【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素結晶を主とする結晶相と、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含み、窒化珪素結晶の粒界にある非晶質の粒界相とを有し、焼結体の表面から深さ０．３ｍｍの面におけるマグネシウム含有量が酸化物換算で１．３質量％以下であるとともに、焼結体表面から深さ０．３ｍｍの面におけるマグネシウム含有量が、焼結体表面から深さ１ｍｍの面におけるマグネシウム含有量よりも少なく、かつ、焼結体表面から深さ０．３ｍｍの面と深さ１ｍｍの面とのマグネシウム含有量の差が、酸化物換算で０．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。粒界相は、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含む。前記焼結体は、ランタンを酸化物換算量で０．１質量％以上、アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．６質量％、マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上、酸素を酸素量が２．５質量％以下含有する。ランタンの酸化物換算量、アルミニウムの酸化物換算量およびマグネシウムの酸化物換算量の合計が３．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算量で０．１〜３質量％、アルミニウム（Ａｌ）をＡｌ_２Ｏ_３換算量で０〜０．６質量％、マグネシウム（Ｍｇ）をＭｇＯ換算量で０〜１質量％、酸素を０〜２．５質量％の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種以上であり、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１である。）の被覆層が被着形成されている切削工具である。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性特性に加えて、特に摺動特性が優れた耐摩耗性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素１．５質量％以下、α相型窒化けい素７５〜９７質量％含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物換算で１〜１０質量％と、ＡｌおよびＭｇの少なくとも一方を酸化物換算で５質量％以下と、ＡｌＮ５質量％以下と、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒの内少なくとも１種を酸化物換算で５質量％以下との原料を混合し成形体を調製し、該成形体を脱脂後、焼結する途中、０．０１Ｐａ以下の真空中で温度１２５０〜１６００℃の温度又は窒素雰囲気中で温度１５００℃〜１６００℃で所定時間保持後、温度１６５０℃〜１８５０℃で本焼結し、焼結温度から、希土類元素により焼結時形成された液相が凝固するに至る焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下の徐冷により、窒化けい素焼結体から成る耐摩耗性部材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素粉末の表面に形成された親油性膜は完全に水と炭化硼素粉末との反応を押さえることができず、温度が２００〜３００℃付近に上昇すると、親油性膜が熱で分解され、高温の水蒸気が浸入して炭化硼素粉末は酸化するため、この粉末から得られた焼結体は気孔が多く、炭化硼素が有する本来の高い硬度や高い強度が発現しない。
【解決手段】 炭素単体または珪素単体を含有するとともに、水酸化硼素を含む層を表面に有した炭化硼素粉末であって、該炭化硼素粉末の比表面積をＸ（ｍ^２／ｇ）、前記層における前記水酸化硼素の酸素の含有量をＹ（質量％）としたとき、０＜Ｘ≦１８、０．３≦Ｙ／Ｘ≦１．２を満足する炭化硼素粉末であり、気孔が少なく、硬度、強度等の機械的特性が高い炭化硼素質焼結体を得ること。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少ない耐食性部材、例えばガスノズルを提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウム質焼結体からなる基体の表面の一部をなす複数の柱状の窒化アルミニウム結晶粒子を有し、前記柱状の窒化アルミニウム結晶粒子の頂点と、該頂点を中心とした２０μｍ四方における柱状以外の窒化アルミニウム結晶粒子の頂点との最大高低差が４μｍ以上である領域を有すること。 （もっと読む）

