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Fターム[4K057WF06]の内容

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【課題】 本発明の課題は、ガラス浸食性、面内不均一性、残渣、長い処理時間などの問題点を解決した、TiまたはTi合金層を有する金属積層膜の一括エッチング液を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、少なくとも1層のTiまたはTi合金層と少なくとも1層の他の金属層からなる金属積層膜を一括にエッチングするためのエッチング液であって、フッ素を含む酸または該酸を生じさせるフッ素化合物と、フッ素が配位可能なイオンとを含有する、前記エッチング液、該エッチング液の製造方法、ならびに、該エッチング液を用いたエッチング方法に関する。 (もっと読む)


【課題】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、使用時の泡立ちが少なく、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、鎖状アルカノールアミン(A)、酸基を分子内に有するキレート剤(B)、および過酸化水素(C)を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液を使用する。 (もっと読む)


【課題】超硬材工具類又は金型類等の超硬材表面の硬質被膜を選択的に除去でき、かつ、超硬母材の劣化を最小限に抑制することが可能な超硬材における硬質被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素の炭化物を含有する超硬合金粒子が、Fe、Co、Cu及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素あるいはこれらの元素を含有する合金からなるバインダー金属で焼結された超硬母材の表面を、第4族元素、第5族元素、第6族元素、第13族元素及び第14族元素(但し、炭素は除く。)からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素の窒化物、炭化物、炭窒化物、酸化物又はホウ化物を含有する硬質被膜で被覆してなる超硬材を、硬質被膜除去用の処理容器内にてアルカリ薬液に接触させることによって硬質被膜を除去する方法であって、
前記超硬母材に対して犠牲陽極として作用する金属を、前記超硬母材に接触させた状態で、前記超硬母材と共に前記アルカリ薬液中に配置する硬質被膜の除去方法。 (もっと読む)


【課題】信頼性及び封止材との接着性を向上できるテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この処理方法を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】テープキャリア付き半導体実装用導電基材に腐食抑制剤を含有する第1の化学粗化液を接触させて半導体実装用導電基材の表面に粗化形状を形成する第1粗化工程を有する、テープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法。第1粗化工程の後に、さらに腐食抑制剤を含有する第2の化学粗化液に接触させる第2粗化工程を有する、前記のテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この表面処理を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージ。 (もっと読む)


【課題】Ti等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ti、Mo、Ag、V、Al、及びGeの少なくとも1種を含む金属材料層と、SiC、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が8以上の疎水性基と1つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、pHを3〜7に調整したものを使用するエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】導体パターンの断面が矩形に近いプリント配線板を、エッチングにより、ショート欠陥を発生させることなく製造する。
【解決手段】塩化鉄(III)およびシュウ酸を含有する銅エッチング液に、さらに高級アルコールを含有せしめる。かかる銅エッチング液に、さらに特定の分散剤あるいは可溶化剤を含有せしめることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】充放電サイクルを繰り返しても容量保持率の低下が起こらず高寿命で、負極集電体が変形しないリチウムイオン二次電池を作成可能なリチウムイオン二次電池負極用電解銅箔を供給することを目的とする。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池の負極集電体を構成する電解銅箔であって、該電解銅箔は200〜400℃で加熱処理後の0.2%耐力が250N/mm2以上、伸びが2.5%以上であり、該電解銅箔の活物質層を設ける表面は防錆処理が施され、或いは粗化処理され防錆処理が施されている。また本発明は前記電解銅箔を集電体とするリチウムイオン二次電池用電極、該電極を負極としたリチウムイオン二次電池である。 (もっと読む)


【課題】微細パターンの回路配線の形状不良及びスラッジの発生を防止することにより、断線やショート等がない微細パターンの回路配線を形成し得る銅含有材料用エッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも1つの酸化剤成分0.1〜15質量%、(B)エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基から選択される少なくとも1つの基を(ポリ)アミン類化合物の活性水素に付加した化合物0.001〜5質量%、(C)ヒドロキシアルカンスルホン酸及びヒドロキシアルカンスルホン酸塩から選択される少なくとも1つのヒドロキシアルカンスルホン酸成分0.1〜10質量%、並びに(D)塩酸及び硫酸から選択される少なくとも1つの無機酸0.1〜10質量%を必須成分とする水溶液からなることを特徴とする銅含有材料用エッチング剤組成物とする。 (もっと読む)


