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Fターム[4G001BB73]の内容

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Fターム[4G001BB73]に分類される特許

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【課題】反りが小さく、色ムラやシミの少ない半導体用ホウ素ドープ材の製造が可能となる窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積5〜15m2/g、酸素量1質量%以下の窒化ホウ素粉末48〜89質量%と、比表面積25〜60m2/g、酸素量2質量%以下の窒化ホウ素粉末10〜48質量%と、ホウ酸カルシウム粉末1〜4質量%とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明においては、窒化ホウ素焼結体が、窒化ホウ素96〜99質量%、酸化カルシウム0.4〜2質量%、酸化ホウ素0.5〜3質量%を含み、密度が1.7〜2.0g/cm3であることが好ましい。また、窒化ホウ素焼結体が、BNウェハの製造に用いるものであることが好ましい。 (もっと読む)


【目的】耐熱性に優れた平均粒子径数μmの高純度cBN焼結体を5GPa領域で製造することが
可能な技術の開発。
【解決手段】立方晶窒化ホウ素粉末表面を流体源として、固体のポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル、またはポリエチレンなど使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加
しないで立方晶窒化ホウ素を立方晶窒化ホウ素の熱力学安定条件下の5GPa, 1400℃以上の
高圧高温条件下で焼結することを特徴とするヴィカース硬さ40GPa以上の高純度立方晶窒
化ホウ素焼結体の製造法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が450ppm以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が350ppm以下であり、平均結晶粒径が2μm〜20μmであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さRaが1μm以下であり、最大高さRzが10μm以下であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】長期操業の可能なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結原料を予熱途中からプレスを開始して焼結温度まで高め、所定時間保持した後冷却することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明においては、以下の実施形態等から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。(1)プレス開始前の昇温速度が500〜1400℃/hであり、プレス開始前の昇温速度をプレス後の昇温速度よりも遅くすること。(2)冷却途中でプレスを解除すること。(3)焼結温度が1200〜2200℃、プレス圧力が10MPa以上であること。(4)プレスの開始と解除を800〜1400℃で行うこと。(5)焼結原料を、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること。(6)複数個の焼結原料が容器に収納されてなるユニットを、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること、など。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム(101面)のX線回折強度IAlNに対するAl(201面)のX線回折強度IAlの比(IAl/IAlN)が0.002〜0.03であり、熱伝導率が220W/m・K以上、三点曲げ強度が250MPa以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 (もっと読む)


【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にAl、N、Oを合計で99.5重量%以上含み、AlNを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Al、N、Oの3成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をX線回折(X線の発生源:銅)にて測定した時、上記AlNの回折ピーク強度I1(面間隔:2.68乃至2.71)に対する上記化合物の回折ピーク強度I2(面間隔:2.56乃至2.62)の強度比(I2/I1)が1〜8%で、かつ面間隔:1.52乃至1.537と上記AlNの(101)面の面間隔乃至上記AlNの(002)面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 (もっと読む)


有機元素プレカーサーポリマーの熱分解によりプレカーサーセラミックを製造する方法が提案されている。この場合、炭素ナノチューブがプレカーサーセラミックと結合され、かつ有機元素プレカーサーポリマーの分解の際に生成される遊離炭素の量を調節して、プレカーサーセラミック中で化学量論的炭素含有量又は化学量論から大きく異なる炭素含有量が存在するように前記結合を実施する。 (もっと読む)


【課題】 耐プラズマ性が充分高く、寿命の長いドライエッチング装置用電極を提供する。
【解決手段】 例えば窒化アルミニウム粉末100質量部および希土類酸化物0.5〜20質量部を含むグリーン体を還元性雰囲気中で焼結することにより窒化アルミニウム粒界に希土類窒化物を生成させることにより得られる導電性の窒化アルミニウムで表面の一部又は全部を構成した貫通孔を有する成形体をドライエッチング装置用電極として用いる。 (もっと読む)


【課題】 低い体積抵抗率が要求されると共に、金属による汚染を嫌う用途、例えば、半導体製造装置用部材として好適に使用することができる窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 平均結晶粒径が15〜30μmであり、酸素濃度が0.1質量%〜0.6質量%、金属不純物量が100ppm以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が1.0×10Ωcm以下である。また、上記焼結体は、平均粒子径0.1〜20μmの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を0〜0.1質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が15〜30μmに到達するまで焼結することによって得られる。 (もっと読む)


【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板1として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも1種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜2が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 ダイカスト用スリーブの曲がりを防止するとともに、内筒とプランジャチップとの間の摩擦抵抗を小さく抑えることができるダイカスト用スリーブを提供する。
【解決手段】 金属材料からなる外筒の内面に、常温における熱伝導率が50W/(m・K)以上の窒化ケイ素を主成分とするセラミックス焼結体からなる内筒を焼嵌めて構成したことを特徴とする。前記セラミックス焼結体が実質的に窒化ケイ素粒子とその周囲の粒界相とで構成され、溶融金属と接触する面において窒化ケイ素粒子が面積率で70〜99.9%を占めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】使用時に熱衝撃による破壊が防止されるように高耐熱衝撃性を有するとともに、めっき鋼板とのすべりを低減して、めっき鋼板の走行速度の変化に追従しやすい溶融金属めっき浴用のセラミックスロールを提供する。
【解決手段】鋼板と接触する中空状胴部10と、前記胴部に接合された軸部20,21とからなる溶融金属めっき浴用ロールであって、少なくとも前記胴部が常温における熱伝導率が50W/(m・K)以上の窒化珪素系セラミックスからなり、前記胴部の平均表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、不純物が少なく優れた熱伝導率とシャープな粒度分布を有すると共に、焼結時の熱収縮率が低い窒化アルミニウム粉末を安価に得ることのできる、窒化アルミニウム粉末の製造法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法における窒化アルミニウム粉末の製造法において、出発原料としてアルミナ粒子粉末の粒子表面が表面改質剤によって被覆されていると共に該表面改質剤被覆アルミナ粒子表面に炭素粉末が付着している複合粒子粉末を用いる窒化アルミニウム粉末の製造法である。 (もっと読む)