【課題】少ない粒界相成分でも微細な組織を持ち、緻密で耐摩耗性に優れた窒化珪素質焼結体を提供することである。
【解決手段】窒化珪素の結晶粒子と、周期律表第３族元素、アルミニウム、マグネシウム、珪素、酸素及び窒素を含む非晶質の粒界相と、該粒界相に分散された周期律表第６族元素化合物粒子とからなる窒化珪素質焼結体であって、前記周期律表第３族元素を酸化物換算量で０．１質量％以上、前記アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．５質量％、前記マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上含有するとともに、前記周期律表第３族元素の酸化物換算量、前記アルミニウムの酸化物換算量、前記マグネシウムの酸化物換算量の合計が２．５質量％以下であり、周期律表第６族元素化合物を酸化物換算で０．１〜２質量％の割合で含有し、前記窒化珪素質焼結体に含まれる酸素量が１．３質量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板等の固体の成膜面に蒸着により薄膜を形成する場合に蒸着用材料の加熱に使用され、加熱により溶融、蒸発させる蒸着用材料の溶融物の耐濡れ性に優れた分子線源用坩堝を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体により構成され、且つ、少なくとも内壁面を構成する窒化アルミニウム焼結体が、アルミニウム以外の金属元素の総濃度が５００質量ｐｐｍ以下であり、且つ、酸素濃度が１．０質量％以下である、薄膜堆積用分子線源用坩堝１０。坩堝１０は、窒化アルミニウム焼結体のバルクを製造した後、この窒化アルミニウム焼結体のバルクを非酸化性雰囲気下で、冷却しながら切削加工して坩堝１０の形状とする。 （もっと読む）

【課題】 焼き上がり寸法精度が高く、焼き放し面での高い抗折強度を有する窒化珪素質セラミック製バルブを提供する。
【解決手段】 傘部１２と、該傘部１２の中央に一体的に形成された柱状のステム部１３とが、窒化珪素が８０〜９２．５重量％、希土類元素が酸化物換算で２〜１０重量％、アルミニウムが酸化アルミニウム換算で２〜５重量％、過剰酸素が酸化珪素換算で０．５〜５重量％の範囲で含有されており、かつ前記希土類元素の酸化物換算量に対するアルミニウムの酸化アルミニウム換算量の比及び前記希土類元素の酸化物換算量に対する過剰酸素の酸化珪素換算量の比が０．５〜０．８である窒化珪素質セラミックスからなり、前記ステム部１３の同軸度が０．１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性特性に加えて、特に転がり特性が優れた耐摩耗性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を１．５質量％以下、α相型窒化けい素を９０質量％以上含有し、平均粒径が１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２〜１０質量％，ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネルを２〜７質量％，炭化けい素を１〜７質量％，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒからなる群より選択される少なくとも１種を酸化物に換算して５質量％以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を非酸化性雰囲気中で温度１６００℃以下で焼結することにより粒界相に存在する凝集偏析の幅の最大値を５μｍ以下にすることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法である。なお上記ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネルに代えて、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３との混合物を用いても同様な作用効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】色むらのない窒化アルミニウム基板、並びに、それを用いた窒化アルミニウム回路基板及びモジュールを提供する。
【解決手段】基板内における酸素含有量の最大値と最小値の差が０．２０質量％以下であることを特徴とする色むらのない窒化アルミニウム基板であり、酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする前記窒化アルミニウム基板である。さらに、前記窒化アルミニウム基板を用いてなる回路基板であり、前記回路基板を用いてなるモジュールである。 （もっと読む）

【課題】 微粒超硬合金作製に有用な微粒ＷＣ粉とこれを安価に製造する製造方法とこの原料からなる高硬度微粒超硬合金を提供すること。
【解決手段】 ＷＣ粉は、結合炭素量が５．１０〜５．９０質量％、窒素含有量が０．１０〜０．２０質量％とＷ_２Ｃを含有するＷＣ粉において、Ｗ_２Ｃ／ＷＣ＝０．０７〜０．８８であり、Ｗ_２Ｃ／ＷＣの値はＸ線回折により、ＪＣＰＤＳ ２５−１０４７のＷＣ（１０１）とＪＣＰＤＳ ３５−０７７６のＷ_２Ｃ（１０１）の強度の割合である。このＷＣ粉は、Ｗ酸化物とカーボン粉、あるいはＷ酸化物とＣｒ酸化物とカーボン粉を混合し、窒素雰囲気中で加熱し、還元、炭化することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】１５００℃以下の低温焼成によってＡＬＯＮ粉末を製造すること。
【解決手段】金属アルミニウム粉末と水酸化アルミニウム粉末を含む成型物を窒化した後、粉砕することを特徴とする酸窒化アルミニウム粉末の製造方法。本発明においては、成型物の金属アルミニウム粉末と水酸化アルミニウム粉末の含有率が、それぞれ１０〜３０質量％、７０〜９０質量％であり、成型物が２〜８ＭＰａの圧力で成形されたものであることが好ましい。また、成型物が、開通孔の複数を有するものであることが更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）