化学的及び電解的に加工物（１）を処理する装置及び方法は、一方の面でのブリッジ（短絡）又は他方の面でのプリント回路基盤の開路だけでなく、微細導電性構造、パッド及びランドの不規則な外形の回避を図って提案される。装置は、加工物処理用の処理タンク（２）とその運搬用のコンベア装置を有する。コンベア装置は、少なくとも１つの運搬キャリッジ（１８）、少なくとも１つの保持要素（１４、２５）及び運搬キャリッジと保持要素との間の少なくとも１つの接続手段（１２、１３、３５）を有する。処理タンクはクリーンルームゾーン（３）と隣接している。加工物は、コンベヤ装置を使用してクリーンルームゾーンを通って運ばれる。
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【課題】鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜が形成された製品であって、ウィスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に製造可能な製品を提供する。
【解決手段】コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめっき皮膜からなる、ウィスカー成長が抑制されたスズ系めっき皮膜。 （もっと読む）

本発明は、次の段階：強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも１種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 （もっと読む）

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を１つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および／またはコントロールするために使用される。 （もっと読む）

二酸化スズ含有触媒コーティングを有する電気化学的プロセスのための電極を、スズ（ＩＶ）ヒドロキシクロリドを含む前駆体溶液から出発して製造する。二酸化スズの堆積のプロセスは、高い収率及び改良された再現性を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム１上に接着剤層２を介して施された銅箔３の表面の全面にスズめっき層４を厚さ０．０１〜０．２μｍ形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔３に微細配線パターン３０を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト６を塗布した後、前記端子部分に、厚さ０．１５〜０．８０μｍのスズめっき層４を形成し、加熱処理することにより、厚さ０．２０μｍ以上のスズ−銅合金層５ｂと厚さ０．１５〜０．８０μｍの純スズ層４ｂを形成する。 （もっと読む）