【課題】処理後の被処理物上に形成される余剰金属からなる層の厚さを最小限の厚さにすることができるとともに、被処理物上に開口するように形成された微小空間（ビア，貫通孔）に溶融金属を充填することのできる金属充填装置を提供する。
【解決手段】金属充填装置１は、半導体ウェハを保持する保持台Ｈ、保持台Ｈに対向して設けられ、保持面Ｈに対向する側に金属から構成される押付部が形成されたピストンＰを備え、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫに対してピストンＰを押付可能に設けられた押付機構５などを備えてなり、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成される。また、処理室２内の気体を排気して、当該処理室２内を減圧する減圧機構３、処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構４、処理室２内に不活性ガスを供給する加圧ガス供給機構７などを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程１、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および／または改質を行う工程２を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な半田密着性を有しつつ、低コスト化が実現された導電性組成物を提供する。
【解決手段】導電性粒子（Ａ）、半田粉（Ｂ）、溶剤（Ｃ）を含有し、上記導電性粒子（Ａ）の２５〜１００質量％が、銀コート金属粉（ａ）であり、上記半田粉（Ｂ）の含有量が、上記導電性粒子（Ａ）１００質量部に対して１〜１００質量部である、導電性組成物。 （もっと読む）

【課題】シート抵抗が低く、広い波長範囲で高い透過率を有する光透過型金属電極、電子装置及び光学素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、複数の第１金属線と、複数の第２金属線と、を含む光透過型金属電極が提供される。複数の第１金属線は、第１方向に沿って並ぶ。第１金属線は、第１方向と交差する第２方向に沿って延びる。複数の第２金属線は、第１方向と第２方向を含む平面に対して平行で第１方向と交差する第３方向に沿って並び、第１金属線と接触する。第２金属線は、その平面に対して平行で第３方向と交差する第４方向に沿って延びる。複数の第１金属線の第１方向における中心どうしの第１距離は、可視光を含む波長帯の最短の波長以下である。複数の第２金属線の第３方向における中心どうしの第２距離は、波長帯の最長の波長を超える。第１金属線と第２金属線の厚さは、最短の波長以下である。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを含む電極構造体及び電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層上のグラフェンと、グラフェン上の電極メタルと、を備え、該グラフェンは、半導体層と直接的に接触し、電極メタルは、グラフェンと直接的に接触する電極構造体である。半導体層は、シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、及びＩＩ−ＶＩ族半導体を含むグループから選択された一つで形成される。グラフェンは、単層または二層のグラフェンで形成される。 （もっと読む）

【課題】低い電気抵抗を維持しながら、広い波長範囲で十分な透明性を得ることができる金属電極、半導体発光素子及び光学素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る金属電極は、部材の主面上に設けられ、金属細線と、前記金属細線により形成される複数の開口部と、を有する金属層である。金属細線は、前記主面に対して平行な第１方向に沿う複数の第１直線部と、前記主面に対して平行で前記第１方向と交差する前記第１方向とは異なる方向に沿う複数の直線部と、を有する。前記複数の第１直線部の前記第１方向に沿う長さの最大値及び前記複数の第２直線部の前記第１方向とは異なる方向に沿う長さの最大値は、可視光の波長以下である。前記主面の法線方向にみた前記金属層の面積に対する前記法線方向にみた前記金属細線の面積の比は、２０パーセントを超え８０パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】 優れた電気的特性を有するトップエミット型窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明は、トップエミット型窒化物系発光素子に関し、窒化物系発光素子は、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層されており、ｐ型クラッド層上に形成された導電性ナノ相酸化物粒子と、ｐ型クラッド層及び導電性ナノ相酸化物粒子層上に形成された透明導電性薄膜層と、を備え、透明導電性薄膜層は透明導電性素材で形成され、導電性ナノ相酸化物粒子は界面改質層が熱処理によってナノ相酸化物に分解されることにより形成される。このようなトップエミット型窒化物系発光素子によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージングの際に、ワイヤーボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗及び優れた電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の安定した半導体装置を提供する。とくに、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して形成されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、少なくとも酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された酸素放出型の酸化膜と、により構成され、酸素放出型の酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素物系発光素子は、基板１１０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、
ｐ型クラッド層１５０、格子セル層１６０及びオーミック接触層が順次に積層された構造
よりなっている。また格子セル層１６０は導電性を有する素材で３０μｍ以下の大きさを
有する粒子型セルがオーミック接触層内に埋め込まれて、相互離隔されて形成されている
発光素子である。このような窒素物系発光素子とその製造方法は、ｐ型クラッド層とのオ
ーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ
成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（パワーＭＩＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】半導体層１０３を挟んでゲート電極１０５とドレイン電極１０２を形成し、ゲート電極１０５の側面に半導体層１０９を形成し、ゲート電極１０５の頂上部と重なる部分で、半導体層１０９とソース電極１１２が接する構造を有する。このようなパワーＭＩＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の間に５００Ｖ以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極１０５に制御用の信号を入力して使用する。 （もっと読む）

【課題】チャネル長Ｌが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半
導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを
課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレ
イン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート
絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は
側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子。前記ｐ電極が前記ｐ型半導体層上に少なくとも一部が網目状に形成されたＮｉＯ層と、このＮｉＯ層に接して形成されたＡｇ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極５、６。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極４、ゲート絶縁膜３、有機半導体層２、ソース電極５及びドレイン電極６を有する有機半導体素子１００であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域２０に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の多元スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１と、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板Ｗを吸着する静電チャック３を有するステージ２と、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードＣと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段４とを備える。静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）