【課題】封止材等との接着性が良好であり、電気特性及び放熱性の低下を抑制することができ、低温処理可能であって、生産性に優れ、キズやコスレなどの痕が付きにくい、半導体実装用導電基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】半導体実装用導電基材に、腐食抑制剤、硫酸及び過酸化水素を含有する化学粗化液を接触させて表面に粗化形状を形成する粗化工程を有し、前記腐食抑制剤は、1,2,3−ベンゾトリアゾール及び5−アミノ−1H−テトラゾールを含有し、前記粗化工程の後に、前記粗化工程で表面に形成される有機皮膜を、アミンを含有するアルカリ性溶液に接触させて除去する皮膜除去工程を有する半導体実装用導電基材の表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】塩化鉄水溶液にシュウ酸を添加したエッチング液を用いてエッチングを行い、微細な配線パターンを形成する際に、スプレー圧力の変化によって生じるエッチング速度やパターン形成可能な最狭配線ピッチの変化が少ないエッチング液を提供する。
【解決手段】塩化鉄(III)及びシュウ酸を含有するエッチング液に、エチレンジアミンにポリエチレンオキサイド鎖及びポリプロピレンオキサイド鎖が結合したブロック共重合体を添加する。 (もっと読む)


【課題】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板上にエッチング液に不溶であるプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナ合金をエッチングするエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板にプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナをエッチングする工程用のエッチング液であって、無機酸(A)、オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤(B)および水を必須成分とするニッケルプラチナ合金用エッチング液。 (もっと読む)


【課題】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤(A)、過酸化水素(B)、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤(C)を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液。 (もっと読む)


【課題】本発明は、銅含有材料の良好な外観、特に金属光沢を維持し、レジスト等の被覆材料との充分な密着性を有する化学処理を行うことができる銅含有材料粗面化剤及び銅含有材料の粗面化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の銅含有材料粗面化剤は、(A)硫酸25〜200g/リットル、(B)過酸化水素10〜100g/リットル、(C)亜リン酸または亜リン酸塩から選ばれる少なくとも1種の亜リン酸成分0.05〜20g/リットル、(D)1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−メチル−1H−テトラゾールから選ばれる少なくとも1種又は2種のアゾール成分0.05〜10g/リットル、(E)塩化ナトリウムまたは塩化ベンザルコニウムから選ばれる1種類又は2種類の塩素化合物成分0.005〜0.5g/リットルを含む水溶液からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な断面形状を有する銅配線パターンを容易に形成できる銅配線パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第二銅イオン源、酸、サイドエッチング抑制剤及び水を含むエッチング液を用いた銅配線パターン(4)の形成方法において、深さ方向のエッチング量(T1)がエッチング開始時の銅厚み(T0)の50〜90%になるまで前記エッチング液によりエッチングする第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程に引き続いてエッチング終了時まで前記エッチング液によりエッチングする第2エッチング工程とを有し、前記第1エッチング工程におけるエッチング速度をR1とし、前記第2エッチング工程におけるエッチング速度をR2としたときに、R2/R1の値が0.40〜0.85であることを特徴とする銅配線パターン(4)の形成方法とする。 (もっと読む)


【課題】低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。
【解決手段】
本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 (もっと読む)



【課題】本発明は、基板の製造工程におけるシード層の除去性を高めると同時に、このようなシード層を除去する際にアンダーカットが生じにくいエッチング液、およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】硫酸および過酸化水素を含む銅のエッチング液において、ニトロ置換基を有するベンゾトリアゾール化合物および有機アミン化合物を含むことを特徴とする銅のエッチング液およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】安全に銀を処理することができ、且つ銀の導体パターンを形成する場合に、所望のパターンどおりの形状であって且つパターンサイドの形状を良好にすることができる銀処理剤、銀の処理方法および導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ハロゲンイオンと、銅および/または鉄イオンと、イミダゾール、1位、2位または4位の炭素または窒素原子に炭素数1−4のアルキル置換基を有するイミダゾール化合物及び1,2−ジアルキルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含むことを特徴とする銀処理剤、銀処理方法、およびこれらを使用する導体パターンの形成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】超硬材工具類又は金型類等の超硬材表面の硬質被膜を選択的に除去でき、かつ、超硬母材の劣化を最小限に抑制することが可能な超硬材における硬質被膜の除去方法を提供する
【解決手段】第4族元素、第5族元素及び第6族元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素の炭化物を含有する超硬合金粒子が、Fe、Co、Cu及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素あるいはこれらの元素を含有する合金からなるバインダー金属で焼結された超硬母材の表面を、第4族元素、第5族元素、第6族元素、第13族元素及び第14族元素(但し、炭素は除く。)からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素の窒化物、炭化物、炭窒化物、酸化物又はホウ化物を含有する硬質被膜で被覆してなる超硬材における硬質被膜を除去する方法であって、前記超硬材を100℃以上250℃以下の温度でアルカリ薬液に接触させる超硬材における硬質被膜の除去方法。 (もっと読む)


本発明は、
A)約0.025重量%〜約0.8重量%の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム;
B)組成物の約0.01重量%〜約30重量%のB1)有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはB2)ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはB3)成分B1)とB2)との混合物;および
C)組成物の約0重量%〜約97.49重量%の水
を含んでなるエッチャント組成物;ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
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