【課題】アーキングの発生回数を抑制しつつも、基板への異物の付着を抑制することが可能な薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法では、ターゲット９４と向かい合う上面に第１の極性を有する第１の磁石５１と、上面に第２の極性を有し、第１の磁石５１の周囲に配置される第２の磁石５２と、を含む磁石ユニット５を配置し、ターゲット９４の使用量の増加に応じて、磁石ユニット５の外縁５２ａとターゲット９４の外縁９４ａとのＹ方向の最近接距離を減少させる。 （もっと読む）

【課題】より均等にターゲットをスパッタでき、磁場分布補正を行う磁性板の配置も容易となるなど、極めて実用性に優れた磁界発生装置の提供。
【解決手段】磁気回路を有するマグネトロンスパッタリング装置用の磁界発生装置において、磁気回路は、内側永久磁石２、内側永久磁石２を取り囲むように設ける外側永久磁石３、及び、内側永久磁石２に隣接する第一の補助永久磁石４と、外側永久磁石３に隣接する第二の補助永久磁石５と、第一の補助永久磁石４と第二の補助永久磁石５との間に設けられ、磁気回路の磁束密度の垂直成分がゼロ点を３回交差するゼロ点交差領域若しくは磁束密度の垂直成分がゼロ点でフラットとなるゼロ周辺領域が形成されるように磁化方向が設定される第三の補助永久磁石６とから成る補助永久磁石を有する磁界発生装置。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット１ａと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット２ａとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面１２ａ、１２ｃとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 （もっと読む）

【課題】時間や手間をかけずに磁気トラックを容易に変更できるとともに、コスト低減も図り得る磁石ユニット、磁界発生装置及びマグネトロンスパッタ装置を提案する。
【解決手段】異なる磁極を有し、磁性板20に回転自在に軸支した第２磁石22を設け、第２磁石22を回転させることで磁極を変化させ、ターゲット13の表面に形成される磁気トラックJTの形状を変化させるようにしたことにより、磁性板20上に配置された磁極を取り外すことなく、磁気トラックJTの形状を最適な形状へと変えることができ、かくして磁極を取り外す時間や手間をかけずに磁気トラックJTを容易に変更できるとともに、その分だけコスト低減も図り得る。 （もっと読む）

【課題】
本発明は高品質な化合物薄膜または有機物薄膜を高い生産性で連続的に製造可能とするために、低ダメージで反応性の高い成膜条件を実現するプラズマ源と薄膜の製造方法を提供することを目的とする。具体的には、従来のスパッタ法におけるターゲット使用効率を改善すると共に、基材へ入射する粒子の運動エネルギーを十分緩和しても良好な膜質を得るための高密度なマグネトロンプラズマを基材近傍に生成するものである。
【解決手段】
対向した少なくとも一対の平板型マグネトロンプレートを有し、前記対向する平板型マグネトロンプレートの一方のみがスパッタカソードであることを特徴とする、プラズマ源。 （もっと読む）

【課題】 中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット表面の磁束密度について、領域Ａ内で中心磁極１２からターゲット端部への垂直磁束密度が−５０〜＋５０ガウスの範囲で連続する長さを短辺長さの０.０７倍以上に調整する。また、領域Ａの長辺方向の中央での中心磁極１２からターゲット端部への水平磁束密度の絶対値の極小値を両端での水平磁束密度の絶対値の極小値の０.９５〜１.４倍の範囲とし、領域Ｂの短辺方向の中央での中心磁極１２の水平磁束密度の絶対値を垂直磁束密度の絶対値の０.４倍以下とする。 （もっと読む）

【課題】マグネトロン型スパッタ装置において複雑な駆動機構などを要することなくターゲットのエロージョンプロファイルを改善してターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】ターゲット裏面の外周縁に沿って配置された外周磁石１と、外周磁石１の内周側に外周磁石１と間隔を有して周回配置された内周シム６と、ターゲット裏面の中央部でターゲットの長軸方向に沿って伸張して内周シム６内周側と間隔を有して配置された中央シム７を備え、外周磁石１は、ターゲットの短軸方向両端部に位置して長軸方向に伸長し、互いに異極の長軸磁石部２、３と、長軸方向両端部に位置して、長さ方向で二つに分割され、隣接する長軸磁石部２、３と同極の磁極を有する短軸磁石部２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂを有し、生成プラズマ密度が一様となり、ターゲットのエロージョンを均一にできる。 （もっと読む）

【課題】強磁性体ターゲットと磁石ユニットの間に働く吸引力による装置への負荷を低減する。
【解決手段】スパッタリング装置は、ターゲットを取り付け可能なターゲット電極と、前記ターゲット電極を支持する第１支持部材と、前記ターゲットの表面に磁界を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを支持する第２支持部材と、前記第１支持部材と前記第２支持部材の間に設けられ、前記ターゲットと前記磁石ユニットとの間の磁界によって前記第２支持部材に対して作用する第１の力と反対方向の第２の力を発生する力発生部とを備える。前記第２の力の大きさは、前記磁石ユニットが前記ターゲット電極に近いほど大きい。 （もっと読む）

【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第１の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第１の磁石と反発する磁極を有する第２の磁石と、第１の磁石と第２の磁石との間に斜めに設けられ第３の磁石とを備えた第１の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第４の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第４の磁石と反発する磁極を有する第５の磁石と、第４の磁石と第５の磁石の間に斜めに設けられ第６の磁石とを備えた第２の磁石エレメントとから構成され、第１の磁石エレメントと第２の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 （もっと読む）