【課題】 ダイヤモンド工具によっても加工困難な、鉄系あるいはガラス系であって難削材といわれる材料の加工に対しても加工性能、工具寿命とも十分な性能を示すマイクロ回転工具を提供することを課題とする。
【解決手段】 マイクロ回転工具1は、超硬合金材料からなる軸対称のシャンク部2と、バインダレス微粒高純度CBN多結晶体材料からなりシャンク部2の端面にシャンク部の中心軸線21と同心状に接合されているビット部3とを有している。ビット部3がシャンク部2と接合されている側と反対側の端面には、複数の四角錐32が互いに密に隣り合って整列する多刃先端切れ刃31が形成されている。これらの四角錐32は、隣り合う2つの四角錐32の互いに向き合う2つの錐平面33が互いに60度±5度の角度で交差しており、各四角錐32は、互いに直交する2つの整列方向において、0.06mm〜0.1mmのピッチで整列している。 (もっと読む)


【課題】 高い破壊じん性を有すると共に、高い熱伝導率及び曲げ強度を達成した窒化アルミニウム焼結体を得ることが可能な新規な窒化アルミニウム粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法により得られ、1次粒子径について(1)0.1μm以上、1μm未満の1次粒子径の粒子の含有率が5〜85質量%、(2)1μm以上、5μm未満の1次粒子径の粒子の含有率が0〜40質量%、及び(3)5μm以上、10μm以下の1次粒子径の粒子の含有率が15〜95質量%(但し、(1)〜(3)の粒子の含有率の合計は100質量%である。)よりなる粒度分布を有し、且つ酸素含有率が0.4〜1.3質量%となるように表面酸化されたことを特徴とする窒化アルミニウム粉末である。 (もっと読む)


【課題】二硼化チタンと窒化ホウ素を必須成分とするセラミックス焼結体を生産性を高めて製造する。
【解決手段】頻度粒度分布において0.5〜5μmの領域と5〜50μmの領域とに極大値を有する窒化ホウ素粉末と、二硼化チタン粉末とを含有してなる原料粉末を成形した後、非酸化性雰囲気下、焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。この場合において、原料粉末が、更に窒化アルミニウム粉末、又は窒化アルミニウム粉末と酸化カルシウム粉末及び/又は酸化ストロンチウム粉末からなる焼結助剤とを含むこと、などが好ましい。 (もっと読む)


【課題】少なくとも3相を有する多相セラミックナノコンポジット、並びにこうした多相セラミックナノコンポジットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも3相を有する多相セラミックナノコンポジットが開示される。この少なくとも3相の各々は平均粒径が100nm未満である。一実施形態においては、この多相セラミックナノコンポジットには実質的にガラス粒界相がない。別の実施形態においては、この多相セラミックナノコンポジットは少なくとも約1500°Cの温度まで熱的に安定である。こうした多相セラミックナノコンポジットの製造方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】 強度や破壊靭性等に優れた導電性窒化ケイ素焼結体を提供する。耐摩耗性部材として有用である。
【解決手段】 長軸径が0.1μm以下のチタン属元素の窒化物粒子を0.2〜5重量%、Si−R−Al−O−N化合物(Rは希土類元素を表す。)を主として含む粒界相を2〜20重量%、及び窒化ケイ素を残量、並びにCNTを外掛けで0.3〜12重量%含有して成る窒化ケイ素焼結体、及びこの窒化ケイ素焼結体からなる耐摩耗性部材である。
(もっと読む)


本発明は、溶融金属に対する耐食性が改善されたセラミックス焼結体、その製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び長寿命化を達成できる金属蒸着用発熱体を提供することを課題とする。本発明は、窒化硼素、二硼化チタン、カルシウム化合物及び窒化チタンを含有してなる相対密度が92%以上のセラミックス焼結体であり、カルシウム化合物がCaO換算として0.05〜0.8質量%、窒化チタンに由来する(200)面のX線回折によるピーク強度が、BNの(002)面のピーク強度に対して0.06〜0.15であることを特徴とするセラミックス焼結体に関する。また、該セラミックス焼結体の製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び該セラミックス焼結体で構成された金属蒸着用発熱体も開示する。 (もっと読む)


窒化アルミニウム(101面)のX線回折強度IAlNに対するAl(201面)のX線回折強度IAlの比(IAl/IAlN)が0.002〜0.03であり、熱伝導率が220W/m・K以上、三点曲げ強度が250MPa以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が高く放熱性が優れた窒化アルミニウム焼結体を提供することができる。 (もっと読む)


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