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Fターム[4K022BA21]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜 (7,733) | Sn (326)

Fターム[4K022BA21]に分類される特許

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【課題】任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができ、スパッタリング法の問題点を解決しうる金属膜の製造方法、金属膜およびその利用を提供する。
【解決手段】本発明に係る金属膜の製造方法は、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、上記金属(M1)イオンよりもイオン化傾向の低い金属(M2)イオンを含有する金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む (もっと読む)


【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する2層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜(上層皮膜)を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が0.025〜0.5μmで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が0.1〜6μmであり、下地皮膜中の銀の組成比率が5〜90重量%であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 (もっと読む)


【課題】密着性がよく、錆が発生し難いめっきパターン部材及び電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】基材1と、基材1上に設けられた樹脂層2と、樹脂層2上に所定のパターンで設けられた被めっき層3と、被めっき層3上に設けられためっき層4と、めっき層4を隙間無く覆うように設けられた後処理層5とを有し、被めっき層3の下にある樹脂層2は、被めっき層3が設けられていない部分Bの厚さTよりも厚い山形状又は丘形状からなり、被めっき層3は、樹脂層2の中腹より上に形成されているように構成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】リン酸塩等のような環境負荷物質を含まず、(リン酸塩+石鹸)皮膜と同等或いはそれ以上の潤滑性および耐焼付き性を発揮する皮膜を備えた塑性加工用金属材料を製造するために有用な方法を提供すること。
【解決手段】母材金属の表面にめっき層である第1層を形成し、次いでめっき層が形成された母材金属を液状の脂肪酸に浸漬することにより、めっき層の上に第2層を形成することを特徴とする塑性加工用金属材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材16と、該基材16上に形成された接続端子(導体15)と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液(無電解めっき用前処理液)に接触させる第1工程と、前記第1工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子(導体15)上面の硫黄有機物を一部除去する第2工程とを有する、接続端子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき溶液内の銅イオン及びアンチモンイオンを除去するための装置及び方法を提供する。また、最小限の設備で無電解めっき溶液内の銅イオン及びアンチモンイオンを除去し、これを再使用可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】互いに連通されるように連続的に配置された複数個の隔室10、12と;前記隔室10内に陽極板14及び陰極板16を含んで配置された不純物除去部と;前記不純物除去部に電源を供給するための電源供給部と;を含み、前記電源供給部から供給される電流の電流密度が0.05A/dm以上、10A/dm以下である無電解錫めっき液の不純物除去装置。 (もっと読む)


【課題】金属化合物またはその金属化合物膜を製造するための金属化合物含有ゲルまたは金属化合物含有液体を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】本金属化合物含有ゲルの製造方法は、金属酸化物および金属水酸化物の少なくともいずれかを含む金属化合物含有ゲル13の製造方法であって、金属アルコキシド11にアルコキシ基含有液体と第1の過酸化水素含有水性液体を加えて金属水酸化物12を生成させる工程と、金属水酸化物12を含水状態で母液から分離する工程と、分離された含水状態の金属水酸化物12に第2の過酸化水素含有水性液体を自己熱反応させて金属化合物含有ゲル13を生成させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に、触媒材料を含む第1下地層13Aを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第1下地層13Aを覆うように第1めっき層14Aを形成する。こののち、基板11上の第1めっき層14Aの近傍領域に、触媒材料を含む第2下地層13Bを形成し、この第2下地層13Bと第1めっき層14Aを触媒として、さらに2回目の無電解めっき処理を施す。第1下地層13A上に堆積した第1めっき層14Aと、第2下地層13Bとを覆うように第2めっき層14Bが成膜される。第1下地層13Aに対向する領域と第2下地層13Bに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜10の端部にテーパ14A−1が形成される。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上の第1領域D1および第2領域D2に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第1下地層13Aを形成したのち、この第1下地層13A上の第1領域D1に対応する領域に第2下地層13Bを形成する。第1領域D1において第2領域D2よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第1下地層13Aおよび第2下地層13Bを形成した基板11に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第1領域D1において第2領域D2よりも成膜レートが高くなる。 (もっと読む)


【課題】パターニングされた微細な導電性金属層を有する導電性材料を高効率で生産可能な導電性材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】透明支持体16上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部20を形成する。その後、金属イオンを含む溶液中で金属銀部20をカソードとして被めっき材料24を通電する。その後、通電後の被めっき材料24に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部20のみにめっき層34を担持させる。金属イオンを含む溶液中の金属イオンは銅、ニッケル、コバルト、スズのいずれかであることが好ましい。 (もっと読む)


熱画像形成方法によってベース基体上にパターニングされた触媒層を含むパターニングされた基体を提供するステップの後、めっきして金属パターンを提供するステップを含む、高い伝導性の金属パターンの製造方法が開示される。提供される金属パターンは、電磁妨害遮蔽デバイスおよびタッチパッドセンサーを含む電気デバイスに好適である。 (もっと読む)


