安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、Ｘ線回折で間化合物Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２が検出されず、Ｉｎ_２Ｏ_３（２２２）積分回折強度及びＳｎＯ_２（１１０）積分回折強度の比から求められるＳｎＯ_２の析出量（質量％）から算出される、Ｉｎ_２Ｏ_３中のＳｎＯ_２固溶量が２．３質量％以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 （もっと読む）

本発明は、均一分布層（２）を片面または両面に有する被膜付きステンレス鋼ストリップ（１）製品に関する。この層は装飾的な外観を有し、層の厚さは１０μｍ以下、その許容誤差は層厚さの±３０％以下、パラメータ値Ｌ*、ａ*、ｂ*はそれぞれ０＜Ｌ*＜９５、−６６＜ａ*＜６４、−９０＜ｂ*＜７０、装飾性外観の許容誤差はΔＥで１５以下、層の密着性は優れており被膜付き鋼ストリップが軟化焼鈍状態で５×ｔ以下の半径（ｔはストリップ厚さ）の曲げ試験でフレーキングなどの徴候を示さない。
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親水性、防曇性を有し、透明性に優れ、かつＵＶ光によるガス分解性を有する、可視光応答性を有するＴｉ酸化物膜およびその製造方法並びにＴｉ酸化物膜付き基体を提供する。 ガラス基板上に形成されたＴｉ酸化物膜であって、１００ｍＷ／ｃｍ^２の輝度を有するキセノンランプの光を、４００ｎｍ未満の紫外光をカットして前記Ｔｉ酸化物膜に照射しながら前記Ｔｉ酸化物膜に電圧を印加したときの電流値が、暗所における前記Ｔｉ酸化物膜に該電圧と同じ電圧を印加したときの電流値に対して１０００倍以上であるＴｉ酸化物膜。 （もっと読む）

熱電変換素子等の機能素子では、エピタキシャル成長に適した基体と使用に際して望ましい基体とが一致しないことがある。本発明では、基体上に形成した所定の層状構造を水蒸気の作用によって分離することとした。本発明の結晶膜の製造方法は、基体上に層状構
造を含む結晶膜を前記層状構造が前記基体と接するようにエピタキシャル成長させる工程と、水蒸気供給源から供給される水蒸気をチャンバー内において前記層状構造に接触させる工程と、前記層状構造と前記基体とを分離することにより、前記結晶膜を得る工程と、を含む。そして、前記層状構造は、アルカリ金属を含む層と、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｖ，ＮｂおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む層と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

Ｚｎ含有スクラップ等の原料を酸浸出あるいは電解抽出し、これを溶媒抽出した後、さらに活性炭処理して不純物を除去し、次にこの不純物を除去した溶液をアルカリ溶液で中和して水酸化亜鉛を得、さらにこの水酸化亜鉛を焼成して酸化亜鉛とすることを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 （もっと読む）

ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）

コーティングされるべき基板(１１６)上に照射するイオン源(１３２)或いは(２１８)が、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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一側面において、本発明は電気分解により水の分割に用いる光電気化学(PEC)電極すなわち光電極を提供する。該光電極は電解質溶液と接触する導電性表面を有する。この表面はドープしたスズ酸化物であって、該光電気化学電極の半導体太陽電池物質と電気的に接触している。本発明の変形において、透明な反射防止性の導電性を有する金属酸化物の別の層が該ドープしたスズ酸化物層と該半導体物質との間に配置されている。 （もっと読む）

本発明は、低放射率コーティングを備えた基材を提供する。低放射率コーティングは、少なくとも１つのグレーデッドフィルム領域を含む。特定の実施形態において、少なくとも１つのグレーデッドフィルム領域は、二層型低放射率コーティングの２つの赤外反射層同士間に付与される。グレーデッドフィルム領域においては、第１の誘電物質の濃度が実質的に連続的に減少し、第２の誘電物質の濃度が実質的に連続的に増大する。また、このような低放射率コーティングの堆積方法、および、このコーティングを備えた基材が提供される。

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本発明はガラスからできているタイプの透明基板に関する。本発明の基板は、ケイ素またはアルミニウムまたはこの２つの混合物の［窒化物、炭窒化物、酸窒化物または酸炭窒化物］をベースとする少なくとも１つの層Ｃを上に配設した被覆層と共に含む被膜を含んでなる。本発明は、この被覆層が酸化物ベースの機械的保護層であり、この酸化物が場合によっては化学量論以下または化学量論以上の酸素含量を有し、および／または場合によっては窒化物であることを特徴とする。本発明を使用して、多層または合わせグレージングを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来生じていたスプレードライヤーで得られる造粒粉の成形時でのつぶれ性のばらつきによる強度低下や、密度の低下という問題のない高強度で高密度のＩＴＯターゲットを得る方法の提供を課題とする。
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してＩＴＯターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度９０〜９５ｍｏ１％、重合度４００〜１０００のポリビニルアルコールを酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合量に対して１．０〜３．０重量％となる量を加え、加圧成型前の造粒粉の水分率を０．１５〜０．４重量％とする。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 相対密度が高く、成膜中における異常放電が少なくノジュールが発生しにくい、ＩＴＯターゲットの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末からなる成形体を焼結炉内に入れて焼結させるに際し、焼結炉内に酸素を成形体重量１ｋｇ当り０．５〜３．０リッター／分の割合で、少なくとも成形体片面に沿って酸素が流れるように流入させつつ、成形体中に含まれる成形用バインダを揮発させた後は、２４時間程度かけて１０００℃まで昇温し、１０００℃から１４００〜１６００℃の所望の温度までを１５０分以内で昇温し、１４００〜１６００℃の温度範囲で１０時間以上保持して焼結させる。 （もっと読む）