、Ｄ５０の最も小さな研磨材（Ａ）のＤ５０（Ｄ５０Ｓ）に対するＤ５０の最も大きな研磨材（Ｂ）のＤ５０（Ｄ５０Ｌ）の比（Ｄ５０Ｌ／Ｄ５０Ｓ）が１．１〜３．０であってＡとＢとの配合比率（Ａ／Ｂ（重量比））が９０／１０〜１０／９０である研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハの着脱が容易であるとともに、研磨品質を維持しながらウェーハを安定して保持しつつ研磨可能であるウェーハ研磨装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ウェーハ保持ヘッド５０は、ヘッド本体２内に張られたダイヤフラム５と、ダイヤフラム５に固定された多孔質材からなるキャリア６と、キャリア６と同心状に配されたリテーナリング７と、流体室１４の圧力を調整する圧力調整機構３０と、キャリア６上面に密閉空間２５を形成するドーム状の隔壁部２０と、密閉空間２５の圧力を調整することによってキャリア６とウェーハＷとの吸着力を調整する第２圧力調整機構３１とを備えている。 （もっと読む）

【目的】ＩＣ、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の半導体デバイスの素材であるシリコンウェーハや化合物半導体のウェーハ等の超薄板状のワークのポリッシング加工を行う工程において使用するポリッシング加工機に係り、更に詳しくは被ポリッシング加工体を把持するためのワックスレス方法の改良に関するものである。
【構成】回転自在なポリッシング用定盤１と、プレッシャープレート５とを具備するポリッシング加工機において、前記ポリッシング用定盤の面に対して被加工体４の面を平行状態で把持し圧接する貼付プレート１１が、高剛性で高密度のセラミックスプレートと、一枚またはそれ以上の通気、通水性を有する多孔質セラミックスプレート１５と、軟質発泡体の層１３とカラー１６からなるバッキングパッド１２とから構成されたことを特徴とする貼付プレートを提供する。 （もっと読む）

【課題】 キャリヤの上面側と下面側とにおいて研磨剤水溶液の交流を可能とすることで、キャリヤの全面において研磨剤水溶液の均一化・適量化を図り、研磨効率を向上させる。
【解決手段】 キャリヤ９の上面側から下面側に貫通するように微細な複数の通孔１５を一定の規則性に基づいて形成することにより、キャリヤ９の上面側に供給された研磨剤水溶液が通孔１５を通ってキャリヤ９の下面側に流れ、また反対に、キャリヤ９の下面側から研磨剤水溶液が通孔１５を通ってキャリヤ９の上面側に流れるようにすると共に、通孔１５を通って研磨剤が下方に落下する際に、比較的大きな塊は下定盤３に当たること等によって崩れ、微細な粒状物となり、水溶液との混合性が高まるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの周縁部における研磨量の不均一性を減少させることによって、高い平坦度を実現することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】 トップブロック５の下面には、トップリング６が固定され、トップブロック５の下面周縁部には、トップリング６の外周を取囲む様にガイドリング７が固定される。ウエーハ１は、バッキングパッド８を介してトップリング６の下面に吸着される。トップリング６の下面側には、外周に沿って薄肉部１１がリング状に形成され、薄肉部１１とトップブロック５の下面及びガイドリング７の内周面とにより取囲まれたリング状の空間部に、ピストン１２が挿入される。ピストン１２の上端面とトップブロック５の下面との間に圧力室１３が形成される。圧力室１３内の圧力を制御してピストン１２による加圧力を調整し、周縁部におけるウエーハ１の表面と研磨布との間の接触圧力分布の調整を行う。 （もっと読む）

【目的】本発明は、シリコンウェーハ等、極めて高い平坦度や平行度、更には面粗さが要求される板状の工作物の表面を加工するラッピング加工、ポリッシング加工等を行なう研磨装置に関するものであり、研磨装置の定盤、キャリアヘッドの駆動をダイレクトドライブモータで行なう装置に関する。
【構成】シリコンウェーハ等の被加工体をキャリアヘッドに取り付けて、回転可能な定盤に前記被加工体を圧着し、加工液を供給しつつ、回転による前記定盤と被加工体の表面の擦過作用により研磨加工を行なう装置において、前記キャリアヘッドと前記定盤のうち少なくとも一方をダイレクトドライブモータ直結方式で駆動し、かつ前記ダイレクトドライブモータにより駆動されるキャリアヘッドあるいは定盤の位置決めの制御をエンコーダによって行なうことを特徴とするコンパクトで高精度のラッピング加工あるいはポリッシング加工用の研磨装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ソーマークの発生を抑えることのできるワイヤソーの切断方法及び装置を提供すること。
【解決手段】制御装置３２は、固定砥粒付ワイヤ１４の走行方向の切り換えの際に、圧電素子８８に電圧を印加し、インゴット２６を所定量変位させる。この変位量は、固定砥粒付ワイヤ１４の走行方向の切り換えの際の固定砥粒付ワイヤ１４変位量に等しく設定される。これにより、固定砥粒付ワイヤ１４とインゴット２６との位置関係は、常に等しくなり、ソーマークの発生が抑制される。 （もっと読む）