【課題】より小さな数十ナノメールから数百ミクロンの構造領域においても、より大きな表面積と空隙率を与え得る内部連通性を有する金属多孔質構造体を提供する。
【解決手段】金属より成る多数の連結節4が相互に連なるように結合して内部連通性の空隙を形成しているモノリシックな多孔質構造の金属多孔質体3であって、連結節4の大きさが10nm〜1000nmである金属多孔質構造体3。一例として、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)からなる基板2を通常のナノインプリンティングリソグラフィー法により用意した。Agイオンを1×10−5mol/Lの濃度で含むアンモニア性銀イオン水溶液をスプレーにより噴霧した。このとき同時に還元剤としてグルコース水溶液をスプレーにより上記金属イオン溶液が噴霧された領域に噴霧した。しかる後、基板を風乾処理したのち60℃の温度で10分間加温し、乾燥した。 (もっと読む)


【課題】黒色度が高く、遮光性に優れるだけでなく、耐熱性にも優れ、しかも、環境負荷が小さく、安価なコアシェル型銀錫複合粒子の製造方法及びコアシェル型銀錫複合粒子並びに黒色材料、黒色遮光膜、黒色粒子分散液を提供する。
【解決手段】本発明のコアシェル型銀錫複合粒子1は、平均粒子径が1nm以上かつ300nm以下であり、錫を主成分としかつ核となる錫微粒子2が、銀、銀錫合金、銀及び銀錫合金のいずれか1種からなる微細孔を有する膜である外殻層3により被覆された構造である。 (もっと読む)


【課題】密着性に優れた金属皮膜を有するポリマー基材の製造方法及びポリマー基材を提供する。
【解決手段】(1)透明ポリマー基板上の紫外線硬化型アクリル樹脂表面をプラズマ処理する工程、
及び(2)プラズマ処理を行った紫外線硬化型アクリル樹脂表面上に、無電解めっき法により金属皮膜を形成する工程
を有することを特徴とする金属皮膜を有するポリマー基材を製造する方法及びポリマー基材 (もっと読む)


【課題】 金めっき皮膜の下地金属表面に耐熱性の優れた化成皮膜を形成させる金めっき皮膜のピンホールの封孔処理剤および封孔処理方法を提供することを目的とする。
また、前記の封孔処理剤を金属製導電部の金めっき皮膜の表面に接触させることにより、金めっき皮膜の下地金属の表面に化成皮膜を形成させたプリント配線板および、前記の封孔処理剤を金めっき皮膜の表面に接触させることにより、金めっき皮膜の下地金属の表面に化成皮膜を形成させた後、無鉛半田を用いて半田付けを行うプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 特定のイミダゾール化合物を有効成分として含有した封孔処理剤とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属またはその合金の層が表面または内部に適用された成形製品の作製方法を提供する。
【解決手段】この方法では、成形型が使用され、この方法は、成形工程および金属化工程から構成され、成形工程および金属化工程は、両方とも、成形型内で行われ、該金属化工程は、無電解プロセスよりなり、本発明は、さらに、該方法により得られた成形製品を含むデバイスに関するものである。 (もっと読む)


本発明は、本質的に触媒を含まない基体に金属を沈着させるための無電解法を提供し、上記方法は、(a)本質的に触媒を含まない基体を用意する工程、および(b)上記本質的に触媒を含まない基体を無電解溶液に暴露して上記基体上に金属を沈着させる工程、ここで上記溶液は金属イオンおよび上記金属イオンを金属に還元するための還元剤を含む、を含み、上記基体の少なくとも表面が、上記溶液の温度(T2)よりも高い温度(T1)を有しまたは上記温度(T1)に加熱される。 (もっと読む)


【課題】過酷な使用条件においても信頼性の高い電気接続が可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、めっき層とから構成されており、前記基材微粒子の表面に形成されためっき層の最表層が銅層である導電性微粒子であって、前記導電性微粒子に含有する塩素イオンの含有量が50μg/g以下であり、かつ、前記銅層の最表面が変色防止剤で表面処理されている導電性微粒子である。 (もっと読む)


【課題】 弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の経時安定性を向上する。
【解決手段】 (A)可溶性第一スズ塩と、(B)無機酸及び有機酸の少なくともいずれかの酸と、(C)チオ尿素類と、(D)オキシカルボン酸よりなる浴安定用錯化剤と、(E)クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンとを含有し、上記金属イオン(E)の含有量が0.01〜6.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜7である無電解スズメッキ浴である。鉄、マンガン、クロムなどの特定の金属イオンを所定濃度でオキシカルボン酸に共存させるため、無電解スズ浴は弱酸性ないし中性域を呈すると共に、経時安定性にも優れる。 (もっと読む)


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