【課題】ターゲット全表面に生成される不純物層の除去を的確かつ効率よく行なうことを可能とするスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】カソード２を構成する磁石機構４を自転軸８１Ａの周りに回転させる自転機構と、磁石機構を公転軸８２Ａの周りに回転させる公転機構と、自転機構と公転機構とを自転軸及び公転軸とは異なる回転軸の周りに回転させる回転機構と、ターゲット５表面の不純物層の膜厚を測定する測定手段と、測定手段を前記ターゲット表面の一端から他端まで移動させる駆動機構とを有し、自転機構は自転軸の自転速度を変更させる自転速度変更機構を備え、公転機構は公転軸の公転速度を変更させる公転速度変更機構を備える。 （もっと読む）

【課題】磁場強度が高い弧状の磁力線を生じ、優れた減磁耐性を有するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路を提供する。
【解決手段】ターゲット１１裏面に配置した磁石の磁気回路によってターゲット表面に弧状の磁力線２を描く漏れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路１であって、内側磁石３と、該内側磁石と逆向きの磁化方向を有し該内側磁石を取囲む外側磁石５と、前記内側磁石３と前記外側磁石５との間に配置され、前記内側磁石および外側磁石の磁化方向と直交し、かつ前記内側磁石から外側磁石に向かう方向またはその逆の方向に磁化された水平磁化磁石７と、これらの磁石を挟んでターゲットと対向して配設され前記内側磁石と前記外側磁石との間で磁束を通すヨーク９とを備え、該水平磁化磁石７の保磁力の値が、磁石内部中央よりもターゲット側に近い領域の方が高くなっているマグネトロンスパッタ装置用磁気回路。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１００は、処理チャンバ２０と、基板を搬送する基板搬送手段２と、平板状のターゲット３を設置するためのターゲットホルダー４と、ターゲットホルダーの裏側に配置された磁石ユニット５と、ターゲットホルダー４に電力を供給するための電力供給手段２４と、電力供給手段、および基板搬送手段を制御するための制御手段２５と、ターゲットホルダーの表面に略平行な面内でターゲットホルダーを移動させるターゲットホルダー移動手段１０と、を備え、制御手段は、電力供給手段によりターゲットホルダーに電力を供給しながら、基板搬送手段を駆動して基板を搬送するとともに、ターゲットホルダー移動手段を駆動してターゲットホルダーを移動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度に膜厚を均一化することができるカソードユニットおよび成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１３内に配置されたターゲット材１７と、ターゲット材が取り付けられる裏板１９と、裏板の裏面側に所定距離離間して配置された磁石２９と、を備えたカソードユニット１５において、磁場強度調整機構１００を有している。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ装置において、磁性体膜の成膜速度を高速化するとともに、長時間の成膜安定性を実現する。
【解決手段】スパッタ装置のターゲットモジュールは、スパッタされる表面を対向して設けられる一対のターゲット部材を交換可能に保持する一対のターゲット保持部と、一方のターゲット部材の表面から他方のターゲット部材の表面に向かう磁束を発生する磁場発生手段と、ターゲット部材の表面上で周辺部分よりも中央部分の磁束密度が低下するように磁束密度を分布させる磁束密度分布調整手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを長期間に亘って均一に使用できると共に、成膜速度を向上させることができるマグネトロンスパッタ装置によって、ＬａＢ_６膜を下地である基体上に成膜した場合、ＬａＢ_６膜が剥離し易いことが判明した。
【解決手段】基体の表面を窒化した後、引き続き同一処理装置内にて、基体の窒化された前記表面にスパッタによりＬａＢ_６の膜を形成することによって、基体から剥離し難いＬａＢ_６膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。
【解決手段】複数の第１小型マグネトロンカソード３１ａおよび第２小型マグネトロンカソード３１ｂの中央磁石３２ａ，３２ｂ付近に生じる非エロージョン領域は、分断されて個々で存在するので、連続した一体の中央磁石で構成されたマグネトロンカソードと比較して狭くできる。個々の非エロージョン領域が狭いことで、非エロージョン領域に形成された厚膜に発生する応力を緩和でき、膜応力等による剥がれが減少することで、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、基板に形成される膜に取り込まれるパーティクルを減少でき、膜質の低下が抑えられるスパッタリング装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用効率を向上し、ターゲットとマグネットとを近接に配置しても異常放電の発生を低減可能なスパッタ成膜装置および膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置は、真空容器２０６と、真空容器２０６内に配置されたマグネトロンカソードとを備える。該マグネトロンカソードは、ターゲットＴを支持するためのターゲット支持面を有する裏板２０２、マグネットユニット２０９と、マグネットユニット２０９を裏手前方向（第１の方向）に揺動させる第１揺動機構と、マグネットユニット２０９を左右方向（第２の方向）に揺動させる第２揺動機構とを有する。さらに、マグネットユニット２０９とターゲット支持面（すなわち、ターゲットＴ）とを電気的に同電位としている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ室で相互に対向配置されるターゲットから基板に向う方向を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニットを、スパッタ装置から取り外すことなく、簡単にターゲットの侵食領域を変更できるようにする。
【解決手段】 本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃ用の磁石ユニット５は、ターゲットの長手方向に沿って線状に配置された中央磁石５２と、中央磁石両側で平行にのびる直線部５３ａ及び各直線部両端をそれぞれ橋し渡すコーナー部５３ｂからなる無端状の周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて有する。中央磁石と周辺磁石の直線部とを相対移動させて、中央磁石及び周辺磁石相互の間隔を変更可能とする変更手段５１ｂ、５５を更に備える。 （もっと読む）