【課題】パワー半導体デバイスの電気抵抗を小さくする。
【解決手段】 第１の導電性の材料から構成され、表面に電極を有する半導体ダイと、前記第１の導電性の材料の抵抗率よりも低い抵抗率を有する第２の材料から構成され、前記電極の上に設けられた導電性本体とを備える半導体デバイスと、第１の導電性の材料から構成された、半導体デバイスの電極の表面にバリア層を形成するステップと、前記第１の材料の電気抵抗率よりも電気抵抗率が低い第２の導電性の材料から構成されたシード層を、前記バリア層の上に形成するステップと、前記第２の材料から構成された前記シード層の上に導電製本体を形成するステップとを有する、半導体デバイスを製造するための方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブ複合材料、それの生成の方法、そして、そのような複合材料の使用に関する。
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【課題】 小型化を図ることができる半導体装置を提供する。また、放熱効率を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】 配線基板１０の裏面にＧＮＤ用外部配線１２を形成する。そして、このＧＮＤ用外部配線１２に接続する複数のビア１８を、配線基板１０を貫通するように形成し、配線基板１０の主面にＨＢＴを含む高消費電力の第１の半導体チップ１９を実装する。第１の半導体チップ１９のエミッタバンプ電極１９ｂは、第１の半導体チップ１９内に形成された複数のＨＢＴのエミッタ電極に共通接続しており、ＨＢＴが並んだ方向に延在している。第１の半導体チップ１９は、この延在したエミッタバンプ電極１９ｂに複数のビア１８が接続するように配線基板１０に実装されている。また、第１の半導体チップ１９上に第１の半導体チップ１９より発熱量の少ない第２の半導体チップ２１を搭載して配線基板１０の小型化を図る。 （もっと読む）

【課題】簡便に製造することができ、しかも基板上のパターン膜上に形成された薄膜にクラックが入ることを抑制することができる素子配置基板を提供する。
【解決手段】基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板であって、上記パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、上記順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下である。 （もっと読む）

埋設コンタクト型太陽電池、埋設コンタクト型太陽電池構成要素、及び埋設コンタクト型太陽電池太陽電池の製造方法であって、複数の埋設コンタクト面の溝内にセルフドーピングコンタクト材料が配置される。溝ドーピング処理とメッキ処理とを組み合わせることで、太陽電池をより単純な方法で経済的に製造できる。
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【課題】
本発明は、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルムと、そのようなフィルムの生産プロセスと、に関するものである。
【解決手段】
放射架橋性接着剤を備えた接着剤層はベースフィルム（６１）に塗布される。接着剤層はベースフィルムへパターン形状に塗布され、及び／または、接着剤層がパターン形状に構造化して硬化するようにパターン形状に放射線照射される。キャリアフィルムと電気的機能層とを備えたトランスファーフィルム（４１）が接着剤層に塗布される。キャリアフィルム（４１）は、ベースフィルム、接着剤層、及び電気的機能層を含むフィルム体から剥がされ、そこではパターン形状に構造化された第一領域では電気的機能層はベースフィルム（６１）に残り、パターン形状に構造化された第二領域では電気的機能層は前記キャリアフィルム（４５）に残り、ベースフィルム（６１）からキャリアフィルムとともに取り除かれる。

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マスクなし中規模材料デポジション（Maskless Mesoscale Material Deposition, M³D^TM）処理のための方法および装置が開示され、これはエアロゾルを作るのに好ましくは超音波トランスデューサまたは圧縮空気噴霧器（２２）を用い、このエアロゾルは流入口（２０）を経由してフローヘッド（１２）に入り、その際に随意的に、ガス量を低減するため事実上のインパクタ（２４）ならびに溶剤を除去するまたは粘度を調整するためヒータアセンブリ（１８）の両方を、あるいはそのいずれかを経由するようにしてもよい。機械的シャッター（２８）のついた材料シャッターアセンブリ（２６）が好ましくはフローヘッドの出口についており、鞘状のガスが流入口（１８）を通って入り、エアロゾルがフローヘッドから出る前にそれを囲む。熱に弱いターゲットの上のエアロゾルデポジット材料は好ましくはレーザモジュール（１０）からのビームで処理し、これによってそのターゲットを損傷閾値以上に加熱することなく、たとえば化学分解、焼結、重合などにより希望の状態を得るためにデポジットした材料を加熱する。１ミクロンの線幅の形状をデポジットすることができる。 （もっと読む）

高アスペクト比ビア内に連続シード層を形成する方法とそれに関連付けられる構造体を記載する。この方法は、基板内に凹部（１０４）を形成する段階と、凹部内に非連続金属層を形成する段階と、凹部内の非連続金属層（１１２）と、少なくとも１つの非堆積領域（１０９）を活性化させる段階と、凹部内の非連続金属層及び少なくとも１つの非堆積領域上にシード層（１１６）を無電解メッキする段階と、実質的にボイドがなく、金属が充填された凹部を形成するようシード層上に金属充填層を形成する段階を含む。
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支持体を含む要素であって、導電率増強剤を含有する印刷溶液が導電性層に接触すると、該印刷溶液と接触させられた領域の抵抗率が10分の1以下に減少するように、該支持体上に導電性ポリマーを含有する導電性高分子層が配置されている、要素。 （もっと読む）

集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）